用户程序引导方法及用户程序引导系统技术方案

本发明专利技术提供了一种用户程序引导方法，该方法包括：在ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ中存储用户程序及其自身特征参数，微处理器从ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ中读取所述特征参数，根据读取的特征参数重新配置ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ的访问操作，并通过重新配置的访问操作从ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ中读取用户程序到内部随机存储器中运行。另外，本发明专利技术还提供了一种用户程序引导系统，包括微处理器和ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ。本发明专利技术能够实现微处理器从各种类型ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ的引导，与各种类型的ＮＡＮＤ　　ＦＬＡＳＨ相兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片系统(SoC，System on Chip)技术，尤其涉及用户程序引导方法及用户程序引导系统。
技术介绍
随着信息技术的飞速发展，各种电子产品层出不穷，如MP3、MP4、PMP等。在这些消费类电子产品中，通常都包括一个SoC系统。参见图1所示，SoC系统主要包括诸如微型控制单元(MCU)的微处理器和存储体两部分。所述存储体可以是非易失性存储器NOR FLASH、或NAND FLASH等。其中，微处理器中存储了一些引导代码(boot code)、编解码算法代码等芯片必须具备的代码，主要用于完成芯片的初始化、用户程序的引导及编解码算法等；存储体主要用于存储用户程序和大批量的数据，如MP3数据等。 目前，在SoC系统中使用比较多的是NOR FLASH，MCU可以直接运行NOR FLASH中存储的用户程序。但随着NAND FLASH性能价格比的不断升高，NAND FLASH在消费类电子产品(如MP3、MP4、PMP等)中的使用越来越广泛，大有取代NOR FLASH的趋势。 通常，MCU采取直接寻址的方式从存储器中读取数据，即MCU输出物理地址、存储器输出数据。这种直接寻址的方式显然与NAND FASH使用命令读取数据的方式不一致，这也就造成了MCU不能直接运行NANDFLASH中存储的用户程序，而必须将NAND FLASH中存储的用户程序读取到MCU内部的随机存储器(RAM)中运行，完成MCU从NAND FLASH的引导。 MCU读取NAND FLASH的代码一般是针对特定类型的NAND FLASH而设计的，存储在MCU内部的存储器中，具有不可修改的特性，且先于系统中的NAND FLASH产生。也就是说，MCU只能对与其相匹配的特定类型的NAND FLASH才能实现正确的访问，而无法兼容其它类型的NANDFLASH。 但是，由于在实际应用中NAND FLASH的种类繁多，而不同的NANDFLASH具有不同的访问命令、不同的地址长度、不同的访问周期等特性，因此，对于不同的NAND FLASH，要想实现正确的访问，就必须使用不同的访问方法。 综上所述，现有的用户程序引导方法并不能适应各种类型NANDFLASH的访问需求，而只能完成特定类型NAND FLASH的引导。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种用户程序引导方法及用户程序引导系统，在使用NAND FLASH作为代码存储介质的SoC系统中，实现微处理器从各种类型NAND FLASH的引导。 为达到上述目的，本专利技术提供的用户程序引导方法如下在NAND FLASH中存储用户程序及其自身特征参数，微处理器从NANDFLASH中读取所述特征参数，根据读取的特征参数重新配置NAND FLASH的访问操作，并通过重新配置的访问操作从NAND FLASH中读取用户程序到内部随机存储器中运行。 其中，所述微处理器从NAND FLASH中读取特征参数之前进一步包括设置微处理器访问NAND FLASH的访问周期；所述微处理器从NAND FLASH中读取特征参数包括A、微处理器按照设置的访问周期向NAND FLASH写入读命令，并向NAND FLASH写入特征参数的存储地址；B、微处理器判断NAND FLASH是否准备好特征参数，如果是，则按照设置的访问周期从NAND FLASH中读出所有的特征参数；否则，继续执行本步骤。 所述访问周期大于等于50ns。 所述读命令为命令0；所述微处理器向NAND FLASH写入特征参数的存储地址包括微处理器向NAND FLASH连续写入6个8位的地址0。 所述步骤B之前进一步包括微处理器在预定长度的时间内判断NAND FLASH是否在准备特征参数，如果是，则执行步骤B；否则，按照设置的访问周期向NAND FLASH写入确认命令，再执行步骤B。 所述微处理器判断NAND FLASH是否在准备特征参数包括微处理器判断NAND FLASH的READY引脚是否为低电平；所述微处理器判断NAND FLASH是否准备好特征参数包括微处理器判断NAND FLASH的READY引脚是否为高电平。 所述确认命令为0x30。 