【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅外延片生产用废气处理系统
[0001]本专利技术涉及单晶硅外延片生产领域，特别是涉及一种单晶硅外延片生产用废气处理系统。
技术介绍
[0002]外延是半导体工艺当中的一种，硅片最底层是P型衬底硅，在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层。外延层作为集电区，在其上面还有基区和发射区，因此外延片就是在称帝上做好外延层的硅片。外延片生产大多是采用金属有机物化学气相沉积工艺，其工作温度为700～1100℃，生产过程中将三甲基镓和氨气等原材料通过不同的管道传送至金属有机物化学气相沉积系统中，在专用的设备反应室中分解镓、氨等单质，沉积在衬底上生长氮化镓及其合金的薄膜单晶体，外延片生产过程中的主要污染源是排放的含氨废气。
[0003]现有对含氨废气的主要处理方法是将废气通入纯水或稀释的稀硫酸溶液中，将氨气吸收，吸收后的安睡通过加热的方式回收氨水中的氨气，对氢气、氮气则直接排放进入大气，这样虽然能够有效去除尾气中的氨气，但是对尾气中的三甲基镓未经处理进行排放，三甲基镓在常温常压想为无色透明的有毒液体，在空气中易氧化，在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅外延片生产用废气处理系统，其特征在于：包括储气罐、吸附池、燃烧室、暂存罐和分离罐，所述储气罐的侧壁上连接有排废管和排气管，排废管和排气管内均安装有止回阀，所述排气管内还设有电磁阀，所述排气管上连接有曝气管，且曝气管置于吸附池内，所述吸附池内装有用于吸附氨气的溶液，且吸附池密封，吸附池连接有氨气提纯装置，所述吸附池上设有燃烧室，所述储气罐安装有与燃烧室连通的液体过滤装置，所述吸附池内还设有伸入燃烧室的氢气传送管，燃烧室一侧连接有用于存放废气的暂存罐，所述暂存罐内设有与分离罐连接的供气管，所述分离罐用于过滤有害气体的过滤机构。2.根据权利要求1所述的单晶硅外延片生产用废气处理系统，其特征在于：所述储气罐包括罐体、波纹管、推杆和压强传感器，罐体下部连接有排废管和排气管，排废管和排气管上方的罐体内安装有波纹管，所述波纹管底端与罐体内壁固定连接，波纹管上部的出口处安装有密封板，密封板上方的罐体内竖直安装有推杆，且推杆的伸出端与密封板连接，所述罐体下部内壁安装有压强传感器，罐体底部加工有集液槽，集液槽内设有与燃烧室连接的液体过滤装置。3.根据权利要求1或2所述的单晶硅外延片生产用废气处理系统，其特征在于：所述液体过滤装置包括检测管、分流管、过滤管和集流管，检测管与分流管连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴勇，彭日宇，
申请(专利权)人：四川雅吉芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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