一种显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

一种显示基板及其制作方法、显示装置，其中，显示基板包括：基底以及设置在基底上的栅线、数据线、电源连接线以及多个子像素，显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；不良栅线和不良电源连接线断开设置，显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。本申请提供的技术方案通过断开不良栅线和不良电源连接线，并设置修复线对不良点进行了修复，进而保证了显示基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、显示装置
本文涉及显示
，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示基板具有超薄、大视角、主动发光、高亮度、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据驱动方式的不同，OLED可分为无源矩阵驱动(PassiveMatrix，PM)型和有源矩阵驱动(ActiveMatrix，AM)型两种，其中AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。OLED显示基板的显示区域包括：横纵交错的栅线和数据线，一般在采用显示区域中的栅电极层同层制作栅线，采用显示区域中的源漏金属层同层制作数据线，使得在显示区域存在较大面积的栅线和数据线交叠区。经专利技术人研究发现，由于栅电极层和源漏金属层之间相距较近，从而使得形成在显示区域的栅线与数据线之间的距离较近本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括：驱动电路；所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，所述显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成所述不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管，所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接；/n对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；...

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括：驱动电路；所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，所述显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成所述不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管，所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接；
对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；所述不良栅线分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接；其中，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；
所述不良栅线和所述不良电源连接线断开设置，对于第一修复子像素和第二修复子像素，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，所述修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。


2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述不良栅线包括：沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部，其中，所述第二扫描部位于所述第一扫描部和所述第三扫描部之间；
所述第二扫描部在基底上的正投影与所述不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域，所述第一扫描部与位于所述不良数据线靠近所述第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；所述第三扫描部分别与位于不良数据线靠近所述第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；
所述修复线分别与第一扫描部和第三扫描部连接。


3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述不良电源连接线包括沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部；其中，所述第二连接部位于所述第一连接部和所述第三连接部之间；
所述第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域，所述第二连接部与修复线连接。


4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述修复线包括：第一修复部和第二修复部；
其中，所述第一修复部分别与第一扫描部和第二连接部连接；所述第二修复部分别与第三扫描部和第二连接部连接；
所述第一修复部和所述第二修复部的制作材料包括：钨。


5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一修复子像素和所述第二修复子像素均包括：第一凹槽和第二凹槽；
其中，所述第一凹槽贯穿所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层，且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；
所述第二凹槽贯穿所述第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极，且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述电源连接线在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间。


6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一修复子像素和第二修复子像素均还包括：第一过孔和第二过孔；
其中，第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部，第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部，所述第二过孔用于暴露第二连接部。


7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第一过孔与第一扫描部连接，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第一过孔与第三扫描部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接。


8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述存储电容为透明电容，所述存储电容的第一电极与多个晶体管的有源层同层设置，所述存储电容的第二电极设置在多个晶体管的源漏电极远离基底的一侧；
所述第二电极的制作材料为透明导电材料，所述第一电极的制作材料与多个晶体管的有源层的制作材料相同。


9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个子像素包括：设置有存储电容的存储电容区和设置有多个晶体管的非存储电容区；
所述非存储电容区包括：第一非存储电容区和第二非存储电容区；所述第一非存储电容区和第二非存储电容区分别位于存储电容区的两侧，所述开关晶体管和所述驱动晶体管位于第一非存储电容区，所述感测晶体管位于第二非存储电容区。


10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，对于第i行的每个子像素，所述开关晶体管的栅电极与第i行栅线连接，所述感测晶体管的栅电极与第i+1行栅线连接，第i行栅线和第i+1行栅线分别位于第i行子像素的存储电容区的两侧。


11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：与多个晶体管的源漏电极同层设置的电源线、感测线和数据线，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与通过电源连接线与电源线连接，感测晶体管的第一极与感测线连接；
每个像素包括：四个子像素，每个像素分别与四列数据线、一列电源线和两个感测线连接，每个子像素对应一列数据线，每个像素对应一列电源线和两列感测线；
所述四个子像素沿栅线延伸方向依次设置，每个像素对应的电源线设置在第二子像素和第三子像素之间，第一列感测线设置在第一子像素远离第二子像素的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁粲，李永谦，袁志东，
申请(专利权)人：合肥京东方卓印科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34