所述特征参数存储在NAND FLASH第零块的第零页。 所述特征参数包括列地址宽度、行地址宽度、页面容量、读操作的命令、信号的建立和保持时间、数据缓冲时间和坏块表的物理位置。 所述微处理器为微型控制单元MCU。 另外，本专利技术还提供了一种用户程序引导系统，该系统包括NAND FLASH和微处理器，其中，NAND FLASH，用于存储用户程序及其自身特征参数；微处理器，用于从NAND FLASH中读取所述特征参数，根据读取的特征参数重新配置NAND FLASH的访问操作，并通过重新配置的访问操作从NANDFLASH中读取用户程序到内部随机存储器中运行。 所述特征参数存储在NAND FLASH第零块的第零页。 所述微处理器为微型控制单元MCU。 由此可见，本专利技术通过NAND FLASH存储其自身的特征参数，在引导过程中，微处理器从NAND FLASH中读取该特征参数，根据读取的特征参数重新配置NAND FLASH的访问操作，而不是事先将NAND FLASH的访问操作配置好固化在微处理器中。这样，微处理器就可以针对不同类型的NAND FLASH执行不同的访问操作，完成各种类型NAND FLASH的正确访问，实现从各种类型NAND FLASH的引导，能够与任一类型的NANDFLASH相兼容。附图说明图1为现有技术中的SoC系统结构示意图。 图2为本专利技术中的用户程序引导系统结构示意图。 图3为本专利技术实施例中的用户程序引导方法流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面参照附图并举实施例，对本专利技术作进一步详细说明。 本专利技术提供的用户程序引导方法的基本思想是在NAND FLASH中存储用户程序及其自身特征参数，微处理器从NAND FLASH中读取所述特征参数，根据读取的特征参数重新配置NAND FLASH的访问操作，并通过重新配置的访问操作从NAND FLASH中读取用户程序到内部随机存储器RAM中运行。 由于在初始状态下，微处理器并不知道当前NAND FLASH的类型，因此需要根据不同类型的NAND FLASH所具有的统一特性，确定一个最基本的NAND FLASH模型。比如，微处理器默认当前NAND FLASH具有6个字节的地址宽度、支持读命令(一般的都为0)、具有8位宽的数据接口宽度、具有慢的访问速度等。或者该模型亦可支持确认命令(一般的为0x30)。通过该基本模型，微处理器可以成功地读取NAND FLASH的特征参数，然后使用这些特征参数建立当前NAND FLASH的模型，得到与当前NANDFLASH相适应的特征参数，也就是说，根据这些特征参数重新配置NANDFLASH的访问操作。 对应本专利技术提供的用户程序引导方法，本专利技术还提供了一种用户程序引导系统，参见图2所示，该系统包括NAND FLASH和微处理器。其中，NANDFLASH，用于存储用户程序及其自身特征参数；微处理器，用于从NAND FLASH中读取所述特征参数，根据读取的特征本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用户程序引导方法，其特征在于，该方法包括：在ＮＡＮＤＦＬＡＳＨ中存储用户程序及其自身特征参数，微处理器从ＮＡＮＤＦＬＡＳＨ中读取所述特征参数，根据读取的特征参数重新配置ＮＡＮＤＦＬＡＳＨ的访问操作，并通过重新配置的访 问操作从ＮＡＮＤＦＬＡＳＨ中读取用户程序到内部随机存储器中运行。

【技术特征摘要】
1.一种用户程序引导方法，其特征在于，该方法包括在NAND FLASH中存储用户程序及其自身特征参数，微处理器从NANDFLASH中读取所述特征参数，根据读取的特征参数重新配置NAND FLASH的访问操作，并通过重新配置的访问操作从NAND FLASH中读取用户程序到内部随机存储器中运行。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微处理器从NANDFLASH中读取特征参数之前进一步包括设置微处理器访问NAND FLASH的访问周期；所述微处理器从NAND FLASH中读取特征参数包括A、微处理器按照设置的访问周期向NAND FLASH写入读命令，并向NAND FLASH写入特征参数的存储地址；B、微处理器判断NAND FLASH是否准备好特征参数，如果是，则按照设置的访问周期从NAND FLASH中读出所有的特征参数；否则，继续执行本步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述访问周期大于等于50ns。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述读命令为命令0；所述微处理器向NAND FLASH写入特征参数的存储地址包括微处理器向NAND FLASH连续写入6个8位的地址0。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤B之前进一步包括微处理器在预定长度的时间内判断NAND FLASH是否在准备特征参数，如果是，则执行步骤B；否则，按照设置的访问周期向NAND FLASH写入确认命令，再...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓乃利，
申请(专利权)人：北京中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]