一种显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示基板包括：多个子像素，每个子像素包括发光区域和非发光区域，每个子像素中设置有驱动电路；驱动电路包括：存储电容和多个晶体管；对于每个子像素，多个晶体管位于非发光区域，存储电容为透明电容，且存储电容在基底上的正投影与发光区域存在重叠区域，存储电容的第一电极与多个晶体管的有源层同层设置，且与多个晶体管的源漏电极异层设置，存储电容的第二电极位于第一电极靠近基底的一侧；驱动晶体管的第一极通过驱动晶体管的有源层与第二电极连接，感测晶体管的第一极通过感测晶体管的有源层与第二电极连接。本申请能够减小每个子像素所占用的面积，实现显示基板的高PPI。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、显示装置
本文涉及显示
，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDevice，简称OLED)显示是一种与传统的液晶显示(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)不同的显示技术，具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，已经成为新一代显示装置的重要发现之一，并且受到越来越多的关注。OLED显示基板按照出光方向可以分为三种：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。其中，底发射OLED指的是OLED器件中的光线朝基底方向射出。经专利技术人研究发现，在相关技术中，底发射OLED显示基板中受到像素开口区域的限制，使得每个子像素所占用的面积较大，进而导致底发射OLED显示基板中的单位面积像素数量(PixelsPerInch，简称PPI)较低，无法实现高PPI。
技术实现思路
本申请提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够减小每个子像素所占用的面积，进而能够实现显示基板的高PPI。本申请提供了一种显示基板，包括：基底以及设置在所述基底上的多个子像素，每个子像素包括发光区域和非发光区域，每个子像素中设置有驱动电路；所述驱动电路包括：存储电容和多个晶体管；所述多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；对于每个子像素，所述多个晶体管位于非发光区域，所述存储电容为透明电容，且存储电容在基底上的正投影与发光区域存在重叠区域，所述存储电容的第一电极与所述多个晶体管的有源层同层设置，且与所述多个晶体管的源漏电极异层设置，所述存储电容的第二电极位于所述第一电极靠近基底的一侧；所述驱动晶体管的第一极通过驱动晶体管的有源层与第二电极连接，所述感测晶体管的第一极通过感测晶体管的有源层与第二电极连接。可选地，对于每个子像素，每个晶体管的有源层包括：沟道区域、第一导电区域和第二导电区域；所述第一导电区域和所述第二导电区域分别设置在所述沟道区域的两侧，所述晶体管的第二极与第一导电区域连接，所述晶体管的第一极与第二导电区域连接；所述驱动晶体管的第二导电区域与第二电极连接；所述感测晶体管的第二导电区域与第二电极连接。可选地，所述显示基板还包括：设置在晶体管的有源层靠近基底的一侧的缓冲层，所述缓冲层包括暴露出第二电极的第一过孔和第二过孔；所述驱动晶体管的第二导电区域通过所述第一过孔与所述第二电极连接，所述感测晶体管的第二导电区域通过所述第二过孔与所述第二电极连接。可选地，所述驱动晶体管还包括：设置在所述缓冲层靠近基底一侧的遮光层；所述第二电极设置在所述缓冲层靠近基底的一侧，所述第二电极在所述基底上的正投影覆盖所述遮光层在所述基底上的正投影，所述遮光层靠近所述第二电极的表面与所述第二电极完全接触；所述遮光层设置在所述第二电极靠近基底的一侧，或者，所述第二电极设置在所述遮光层靠近所述基底的一侧。可选地，所述显示基板还包括：设置在基底上的多行栅线和多列数据线；每个子像素由栅线和数据线交叉限定，子像素分别与栅线和数据线一一对应，所述栅线包括：第一栅线和第二栅线，所述第一栅线和所述第二栅线与所述晶体管的栅电极同层设置，所述数据线与所述晶体管的源漏电极同层设置。可选地，对于每个子像素，所述第一电极分别与所述开关晶体管的第一极和所述驱动晶体管的栅电极连接；所述开关晶体管的栅电极与子像素对应的栅线中的第一栅线连接；所述开关晶体管的第二极与子像素对应的数据线连接，所述感测晶体管的栅电极与子像素对应的栅线中的第二栅线连接。