存储器设备、存储器系统以及自主驾驶装置制造方法及图纸

一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备、存储器系统以及自主驾驶装置对相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月28日向韩国知识产权局提交的第10-2019-0134680号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术构思的示例实施例涉及存储器设备、存储器系统以及自主驾驶装置。
技术介绍
存储器设备可以提供写入或擦除数据以及读取写入的数据的功能。存储器设备可以包括多个存储器单元，并且通常，可写入到每个存储器单元的数据量可以具有固定值。在最近建议的神经形态计算机系统、自主驾驶装置等中，已经采用分布式存储方法以用于考虑到数据的重要性来存储数据。当在不考虑数据的重要性的情况下通过单个方法对存储器单元进行编程时，存储器设备的可靠性和/或操作效率可能劣化。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例将提供一种存储器设备、包括该存储器设备的计算机系统以及自主驾驶装置，其中，存储器设备中所包括的单个存储器芯片包括用于存储N比特数据(N是自然数)的第一存储区和用于存储M比特数据(M是大于N的自然数)的第二存储区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n第一存储区，包括：具有多个第一存储器单元的第一存储器单元阵列，多个第一存储器单元中的每个用于存储N比特数据，其中，N是自然数，以及第一外围电路，用于根据N比特数据存取方案控制第一存储器单元并且被安置在第一存储器单元阵列之下；/n第二存储区，包括：具有多个第二存储器单元的第二存储器单元阵列，多个第二存储器单元中的每个用于存储M比特数据，其中，M是大于N的自然数，以及第二外围电路，用于根据M比特数据存取方案控制第二存储器单元并且被安置在第二存储器单元阵列之下，其中第一存储区和第二存储区被包括在单个半导体芯片中并且共享输入和输出接口；以及/n控制器，被配置为通过响应于接...

【技术特征摘要】
20191028 KR 10-2019-01346801.一种存储器设备，包括：
第一存储区，包括：具有多个第一存储器单元的第一存储器单元阵列，多个第一存储器单元中的每个用于存储N比特数据，其中，N是自然数，以及第一外围电路，用于根据N比特数据存取方案控制第一存储器单元并且被安置在第一存储器单元阵列之下；
第二存储区，包括：具有多个第二存储器单元的第二存储器单元阵列，多个第二存储器单元中的每个用于存储M比特数据，其中，M是大于N的自然数，以及第二外围电路，用于根据M比特数据存取方案控制第二存储器单元并且被安置在第二存储器单元阵列之下，其中第一存储区和第二存储区被包括在单个半导体芯片中并且共享输入和输出接口；以及
控制器，被配置为通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向所述感测数据应用存储在所述第一存储区中的权重来生成计算数据，并且根据所述权重将所述计算数据存储在所述第一存储区或所述第二存储区之一中。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述控制器被配置为将具有高于预先确定的参考值的权重的计算数据存储在所述第一存储区中，并且将具有低于所述参考值的权重的计算数据存储在所述第二存储区中。


3.根据权利要求1所述的存储器设备，
其中，所述第一外围电路包括第一页缓冲电路和第一解码器电路，并且所述第二外围电路包括第二页缓冲电路和第二解码器电路，并且
其中，在其中安置有所述第一页缓冲电路的区域小于在其中安置有所述第二页缓冲电路的区域。


4.根据权利要求3所述的存储器设备，
其中，所述第一存储区和第二存储区彼此相邻地安置，并且
其中，根据自顶向下的视图，所述第二外围电路中所包括的电路设备的至少一部分被安置在所述第一存储器单元阵列之下以与所述第一存储器单元阵列重叠。


5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一存储区被配置为第一存储器平面，并且所述第二存储区被配置为第二存储器平面。


6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一存储器单元阵列和所述第二存储器单元阵列具有相同的结构。


7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述控制器被配置为与对于所述第二存储区的第二地址的编程操作或读取操作同时地执行对于所述第一存储区的第一地址的编程操作或读取操作。


8.一种存储器系统，包括：
第一存储器设备，被提供为第一半导体芯片；
第二存储器设备，与所述第一存储器设备共享数据被传送到其的输入和输出总线，并且被提供为不同于所述第一半导体芯片的第二半导体芯片；和
外部接口，连接到所述输入和输出总线并且被配置为与外部设备传送和接收所述数据，
其中，所述第一存储器设备和所述第二存储器设备中的每个包括：
第一存储器平面，包括：具有第一存储器单元的第一存储器单元阵列，第一存储器单元中的每个用于存储N比特数据，其中，N是自然数，以及第一页缓冲电路，被安置在第一存储器单元阵列之下并且被配置为针对第一存储器单元的至少一个第一选择存储器单元、根据N比特数据存取方案来执行编程操作和读取操作；以及
第二存储器平面，包括：具有第二存储器单元的第二存储器单元阵列，第二存储器单元中的每个用于存储M比特数据，其中，M是大于N的自然数，以及第二页缓冲电路，被安置在第二存储器单元阵列之下并且被配置为针对第二存储器单元的至少一个第二选择存储器单元、根据M比特数据存取方案来执行编程操作和读取操作。


9.根据权利要求8所述的存储器系统，
其中，所述第一存储器单元中的每个被配置为存储1比特数据，并且所述第二存储器单元中的每个被配置为存储2比特数据，并且
其中，所述第一存储器设备和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：劝兑晎，边大锡，金灿镐，金泰孝，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR