温度测定装置、温度测定系统和温度测定方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供温度测定装置(10)，具备：第一照射部(11a)，向化学反应系统(20)所含物质照射脉冲状的激发光(L1)；第二照射部(11b)，向物质照射探测光(L2)；检测部(12)，检测由第二照射部(11b)向物质照射后的探测光(L2)；以及控制部(15)，根据检测部(12)检测的探测光(L2)的检测强度的相关信息，计算化学反应系统(20)所含物质的温度。含物质的温度。含物质的温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】温度测定装置、温度测定系统和温度测定方法
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请主张2018年09月14日向日本特许厅提交的日本专利申请第2018
‑
172421号的优先权，因此将所述日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。


[0003]本专利技术涉及温度测定装置、温度测定系统和温度测定方法。

技术介绍

[0004]以往公知利用光学性手法非接触地测定包括流体等的被测定对象物的温度的技术。
[0005]例如，专利文献1公开了一种温度测定装置，利用激光对流经微小通道内的流体内所含的荧光物质进行激发并通过测定产生的荧光的检测强度的衰减特性来计算流体的温度。例如，专利文献2公开了一种温度测定装置，对被测定流体照射激光并利用被激光诱发的荧光来测定被测定流体的温度。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献1：日本专利公开公报特开2006
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258537号
[0008]专利文献2：日本专利公开公报特开平08
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110270号
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度测定装置，其特征在于包括：第一照射部，向化学反应系统所含物质照射脉冲状的激发光；第二照射部，向所述物质照射探测光；检测部，检测由所述第二照射部向所述物质照射后的所述探测光；以及控制部，根据所述检测部检测的所述探测光的检测强度的相关信息，计算所述化学反应系统所含的所述物质的温度。2.根据权利要求1所述的温度测定装置，其特征在于，所述探测光的检测强度的相关信息，包括伴随由脉冲状的所述激发光产生的所述物质的吸光度的时间变化的、所述探测光的检测强度的时间变化。3.根据权利要求2所述的温度测定装置，其特征在于，还具备存储部，所述存储部存储与所述物质的吸光度的时间变化的时间常数对应的所述物质的激发状态的寿命与所述物质的温度的对应关系，所述控制部根据所述探测光的检测强度的时间变化计算所述激发状态的寿命，并根据从所述存储部取得的所述对应关系计算所述物质的温度。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的温度测定装置，其特征在于，还具备光路调节部，用于调节由所述第一照射部照射的所述激发光的照射位置。5.一种温度测定系统，其特征在于包括：如权利要求1至4中任意一项所述的温度测定装置；以及流通型单元，构成所述物质流经流路的内部的流动式的所述化学反应系统的一部分。6.根据权利要求5所述的温度测定...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川润一，宫崎俊一，
申请(专利权)人：横河电机株式会社，
类型：发明
国别省市：