【技术实现步骤摘要】
切割带和切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及例如在制造半导体集成电路时使用的切割带和具备该切割带的切割芯片接合薄膜。
技术介绍
以往，已知在半导体集成电路的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备切割带和层叠于该切割带且粘接于晶圆的芯片接合层。切割带具有基材层以及与芯片接合层接触的粘合层。这种切割芯片接合薄膜在半导体集成电路的制造中例如如下那样地使用。制造半导体集成电路的方法通常具备如下工序：通过高集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序、以及从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。后工序具有例如下述工序：为了将晶圆割断成小芯片(Die)而对晶圆形成槽的切割工序；将晶圆的与电路面相反一侧的面粘贴于芯片接合层而将晶圆固定于切割带的安装工序；将形成有槽的晶圆与芯片接合层一同割断而扩大芯片彼此的间隔的扩展工序；在芯片接合层与粘合剂层之间进行剥离，取出粘贴有芯片接合层的状态的芯片(Die)的拾取工序；将粘贴有芯片接合层的状态的芯片(Die)粘接于被粘物的芯片接合工序。半导体集成电路历经这些...
【技术保护点】
1.一种切割带，其具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，/n通过对所述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且在该吸热峰中，峰开始点与所述顶点的温度差为40℃以下。/n
【技术特征摘要】
20191107 JP 2019-202482;20201023 JP 2020-1780211.一种切割带，其具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，
通过对所述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且在该吸热峰中，峰开始点与所述顶点的温度差为40℃以下。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，每川英利，武田公平，植野大树，中浦宏，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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