【技术实现步骤摘要】
一种基于线网分布的可布线性驱动的全局布局方法及装置
[0001]本专利技术属于集成电路
,具体涉及一种基于线网分布的可布线性驱动的全局布局方法及装置。
技术介绍
[0002]器件的布局和器件间的布线是集成电路设计中非常重要的两个流程,在布局算法的发展初期,由于集成电路的规模较小,工艺制程对布局结果的要求不高,线长是算法需要考虑的唯一因素。随着超大规模集成电路的规模和工艺制程的发展,物理设计流程中的布线难度也不断提升,仅仅在布线阶段考虑可布线性很难得到理想的结果。只考虑线长的布局可能会造成之后布线阶段出现不可修复的DRC(Design Rule Check,设计规则检查)违例,为了得到对布线更为友好的布局结果,需要在布局阶段即考虑可布线性。
[0003]相关技术中,为了得到对布线更为友好的布局结果,采用迭代地执行全局布局、可布线性评估及可布线性优化的方式,直至可布线性评估结果满足预期。其中,可布线性评估采用全局布线器,该全局布线器可以返回包含G
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Cell布线需求及布线容量的拥塞图。在可布线性优化阶段,采用图1所示的单元膨胀的方法,对于拥塞G
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Cell内的标准单元按比例进行膨胀;如果膨胀之后拥塞G
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Cell内的标准单元相互重叠,且密度超过了目标密度,则在之后的全局布局中,这些膨胀后的标准单元将会逐渐分开,从而减少该G
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Cell的布线拥塞。
[0004]然而,上述的单元膨胀法只能解决由于局部标准单元密集造成的布线拥塞,对于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于线网分布的可布线性驱动的全局布局方法,其特征在于,包括:步骤A:利用基于静电学模型的全局布局算法对待布局的各个标准单元进行全局布局,得到第一布局结果;步骤B:对所述第一布局结果进行布局合法化处理,得到第二布局结果;步骤C:基于所述第二布局结果进行全局布线,得到G
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Cell拥塞图和线网分布路径;步骤D:统计所述G
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Cell拥塞图中的布线溢出总数;步骤E:响应于步骤D中所统计的布线溢出总数超出阈值,依次执行单元膨胀子步骤和探测窗口应用子步骤,然后返回步骤A;步骤F:响应于步骤D中所统计的布线溢出总数未超出阈值,输出所述第二布局结果;其中,所述单元膨胀子步骤包括:基于所述G
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Cell拥塞图和所述线网分布路径,确定水平穿过一个或多个拥塞G
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Cell的第一目标线网,并确定垂直穿过一个或多个拥塞G
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Cell的第二目标线网;针对每个第一目标线网,基于该第一目标线网水平穿过的各个拥塞G
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Cell确定对应的垂直膨胀系数,并使该第一目标线网上的各个第一目标单元基于所述垂直膨胀系数进行垂直膨胀;所述第一目标单元包括:位于第一目标线网上的、且垂直坐标与所在第一目标线网水平穿过的任一拥塞G
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Cell有所重叠的标准单元;针对每个第二目标线网,基于该第二目标线网垂直穿过的各个拥塞G
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Cell确定对应的水平膨胀系数,并使该第二目标线网上的各个第二目标单元基于所述水平膨胀系数进行水平膨胀;所述第二目标单元包括:位于第二目标线网上的、且水平坐标与所在第二目标线网垂直穿过的任一拥塞G
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Cell有所重叠的标准单元;所述探测窗口应用子步骤包括:针对所述第一目标单元以及所述第二目标单元中的每个标准单元,确定与该标准单元不在同一条线网上的、且所属线网与该标准单元所属线网穿过相同拥塞G
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cell的其他的第一目标单元和第二目标单元,作为该标准单元的相关单元;为每个第一目标单元生成第一虚拟探测窗口,该第一虚拟探测窗口用于在再次执行步骤A的过程中,探测垂直坐标与该第一虚拟探测窗口的垂直坐标有所重叠的相关单元,并基于探测到的相关单元对该第一目标单元施加额外的密度梯度;为每个第二目标单元生成第二虚拟探测窗口,该第二虚拟探测窗口用于在再次执行步骤A的过程中,探测水平坐标与该第二虚拟探测窗口的水平坐标有所重叠的相关单元,并基于探测到的相关单元对该第二目标单元施加额外的密度梯度;其中,每个第一目标单元的第一虚拟探测窗口的坐标范围覆盖且超出该第一目标单元的坐标范围;每个第二目标单元的第二虚拟探测窗口的坐标范围覆盖且超出该第二目标单元的坐标范围。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述单元膨胀子步骤中,针对每个第一目标线网,基于该第一目标线网水平穿过的各个拥塞G
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Cell确定对应的垂直膨胀系数,包括:针对每个第一目标线网,基于该第一目标线网水平穿过的各个拥塞G
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Cell的布线需求及布线容量分别计算垂直膨胀系数;将所计算的各个垂直膨胀系数中的最大值作为该第一目标线网对应的垂直膨胀系数;
所述单元膨胀子步骤中,针对每个第二目标线网,基于该第二目标线网垂直穿过的各个拥塞G
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Cell确定对应的水平膨胀系数,包括:针对每个第二目标线网,基于该第二目标线网垂直穿过的各个拥塞G
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Cell的布线需求及布线容量分别计算水平膨胀系数;将所计算的各个水平膨胀系数中的最大值作为该第二目标线网对应的水平膨胀系数。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述单元膨胀子步骤中,使该第一目标线网上的各个第一目标单元基于所述垂直膨胀系数进行垂直膨胀,包括:针对该第一目标线网上的每个第一目标单元,基于所述垂直膨胀系数,利用预设的膨胀尺寸计算公式计算该第一目标单元的膨胀后垂直尺寸,并使该第一目标单元按照所计算的膨胀后垂直尺寸进行垂直膨胀;所述单元膨胀子步骤中,使该第二目标线网上的各个第二目标单元基于所述水平膨胀系数进行水平膨胀,包括:针对该第二目标线网上的各个第二目标单元,基于所述水平膨胀系数,利用所述膨胀尺寸计算公式计算该第二目标单元的膨胀后水平尺寸,并使该第二目标单元按照所计算的膨胀后水平尺寸进行水平膨胀;所述膨胀尺寸计算公式为:;其中,当计算膨胀后垂直尺寸时,代表每个第一目标单元的膨胀前垂直尺寸,代表该第一目标单元的膨胀后垂直尺寸,为预设的膨胀单位,代表所述垂直膨胀系数;当计算膨胀后水平尺寸时,代表每个第二目标单元的膨胀前水平尺寸,代表该第二目标单元的膨胀后水平尺寸,为所述膨胀单位,代表所述水平膨胀系数。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一虚拟探测窗口具体用于:在步骤A的执行过程中,探测垂直坐标与该第一虚拟探测窗口的垂直坐标有所重叠的相关单元;当探测到的相关单元的数量大于第一上限时,为探测到的每个相关单元在所述第一虚拟探测窗口中对应生成第一伪标准单元;其中,探测到的每个相关单元与对应的第一伪标准单元具有相同的垂直坐标,且每个相关单元与对应的第一伪标准单元具有相同的尺寸;所述第一伪标准单元与该第一虚拟探测窗口所属的第一目标单元具有相同的水平坐标;模拟各个所述第一伪标准单元共同作用于该第一虚拟探测窗口所属的第一目标单元的库仑力,作为额外...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鼎成,
申请(专利权)人:西安国微半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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