【技术实现步骤摘要】
带支撑柱的热影像传感器结构及制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,更具体地,涉及一种带支撑柱的热影像传感器结构及制作方法。
技术介绍
[0002]传统的热影像感测系统主要通过热传感器来感测物体所辐射出来的能量。传统热影像传感器使用微桥谐振腔结构和反射层来实现多次反射和吸收,以提升产品性能。
[0003]然而,受到图形化最小尺寸的限制,反射层的填充因子的制约了热影像传感器的性能,因此,现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷,提供一种带支撑柱的热影像传感器结构及其制作方法。
[0005]为实现上述目的,本专利技术第一方面提供一种带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,包括:衬底,具有热影像处理电路;位于所述衬底上且自下而上依次设置的通孔层、第一反射层、反射介质层、第二反射层、支撑柱和热影像微桥桥面;其中:所述第一反射层包括第一电连接图形,所述第一电连接图形位于所述通孔层的通孔上,且通过所述通孔连接所述热影像处理电路;所述支 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,包括:衬底,具有热影像处理电路;位于所述衬底上且自下而上依次设置的通孔层、第一反射层、反射介质层、第二反射层、支撑柱和热影像微桥桥面;其中:所述第一反射层包括第一电连接图形,所述第一电连接图形位于所述通孔层的通孔上,且通过所述通孔连接所述热影像处理电路;所述支撑柱穿过所述第二反射层和所述反射介质层,连接所述第一电连接图形,所述支撑柱包括第一支撑柱和第二支撑柱;所述第二反射层覆盖所述反射介质层的表面,所述第二反射层具有反射开口,所述反射开口环绕所述第二支撑柱的下端,且位于所述第一电连接图形上;所述热影像微桥桥面位于所述支撑柱上,与所述第二反射层之间形成空腔。2.如权利要求1所述的带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,所述第一反射层还包括第一反射图形;所述热影像微桥桥面包括自下而上依次设置的底电极层、底电极介质层、微桥介质层、功能层和保护介质层;其中:所述反射介质层隔离所述第一反射图形和所述第一电连接图形;所述底电极层包括对应所述第一反射图形的第二反射图形和对应所述第一电连接图形的第二电连接图形;所述底电极介质层对应覆盖所述底电极层;所述微桥介质层覆盖所述底电极介质层表面,且隔离所述第二反射图形和所述第二电连接图形;所述功能层穿过所述微桥介质层和所述底电极介质层连接所述底电极层;所述保护介质层覆盖所述功能层;所述第一支撑柱和所述第二支撑柱的上端分别连接所述第二电连接图形,下端分别连接所述第一电连接图形。3.如权利要求2所述的带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,所述第二反射层还覆盖所述第一支撑柱和所述第二支撑柱的表面。4.如权利要求3所述的带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,所述支撑柱包括自下而上依次设置的Ti层、TiN层、Al层和TiN层;所述第一反射层和所述第二反射层的材料包括Al、Pt、Au中的一种或多种组合。5.如权利要求4所述的带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,所述第二反射层还覆盖所述第一支撑柱和所述第二支撑柱的上端;所述微桥桥面通过所述第一支撑柱连接所述第二反射层。6.如权利要求2所述的带支撑柱的热影像传感器结构,其特征在于,所述第一反射图形和所述第二反射图形在垂直于所述衬底表面的投影重叠;所述第一电连接图形和所述第二电连接图形在垂直于所述衬底表面的投影重叠。7.如权利要求4所述的带支撑柱的热影像传感器结构,...
【专利技术属性】
技术研发人员:康晓旭,张博,徐云,华光平,陆涵蔚,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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