切割带和切割芯片接合薄膜制造技术

本发明专利技术涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明专利技术所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，前述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，前述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的前述基材层的弹性模量与前述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm

【技术实现步骤摘要】
切割带和切割芯片接合薄膜相关申请的相互引用本申请要求日本特愿2019-202484号的优先权，通过引用而援引至本申请说明书的记载中。
本专利技术涉及切割带和切割芯片接合薄膜。
技术介绍
以往已知的是，在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用半导体芯片而使用切割带、切割芯片接合薄膜。前述切割带是在基材层上层叠粘合剂层而构成的，前述切割芯片接合薄膜是在前述切割带的粘合剂层上以可剥离的方式层叠芯片接合层而构成的。并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜获得芯片接合用的半导体芯片(Die)的方法，已知采用具有下述工序的方法：通过对半导体晶圆进行切割处理而对要加工成芯片(Die)的半导体晶圆形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，将半导体晶圆固定于切割带的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带，其是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，/n所述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，/n所述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的所述基材层的弹性模量与所述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm

【技术特征摘要】
20191107 JP 2019-2024841.一种切割带，其是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，
所述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，
所述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的所述基材层的弹性模量与所述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。


2.根据权利要求1所述的切割带，其中，针对所述基材层的层叠所述粘合剂层的一侧的表层部，使用纳米压痕仪在25℃下进行测定时的弹性恢复率为75％以下。

【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，每川英利，武田公平，植野大树，中浦宏，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP