【技术实现步骤摘要】
一种主链含苯酯基的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用本申请是申请日为2018年2月5日,申请号为201810112716.9,专利技术名称为“聚酰亚胺薄膜及其制备方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法。
技术介绍
近年来,微电子器件和光电显示器件制造技术都在朝着微型化、超薄型化、高性能化以及多功能化快速发展。传统的微电子器件和光电显示器件都是不可弯曲的硬质结构,为了满足快速增长的市场需求,微电子和光电显示器件的柔性化和轻薄化成为一个新的发展方向。柔性化和轻薄化技术主要是通过在柔性光电基板表面上形成多层金属互连结构实现的,对作为柔性光电基板的基膜材料提出了更高的要求。聚酰亚胺薄膜被认为是综合性能最优的柔性光电基板用基膜材料,要求兼具低热膨胀系数、高模量、高尺寸稳定性、高强韧、低吸湿性等性能。目前商业化聚酰亚胺薄膜的综合性能难于满足柔性光电基板使用要求的问题,经常出现由于聚酰亚胺薄膜的热膨胀系数高、模量低,与金属导体热膨胀系数不匹配,引起金属与薄膜开裂、翘曲、变形等问题。
技术实现思路
鉴于以上内容,有必要提供一种具有低热膨胀性、高模量、高韧性、高玻璃化转变温度以及低吸湿性的聚酰亚胺薄膜的制备方法。本专利技术一方面提供一种聚酰亚胺薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1.将芳香族二胺A、芳香族二胺B、含苯酯基芳香族二酐以及通用芳香族二酐加入极性非质子溶剂中混合反应形成聚酰胺酸树脂溶液;S2.将所述聚酰胺酸树脂溶液与化学亚胺化试剂混合,形成聚酰胺酸/化 ...
【技术保护点】
1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1.将芳香族二胺A、芳香族二胺B、含苯酯基芳香族二酐以及通用芳香族二酐加入极性非质子溶剂中混合反应形成聚酰胺酸树脂溶液;/nS2.将所述聚酰胺酸树脂溶液与化学亚胺化试剂混合,形成聚酰胺酸/化学亚胺化试剂混合溶液;/nS3.将所述聚酰胺酸/化学亚胺化试剂混合溶液过滤、脱泡,并挤出涂覆形成化学亚胺化试剂/聚酰胺酸胶膜;/nS4.将所述化学亚胺化试剂/聚酰胺酸胶膜加热形成聚酰胺酸/聚酰亚胺混合树脂胶膜;/nS5.将所述聚酰胺酸/聚酰亚胺混合树脂胶膜在拉伸作用下依次进行加热和降温处理,得到聚酰亚胺初级薄膜;/nS6.将所述聚酰亚胺初级薄膜进行退火处理,得到聚酰亚胺薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.将芳香族二胺A、芳香族二胺B、含苯酯基芳香族二酐以及通用芳香族二酐加入极性非质子溶剂中混合反应形成聚酰胺酸树脂溶液;
S2.将所述聚酰胺酸树脂溶液与化学亚胺化试剂混合,形成聚酰胺酸/化学亚胺化试剂混合溶液;
S3.将所述聚酰胺酸/化学亚胺化试剂混合溶液过滤、脱泡,并挤出涂覆形成化学亚胺化试剂/聚酰胺酸胶膜;
S4.将所述化学亚胺化试剂/聚酰胺酸胶膜加热形成聚酰胺酸/聚酰亚胺混合树脂胶膜;
S5.将所述聚酰胺酸/聚酰亚胺混合树脂胶膜在拉伸作用下依次进行加热和降温处理,得到聚酰亚胺初级薄膜;
S6.将所述聚酰亚胺初级薄膜进行退火处理,得到聚酰亚胺薄膜。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中:所述芳香族二胺A包括4,4’-二氨基二苯醚(4,4-ODA)、3,4-二氨基二苯醚(3,4-ODA)、4,4’-二氨基二苯甲烷(4,4-MDA)、4,4’-二氨基二苯硫醚(4,4-SDA)和1,3-间苯二胺(m-PDA)中的任意一种或几种化合物;优选所述芳香族二胺B包括1,4-对苯二胺(p-PDA)和4,4’-联苯二胺(4,4-BPA)中的任意一种或两种化合物;优选所述含苯酯基芳香族二酐包括双(偏苯三酸酐)苯酯(TAHQ)、甲基-双(偏苯三酸酐)苯酯(CH3-TAHQ)、甲氧基-双(偏苯三酸酐)(MeO-TAHQ)和苯酯乙基-双(偏苯三酸酐)苯酯(Et-TAHQ)中的任意一种或几种化合物;优选所述通用芳香族二酐包括均四苯甲酸二酐(PMDA)、3,3’,4,4’-联苯四酸二酐(s-BPDA)、3,3’,4,4’-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)中的任意一种或几种化合物。
3.如权利要求1-2任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中:所述芳香族二胺A与芳香族二胺B的摩尔比范围为20:80~80:20;所述含苯脂基芳香族二酐与通用芳香族二酐摩尔比范围为30:70~70:30。
4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述的化学亚胺化试剂由有机酸酐脱水剂、有机碱催化剂及有机溶剂组成...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾彩萍,金鹰,薛驰,
申请(专利权)人:中天电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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