一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置及边耦合腔测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置，包括：网络分析仪、测量部和电缆。其中，所述测量部包括主体和同轴线；所述主体为形成有凹槽的铜管；所述同轴线的一端设有磁耦合环；所述同轴线位于所述主体中，且所述磁耦合环位于所述凹槽中；所述同轴线的另一端设有同轴射频接头；所述同轴射频接头通过所述电缆与所述网络分析仪连接。本发明专利技术的技术方案通过主体上的凹槽以及位于凹槽中的磁耦合环，既可以实现将待测边耦合腔两侧的加速腔完全短路，又可以为微波信号的激励和接收装置留出了空间，从而可以准确地获取边耦合腔的测试结果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置及边耦合腔测量方法
本专利技术涉及加速器
，具体涉及一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置及边耦合腔测量方法。
技术介绍
耦合腔加速结构是一种质子直线加速器，用于将质子束从几十MeV加速到几百MeV的能量。耦合腔加速结构一般包括多个加速腔、边耦合腔、桥式耦合器和端耦合腔。在耦合腔加速结构中，相邻两个加速腔之间通过一个边耦合腔连通。为了使得微波能够通过边耦合腔的传递进入到每个加速腔中并在各加速腔中建立设计的加速电场，加速腔和边耦合腔的腔体频率等参数需要符合设计要求，因此，在耦合腔加速结构使用前，需要对耦合腔加速结构中各腔体的频率等参数进行准确测试，并依据测试结果对腔体进行调谐，从而使各腔体满足设计要求。相关技术中针对耦合腔加速结构中腔体的测试和调谐，主要是通过活塞探针法。然而，活塞探针法主要适用于各个腔体处在同一轴线上情况。对于耦合腔加速结构中的边耦合腔，由于边耦合腔和加速腔未处于同一轴线，因此，相关技术中的活塞探针法难以得到边耦合腔的准确测试结果。>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置，其特征在于，包括：/n网络分析仪(210)；/n测量部(230)；和/n电缆(250)；/n其中，所述测量部(230)包括主体(232)和同轴线(236)；所述主体(232)为形成有凹槽(238)的铜管；所述同轴线(236)的一端设有磁耦合环(237)；所述同轴线(236)位于所述主体(232)中，且所述磁耦合环(237)位于所述凹槽(238)中；所述同轴线(236)的另一端设有同轴射频接头；所述同轴射频接头通过所述电缆(250)与所述网络分析仪(210)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于耦合腔加速结构的边耦合腔测量装置，其特征在于，包括：
网络分析仪(210)；
测量部(230)；和
电缆(250)；
其中，所述测量部(230)包括主体(232)和同轴线(236)；所述主体(232)为形成有凹槽(238)的铜管；所述同轴线(236)的一端设有磁耦合环(237)；所述同轴线(236)位于所述主体(232)中，且所述磁耦合环(237)位于所述凹槽(238)中；所述同轴线(236)的另一端设有同轴射频接头；所述同轴射频接头通过所述电缆(250)与所述网络分析仪(210)连接。


2.根据权利要求1所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述测量部(230)还包括介质(234)；所述介质(234)位于所述主体(232)中；所述同轴线(236)固定于所述介质(234)中。


3.根据权利要求2所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述介质(234)采用聚四氟乙烯。


4.根据权利要求2所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述主体(232)包括第一延伸部(2320)、第二延伸部(2322)和第三延伸部(2324)；所述第三延伸部(2324)位于所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)之间并将所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)连接；所述凹槽(238)位于所述第一延伸部(2320)和所述第二延伸部(2322)之间对应于所述第三延伸部(2324)。


5.根据权利要求4所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述第一延伸部(2320)包括与所述第二延伸部(2322)相邻的第一轴向端面(23201)；所述第二延伸部(2322)包括与所述第一延伸部(2320)相邻的第二轴向端面(23220)；所述凹槽(238)位于所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)之间。


6.根据权利要求5所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述第三延伸部(2324)包括弧面(23240)和与所述弧面(23240)连接的顶平面(23242)；
所述弧面(23240)与所述第一延伸部(2320)的外表面和所述第二延伸部(2322)的外表面位于相同的圆周面上；所述顶平面(23242)位于所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)之间，并分别与所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)连接；
所述凹槽(238)由所述顶平面(23242)、所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)所围成。


7.根据权利要求6所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述顶平面(23242)垂直于所述第一轴向端面(23201)和所述第二轴向端面(23220)。


8.根据权利要求6所述的边耦合腔测量装置，其特征在于：所述第三延伸部(2324)还包括自所述顶平面(23242)向所述第三延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨誉，杨京鹤，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11