一种自对准像素定义层结构及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准像素定义层结构及其加工方法，具有：衬底；阳极，衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；像素定义层通过干刻成型，不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种自对准像素定义层结构及其加工方法
本专利技术属于微显示屏
，尤其涉及一种自对准像素定义层结构及其加工方法。
技术介绍
在显示中，像素定义层(PDL)被用来定义像素区域，隔离像素，防止光学串扰和电学串扰。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：一般使用光刻加刻蚀的工艺，为了避免光刻对位偏差导致的偏位，PDL和阳极有一定的重叠(overlap)，重叠区域大小大于对位精度至少0.2-0.3um左右。对于微显示，因为阳极像素面积很小，overlap占用一部分发光区域，会导致开口面积损失约30％，导致发光效率降低，亮度降低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低的自对准像素定义层结构及其加工方法。为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种自对准像素定义层结构，具有：衬底；阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；>像素定义层，填充相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自对准像素定义层结构，其特征在于，具有：/n衬底；/n阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；/n像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；所述像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；所述像素定义层通过干刻成型。/n

【技术特征摘要】
1.一种自对准像素定义层结构，其特征在于，具有：
衬底；
阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；
像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；所述像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；所述像素定义层通过干刻成型。


2.如权利要求1所述的自对准像素定义层结构，其特征在于，所述像素定义层材质包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。


3.一种如权利要求1-2所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在衬底上制备阳极；
2)在衬底和阳极上沉积像素定义层；
3)干刻像素定义层，干刻过程中，阳极侧壁的像素定义层会保留下来；
4)干刻减薄阳极，形成沉积像素定义层凹槽，最终形成像素定义层定义的阳极结构。


4.如权利要求3所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，上述第1)步包括阳极沉积、光刻、刻蚀、剥离，包括如下步骤：
a)PVD依次沉积ITO-底层、Al、ITO-顶层，厚度分别为100-500A、500-2000A、500-5000A，其中ITO沉积参数为：ITO靶材，压力10-1000mT，功率500-5000W，Ar气体流量10-100sccm，温度20-50℃，时间20-200s；Al沉积参数：Al靶材，压力10-500mT，功率500-2000W，Ar气体流量10-100sccm，室温，时间20-200s；
b)光刻机阳极光刻，涂胶：1-5um光刻胶，曝光：100-1000mj能量，显影：显影液显影60-300s；
c)干刻机刻蚀阳极，干刻参数：压力10-100mT，功率100-2000W，Ar流量10-100sccm，HBr流量10-100sccm，Cl2流量10-100...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕迅，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34