可选地，对于每个子像素，所述非发光区域包括：第一非发光区域和第二非发光区域，所述第一非发光区域和所述第二非发光区域位于所述发光区域的两侧，且沿数据线延伸方向设置；所述感测晶体管和所述第二栅线均位于所述第一非发光区域，所述开关晶体管、所述驱动晶体管和所述第一栅线均位于所述第二非发光区域。可选地，所述显示基板还包括：与数据线同层设置的电源线和感测线，每个像素包括：沿栅线延伸方向设置的四个子像素，每个像素对应两列电源线和一列感测线；对于每个像素，像素对应的感测线位于所述第二子像素和所述第三子像素之间，像素对应的一列电源线位于所述第一子像素远离所述第二子像素的一侧，像素对应的另一列电源线位于所述第四子像素远离所述第三子像素的一侧；所述第一子像素对应的数据线位于所述第一子像素靠近所述第二子像素的一侧；所述第二子像素对应的数据线位于所述第二子像素靠近所述第一子像素的一侧；所述第三子像素对应的数据线位于所述第三子像素靠近所述第四子像素的一侧，所述第四子像素对应的数据线位于所述第四子像素靠近所述第三子像素的一侧；所述显示基板还包括：与晶体管的栅电极同层设置的电源连接线以及与遮光层同层设置的感测连接线，每个像素对应两个沿栅线延伸方向设置的电源连接线和两个沿栅线延伸方向设置的感测连接线；电源连接线分别与电源线对应；所述电源连接线与对应的电源线连接；两个感测连接线与感测线连接；所述第二子像素的驱动晶体管的第二极与一个电源连接线连接；所述第三子像素的驱动晶体管的第二极与另一电源连接线连接；所述第一子像素的感测晶体管的第二极通过感测晶体管的有源层与一个感测连接线连接；所述第四子像素的感测晶体管的第二极通过感测晶体管的有源层与另一感测连接线连接。可选地，对于每个子像素，所述缓冲层还设置有第三过孔，所述第三过孔暴露出感测连接线；所述感测晶体管的第一导电区域通过第三过孔与感测连接线连接。可选地，所述显示基板还包括：设置在晶体管的栅电极和晶体管的有源层之间的栅绝缘层以及设置在晶体管的源漏电极和晶体管的有源层之间的层间绝缘层；其中，所述栅绝缘层在基底上的正投影与所述晶体管的栅电极在基底上的正投影重合。可选地，所述层间绝缘层设置有过孔，所述过孔位于所述第二非发光区域，所述过孔同时暴露出所述驱动晶体管的栅电极和第一电极；所述开关晶体管的第一极通过所述过孔与所述驱动晶体管的栅电极和第一电极连接。可选地，所述第一电极的制作材料与导电区域的制作材料相同，所述导电区域包括第一导电区域或者第二导电区域；所述第一电极的制作材料包括：透明金属氧化物，所述第二电极的制作材料为透明导电材料。可选地，所述每个子像素中还设置有发光元件和与子像素颜色相同的滤光片；所述发光元件包括：依次设置的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极与感测晶体管的第一极连接，所述阳极为透射电极，所述阴极为反射电极；所述发光元件在基底上的正投影与发光区域存在重叠区域，所述滤光片位于发光区域，且设置在所述发光元件靠近基底的一侧，所述阳极在所述基底上的正投影覆盖所述滤光片在所述基底上的正投影。可选地，所述显示基板还包括设置在晶体管的源漏电极远离基底一侧的钝化层和平坦层；所述钝化层设置在滤光片靠近基底的一侧，所述平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底上的多个子像素，每个子像素包括发光区域和非发光区域，每个子像素中设置有驱动电路；所述驱动电路包括：存储电容和多个晶体管；所述多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；/n对于每个子像素，所述多个晶体管位于非发光区域，所述存储电容为透明电容，且存储电容在基底上的正投影与发光区域存在重叠区域，所述存储电容的第一电极与所述多个晶体管的有源层同层设置，且与所述多个晶体管的源漏电极异层设置，所述存储电容的第二电极位于所述第一电极靠近基底的一侧；/n所述驱动晶体管的第一极通过驱动晶体管的有源层与第二电极连接，所述感测晶体管的第一极通过感测晶体管的有源层与第二电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底上的多个子像素，每个子像素包括发光区域和非发光区域，每个子像素中设置有驱动电路；所述驱动电路包括：存储电容和多个晶体管；所述多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；
对于每个子像素，所述多个晶体管位于非发光区域，所述存储电容为透明电容，且存储电容在基底上的正投影与发光区域存在重叠区域，所述存储电容的第一电极与所述多个晶体管的有源层同层设置，且与所述多个晶体管的源漏电极异层设置，所述存储电容的第二电极位于所述第一电极靠近基底的一侧；
所述驱动晶体管的第一极通过驱动晶体管的有源层与第二电极连接，所述感测晶体管的第一极通过感测晶体管的有源层与第二电极连接。


