磁控管溅射装置用磁铁单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在基板上形成规定的薄膜时，可在其整个面上得到更为均匀的薄膜厚度分布的磁控管溅射装置用磁铁单元。以靶(3)受溅射的溅射面侧为下，配置在靶上方的磁控管溅射装置用磁铁单元(4)具有：磁轭(41)，其与靶相对配置，由磁性材料制成；以及多个磁铁(42)，其设置在磁轭的下表面上；在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线两端相连状闭合，所述磁铁单元绕靶中心被旋转驱动，在磁轭的规定位置上形成有凹槽(41a)，其在以靶中心为中心的虚拟圆周上沿周向延伸，且从磁轭的上表面向下方凹陷或贯通，设置可相对于该凹槽自由嵌合脱离的辅助磁轭(44)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁控管溅射装置用磁铁单元
本专利技术涉及一种磁控管溅射装置用磁铁单元。
技术介绍
例如，在半导体器件的制造工序中，为了在半导体晶片等待处理基板的表面上批量生产性良好地形成规定的薄膜，有时会使用磁控管溅射装置。在磁控管溅射装置中，以靶受溅射的面作为溅射面，以靶的溅射面侧为下，磁铁单元配置在靶的上方。作为磁铁单元，为了大致均匀地侵蚀靶实现高使用寿命化等，通常已知的装置例如会具有：磁轭，其与靶相对配置，由磁性材料制成；以及多个磁铁，其设置在该磁轭的下表面上；所述装置在位于靶中心和其周缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线两端相连状闭合，所述装置绕靶中心被旋转驱动。而且，当靶的材料、真空室内的压力等溅射条件不同时，溅射粒子的飞散分布会改变，这导致例如有时基板外周部的周方向的薄膜厚度分布会改变。像这样在周方向的薄膜厚度分布改变了时对其进行调整的方法例如在专利文献1中已知。在该方法中，将相对于靶使磁场局部作用的区域从起点开始在同一轨道上移动到返回该起点为止设置为一个周期，将一个周期中磁铁单元的轨道划分为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控管溅射装置用磁铁单元，以靶受溅射的面作为溅射面，以靶的溅射面侧为下，所述磁铁单元配置在靶上方；所述磁铁单元的特征在于：/n具有：磁轭，其与靶相对配置，由磁性材料制成；以及多个磁铁，其设置在该磁轭的下表面上；在位于靶中心和其周缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线两端相连状闭合，所述磁铁单元绕靶中心被旋转驱动；/n在磁轭的规定位置上形成有凹槽，其在虚拟圆周上沿周向延伸，且从磁轭的上表面向下方凹陷或贯通，设置可相对于该凹槽自由嵌合脱离的辅助磁轭。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180927 JP 2018-1819101.一种磁控管溅射装置用磁铁单元，以靶受溅射的面作为溅射面，以靶的溅射面侧为下，所述磁铁单元配置在靶上方；所述磁铁单元的特征在于：
具有：磁轭，其与靶相对配置，由磁性材料制成；以及多个磁铁，其设置在该磁轭的下表面上；在位于靶中心和其周缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线两端相连状闭合，所述磁铁单元绕靶中心被旋转驱动；
在磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井佳词，中村真也，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP