一种电压过冲检测电路制造技术

本申请实施例公开一种电压过冲检测电路，涉及电压检测技术领域，为便于提高对电压检测的准确性而发明专利技术。检测电路，第一电荷泵与第二电荷泵与参考电压相连，第一电荷泵第二端用于与被检测电压相连，第二电荷泵的第二端接地，第一电荷泵和第二电荷泵与电容的第一端相连，电容的第二端接地；电容的第一端为检测电路的输出端；被检测电压和参考电压控制第一电荷泵的第三端的灌电流、参考电压控制第二电荷泵的第三端的抽电流；被检测电压在预设电压范围内，灌电流和抽电流使输出端输出第一电平电压；被检测电压超过预设电压范围时，灌电流和抽电流使输出端输出第二电平电压；第二电平电压与第一电平电压的高低状态相反。本申请适用于检测电压过冲。

【技术实现步骤摘要】
一种电压过冲检测电路
本申请涉及电压检测
，尤其涉及一种电压过冲检测电路。
技术介绍
在大规模集成电路中，通常希望电压保持稳定，不要有太大的抖动，但是由于电路的复杂性，电压总是不可避免的有上冲或者下冲，那么需要对电压做监测。在电压高于指定电压或低于指定电压时，能给出一个指示信号，使整个电路能做出及时的调整，增强电路的鲁棒性。如图1所示，现有技术中，对电压进行检测时，使用检测模块(检测电路)，将电源电压和一个基准电压作比较，然后将比较结果经过几级buffer输出，其中，检测模块通常都采用差分电路这种传统的模拟电路实现。图2为检测电压下冲的电路，电压经过电阻分压，与参考电压VrefL做比较，当电压低于VrefL时，输出电压VOUT会产生一个低脉冲，表征检测到了电源上的电压下冲，在图2的基础上，稍作调整即可得到检测电源电压上冲的电路，如图3所示，检测电源上的电压上冲的过程与检测电压下冲的过程类似。由于现有技术中的检测模块通常都采用差分电路，而差分电路中的对管由于制造等原因，各项参数不能做到完全相同，导致对电压进行检测时，存在直流偏移，这样，使得对电压检测的准确性较低。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种电压过冲检测电路，便于提高对电压检测的准确性。本申请实施例提供一种电压过冲检测电路，包括：检测模块，所述检测模块包括第一电荷泵、第二电荷泵和电容，所述第一电荷泵的第一端与所述第二电荷泵的第一端分别与参考电压相连，所述第一电荷泵的第二端用于与被检测电压相连，所述第二电荷泵的第二端接地，所述第一电荷泵的第三端和所述第二电荷泵的第三端分别与所述电容的第一端相连，所述电容的第二端接地；其中，所述电容的第一端为所述电压过冲检测电路的输出端；所述被检测电压和所述参考电压控制所述第一电荷泵的第三端的灌电流、所述参考电压控制所述第二电荷泵的第三端的抽电流；所述被检测电压在预设电压范围内，所述灌电流和所述抽电流使所述输出端输出第一电平电压；所述被检测电压超过所述预设电压范围时，所述灌电流和所述抽电流使所述输出端输出第二电平电压；其中，所述第二电平电压与所述第一电平电压的高低状态相反。根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一电荷泵包括P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二电荷泵包括N型金属氧化物半导体场效应晶体管；所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极相连形成输出端，所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极用于与参考电压相连，所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极用于与被检测电压相连，所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地。根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括第一缓冲器，所述第一缓冲器包括：第一反相器和第二反相器；其中，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端相连；所述第一反相器的输入端与所述电压过冲检测电路的输出端相连。根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括电压下冲正反馈模块；所述电压下冲正反馈模块的第一端分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述电压下冲正反馈模块的第二端与所述第一反相器的输入端相连，所述电压下冲正反馈模块的第三端与所述第一反相器的输出端相连，所述电压下冲正反馈模块的第四端接地。根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述电压下冲正反馈模块，包括：第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管和第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极相连；所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管栅极分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一反相器的输入端相连，所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述第一反相器的输出端相连，所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地。根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括电压上冲正反馈模块；所述电压上冲正反馈模块的第一端分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述电压上冲正反馈模块的第二端与所述第一反相器的输入端相连，所述电压上冲正反馈模块的第三端与所述第一反相器的输出端相连，所述电压上冲正反馈模块的第四端与第一电源相连。根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述电压上冲正反馈模块，包括：第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管和第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极相连；所述第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一反相器的输入端相连，所述第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述第一反相器的输出端相连，所述第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述第一电源相连。根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括：参考电压选择模块，所述参考电压选择模块包括上冲参考电压支路和下冲参考电压支路；所述上冲参考电压支路包括上冲参考电压和第一开关，所述上冲参考电压与所述第一开关的第一端相连；所述下冲参考电压支路包括下冲参考电压和第二开关，所述下冲参考电压与所述第二开关的第一端相连；所述第一开关的第二端与第二开关的第二端相连后，分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连。根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括：模式控制模块和正反馈模块，所述正反馈模块的第一端与所述模式控制模块的第一端相连，所述正反馈模块的第二端与所述模式控制模块的第二端相连，所述正反馈模块的第三端与所述第一开关的第二端相连，所述正反馈模块的第四端与所述第二开关的第二端相连，所述正反馈模块的第五端与所述第一反相器的输入端相连，所述正反馈模块的第六端与所述第一反相器的输出端相连，所述正反馈模块的第七端与第二电源相连，所述正反馈模块的第八端接地。根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述模式控制模块包括第三反相器，所述第三反相器的第一端用于与模式控制信号相连；所述正反馈模块，包括：第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管、第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述第二电源相连，所述第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极相连，所述第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极相连，所述第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极相连，所述第四N型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压过冲检测电路，其特征在于，包括：检测模块，所述检测模块包括第一电荷泵、第二电荷泵和电容，所述第一电荷泵的第一端与所述第二电荷泵的第一端分别与参考电压相连，所述第一电荷泵的第二端用于与被检测电压相连，所述第二电荷泵的第二端接地，所述第一电荷泵的第三端和所述第二电荷泵的第三端分别与所述电容的第一端相连，所述电容的第二端接地；其中，所述电容的第一端为所述电压过冲检测电路的输出端；/n所述被检测电压和所述参考电压控制所述第一电荷泵的第三端的灌电流、所述参考电压控制所述第二电荷泵的第三端的抽电流；/n所述被检测电压在预设电压范围内，所述灌电流和所述抽电流使所述输出端输出第一电平电压；/n所述被检测电压超过所述预设电压范围时，所述灌电流和所述抽电流使所述输出端输出第二电平电压；其中，所述第二电平电压与所述第一电平电压的高低状态相反。/n