2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，对于每个子像素，每个晶体管的有源层包括：沟道区域、第一导电区域和第二导电区域；
所述第一导电区域和所述第二导电区域分别设置在所述沟道区域的两侧，所述晶体管的第二极与第一导电区域连接，所述晶体管的第一极与第二导电区域连接；
所述驱动晶体管的第二导电区域与第二电极连接；所述感测晶体管的第二导电区域与第二电极连接。


3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在晶体管的有源层靠近基底的一侧的缓冲层，所述缓冲层包括暴露出第二电极的第一过孔和第二过孔；
所述驱动晶体管的第二导电区域通过所述第一过孔与所述第二电极连接，所述感测晶体管的第二导电区域通过所述第二过孔与所述第二电极连接。


4.根据权利要求2或3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管还包括：设置在所述缓冲层靠近基底一侧的遮光层；
所述第二电极设置在所述缓冲层靠近基底的一侧，所述第二电极在所述基底上的正投影覆盖所述遮光层在所述基底上的正投影，所述遮光层靠近所述第二电极的表面与所述第二电极完全接触；
所述遮光层设置在所述第二电极靠近基底的一侧，或者，所述第二电极设置在所述遮光层靠近所述基底的一侧。


5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在基底上的多行栅线和多列数据线；每个子像素由栅线和数据线交叉限定，子像素分别与栅线和数据线一一对应，所述栅线包括：第一栅线和第二栅线，
所述第一栅线和所述第二栅线与所述晶体管的栅电极同层设置，所述数据线与所述晶体管的源漏电极同层设置。


6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，对于每个子像素，所述第一电极分别与所述开关晶体管的第一极和所述驱动晶体管的栅电极连接；
所述开关晶体管的栅电极与子像素对应的栅线中的第一栅线连接；所述开关晶体管的第二极与子像素对应的数据线连接，所述感测晶体管的栅电极与子像素对应的栅线中的第二栅线连接。


7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，对于每个子像素，所述非发光区域包括：第一非发光区域和第二非发光区域，所述第一非发光区域和所述第二非发光区域位于所述发光区域的两侧，且沿数据线延伸方向设置；
所述感测晶体管和所述第二栅线均位于所述第一非发光区域，所述开关晶体管、所述驱动晶体管和所述第一栅线均位于所述第二非发光区域。


8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：与数据线同层设置的电源线和感测线，每个像素包括：沿栅线延伸方向设置的四个子像素，每个像素对应两列电源线和一列感测线；
对于每个像素，像素对应的感测线位于所述第二子像素和所述第三子像素之间，像素对应的一列电源线位于所述第一子像素远离所述第二子像素的一侧，像素对应的另一列电源线位于所述第四子像素远离所述第三子像素的一侧；
所述第一子像素对应的数据线位于所述第一子像素靠近所述第二子像素的一侧；所述第二子像素对应的数据线位于所述第二子像素靠近所述第一子像素的一侧；所述第三子像素对应的数据线位于所述第三子像素靠近所述第四子像素的一侧，所述第四子像素对应的数据线位于所述第四子像素靠近所述第三子像素的一侧；
所述显示基板还包括：与晶体管的栅电极同层设置的电源连接线以及与遮光层同层设置的感测连接线，每个像素对应两个沿栅线延伸方向设置的电源连接线和两个沿栅线延伸方向设置的感测连接线；电源连接线分别与电源线对应；所述电源连接线与对应的电源线连接；两个感测连接线与感测线连接；
所述第二子像素的驱动晶体管的第二极与一个电源连接线连接；
所述第三子像素的驱动晶体管的第二极与另一电源连接线连接；
所述第一子像素的感测晶体管的第二极通过感测晶体管的有源层与一个感测连接线连接；
所述第四子像素的感测晶体管的第二极通过感测晶体管的有源层与另一感测连接线连接。


9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层还设置有第三过孔，所述第三过孔暴露出感测连接线；
所述感测晶体管的第一导电区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐攀，李永谦，王国英，张大成，许晨，刘烺，张星，王玲，林奕呈，韩影，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11