【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】窄吸收聚合物纳米粒子及相关方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年9月18日提交的美国专利申请62/733,009的权益，其全部公开内容全文据此以引用方式并入。政府许可权声明本专利技术是在美国政府的支持下，由美国国立卫生研究院(NIH)授予的，授权号为R01MH115767。美国政府享有本专利技术的某些权利。
技术介绍
荧光成像是一种无创、实时、高分辨率和无放射性的方式，用于基础研究和临床应用的可视化系统。聚合物纳米粒子是一类感兴趣的光子发射探针。然而，大多数聚合物纳米粒子具有宽的吸收带。另外，大多数聚合物纳米粒子需要在量子产率和吸收截面之间进行权衡，这可能会降低整体亮度。聚合物点在其凝聚态下可能具有荧光自猝灭，低吸收截面限制了亮度的提高。
技术实现思路
提供该概述是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。该概述不旨在标识所要求保护的主题的关键特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。本公开提供了具有窄带吸收的聚合物纳米粒子、制备具有窄带吸收的聚合物纳米粒子的方法以及使用具有窄带吸收的聚合物纳米粒子的方法。在一个方面，本公开的特征在于包括聚合物的纳米粒子，该聚合物包括吸收性单体单元和发射性单体单元；其中该纳米粒子在吸光度最大值的10％(或在一些实施方案中，在15％)处的吸收宽度小于150nm。纳米粒子可进一步包括与吸收性单体单元和发射性单体单元不同的一种或多种单体单元(与吸收性单体单元和发射性单体单元不同的第三或另外的单体单元)。在一些方面...
【技术保护点】
1.要求保护排他性属性或特权的本公开的实施方案定义如下：
/n一种包括聚合物的纳米粒子，所述聚合物包括：/n吸收性单体单元；和/n发射性单体单元；/n其中所述纳米粒子在吸光度最大值的10％处的吸收宽度小于150nm。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180918 US 62/733,0091.要求保护排他性属性或特权的本公开的实施方案定义如下：
一种包括聚合物的纳米粒子，所述聚合物包括：
吸收性单体单元；和
发射性单体单元；
其中所述纳米粒子在吸光度最大值的10％处的吸收宽度小于150nm。
2.一种包括聚合物的纳米粒子，所述聚合物包括：
吸收性单体单元，所述吸收性单体单元包括BODIPY、BODIPY衍生物、diBODIPY、diBODIPY衍生物、Atto染料、若丹明、若丹明衍生物、香豆素、香豆素衍生物、花青、花青衍生物、芘、芘衍生物、方酸、方酸衍生物或它们的任何组合；和
发射性单体单元。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的纳米粒子，其中所述聚合物进一步包括与所述吸收性单体单元和所述发射性单体单元不同的一种或多种单体单元。
4.一种包括聚合物的纳米粒子，所述聚合物包括：
第一吸收性单体单元；
发射性单体单元；和
不同于所述吸收性单体单元和所述发射性单体单元的一种或多种单体单元；
其中所述纳米粒子在吸光度最大值的15％处的吸收宽度小于150nm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米粒子，其中所述吸收性单体单元包括BODIPY、BODIPY衍生物、diBODIPY、diBODIPY衍生物、Atto染料、若丹明、若丹明衍生物、香豆素、香豆素衍生物、花青、花青衍生物、芘、芘衍生物、方酸、方酸衍生物或它们的任何组合。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的纳米粒子，其中所述聚合物包括与所述吸收性单体单元和所述发射性单体单元不同的2种单体单元。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的纳米粒子，其中与所述吸收性单体单元和所述发射性单体单元不同的所述一种或多种单体单元包括通用单体单元、官能单体单元、能量转移单体单元、第二吸收单体单元或它们的任何组合。
8.根据权利要求7所述的纳米粒子，其中所述官能单体单元包括亲水单体单元。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米粒子，其中所述聚合物包括第一吸收性单体单元、发射性单体单元和能量转移单元。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的纳米粒子，其中所述聚合物包括第一吸收性单体单元、发射性单体单元、能量转移单元和官能单体单元。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米粒子，其中所述聚合物包括第一吸收性单体单元、发射性单体单元和官能单体单元。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的纳米粒子，其中所述聚合物进一步包括另外的第二吸收性单体单元。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子包括具有比450nm更长的波长的吸收峰。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子具有FWHM为80nm或更小的吸收光谱。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的纳米粒子，其中所述聚合物包括：包括所述吸收性单体单元的主链、包括所述吸收性单体单元的侧链、包括所述吸收性单体单元的末端或它们的任何组合。
16.一种纳米粒子，包括：
第一聚合物，所述第一聚合物包括吸收性单体单元；和
第二聚合物，所述第二聚合物包括发射性单体单元，
其中所述纳米粒子在吸光度最大值的15％处的吸收宽度小于150nm。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的纳米粒子，其中所述吸收性单体单元包括BODIPY、BODIPY衍生物或它们的任何组合。
18.一种纳米粒子，包括：
第一聚合物，所述第一聚合物包括吸收性单体单元，所述吸收性单体单元包括BODIPY、BODIPY衍生物、diBODIPY、diBODIPY衍生物、Atto染料、若丹明、若丹明衍生物、香豆素、香豆素衍生物、花青、花青衍生物、芘、芘衍生物、方酸、方酸衍生物或它们的任何组合；和
第二聚合物，所述第二聚合物包括发射性单体单元。
19.根据权利要求18所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子在吸光度最大值的10％处的吸收宽度小于150nm。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的纳米粒子，其中所述第一聚合物和所述第二聚合物是相同的聚合物。
21.根据权利要求16至20中任一项所述的纳米粒子，其中所述第一聚合物具有包括所述吸收性单体单元的主链，具有包括所述吸收性单体单元的侧链，具有包括所述吸收性单体单元的末端，或它们的任何组合。
22.根据权利要求16至21中任一项所述的纳米粒子，其中所述第一聚合物是半导体聚合物，所述第二聚合物是半导体聚合物，或者所述第一聚合物和所述第二聚合物都是半导体聚合物。
23.根据权利要求16至22中任一项所述的纳米粒子，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物的质量比大于1∶1。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的纳米粒子，进一步包括基体聚合物。
25.根据权利要求24所述的纳米粒子，其中所述基体聚合物是非半导体聚合物。
26.根据权利要求24所述的纳米粒子，其中所述基体聚合物是半导体聚合物。
27.根据权利要求1至26中任一项所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子的直径小于1000nm，如通过动态光散射测量的。
28.根据权利要求1至27中任一项所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子的量子产率大于5％。
29.根据权利要求1至28中任一项所述的纳米粒子，其中所述吸收性单...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·T·邱，陈磊，于江波，
申请(专利权)人：华盛顿大学，
类型：发明
国别省市：美国;US
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