【技术特征摘要】
1.一种电压过冲检测电路，其特征在于，包括：检测模块，所述检测模块包括第一电荷泵、第二电荷泵和电容，所述第一电荷泵的第一端与所述第二电荷泵的第一端分别与参考电压相连，所述第一电荷泵的第二端用于与被检测电压相连，所述第二电荷泵的第二端接地，所述第一电荷泵的第三端和所述第二电荷泵的第三端分别与所述电容的第一端相连，所述电容的第二端接地；其中，所述电容的第一端为所述电压过冲检测电路的输出端；
所述被检测电压和所述参考电压控制所述第一电荷泵的第三端的灌电流、所述参考电压控制所述第二电荷泵的第三端的抽电流；
所述被检测电压在预设电压范围内，所述灌电流和所述抽电流使所述输出端输出第一电平电压；
所述被检测电压超过所述预设电压范围时，所述灌电流和所述抽电流使所述输出端输出第二电平电压；其中，所述第二电平电压与所述第一电平电压的高低状态相反。


2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第一电荷泵包括P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二电荷泵包括N型金属氧化物半导体场效应晶体管；
所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极分别与所述电容的第一端相连，所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与参考电压相连，所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极用于与被检测电压相连，所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地。


3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，还包括第一缓冲器，所述第一缓冲器包括：第一反相器和第二反相器；其中，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端相连；
所述第一反相器的输入端与所述电压过冲检测电路的输出端相连。


4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，还包括电压下冲正反馈模块；所述电压下冲正反馈模块的第一端分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述电压下冲正反馈模块的第二端与所述第一反相器的输入端相连，所述电压下冲正反馈模块的第三端与所述第一反相器的输出端相连，所述电压下冲正反馈模块的第四端接地。


5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述电压下冲正反馈模块，包括：第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管和第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极相连；
所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管栅极分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一反相器的输入端相连，所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述第一反相器的输出端相连，所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地。


6.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，还包括电压上冲正反馈模块；所述电压上冲正反馈模块的第一端分别与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极相连，所述电压上冲正反馈模块的第二端与所述第一反相器的输入端相连，所述电压上冲正反馈模块的第三端与所述第一反相器的输出端相连，所述电压上冲正反馈模块的第四端与第一电源相连。


7.根据权利要求6所述的检测电路，其特征在于，所述电压上冲正反馈模块，包括：第一P型金属氧化物半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴春红，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12