一种碳化硅单晶体的生长方法技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅单晶体的生长方法，其对碳化硅粉体进行了一次热处理，然后加入一定量的硅粉，并进行第二次热处理，再以硅/碳化硅粉体为源料进行碳化硅单晶体生长。本发明专利技术的关键是采取热处理硅/碳化硅粉体，从而有效提高硅的占比，进而提高碳化硅单晶体的氮掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶体的生长方法
本专利技术涉及半导体材料领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长方法。
技术介绍
碳化硅单晶是一种实现高功率、高频和高温器件的合适材料，控制碳化硅单晶和外延层生长的掺杂浓度对于碳化碳半导体器件是非常重要的。高晶体质量与高导电性能的碳化碳基板是低电阻率的电力电子和光电器件应用中最重要的先决条件之一。目前，一般通过升华方法生长的碳化硅单晶体，氮掺杂的6H-碳化硅单晶则通过调节氮气流速的变化完成，研究证明在固定氮流速下生长碳化硅晶体在碳晶面中的氮浓度高于在硅晶面种子上的氮浓度。在无氮气引入下，6H&4H-SiC晶体在碳晶面上生长的氮掺杂显示其载体浓度低于(1-2)x1018cm-3，在碳面上生长的6H-SiC高氮掺杂浓度可达到<1020cm-3。然而，在碳面上生长高掺杂的6H-SiC晶体，其4H多型形成的概率增加。因此，为了避免产生多型态，出现了在硅面生长高掺杂的6H-SiC晶体。然而，对于硅面上生长碳化硅晶体，在硅原子从硅的初始表面脱离后再添充回原位后，从表面脱离的碳原子很难再次填充回原位，因此用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶体的生长方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：/n步骤1、对碳化硅粉体进行第一次热处理；/n步骤2、将1wt%-2wt%的硅粉加入到步骤1处理过的碳化硅粉体中；/n步骤3、将步骤2得到的碳化硅粉体进行第二次热处理，该第二次热处理的温度不同于第一次热处理的温度；/n步骤4、以步骤3处理过的碳化硅粉体作为生长源，利用物理气相运输法生长碳化硅晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶体的生长方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
步骤1、对碳化硅粉体进行第一次热处理；
步骤2、将1wt%-2wt%的硅粉加入到步骤1处理过的碳化硅粉体中；
步骤3、将步骤2得到的碳化硅粉体进行第二次热处理，该第二次热处理的温度不同于第一次热处理的温度；
步骤4、以步骤3处理过的碳化硅粉体作为生长源，利用物理气相运输法生长碳化硅晶体。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶体的生长方法，其特征在于：所述步骤1中，第一次热处理的条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洙莹，金宰年，叶宏伦，钟其龙，刘崇志，
申请(专利权)人：芯璨半导体科技山东有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37