黑色矩阵的制备方法及显示基板技术

本发明专利技术提供一种黑色矩阵的制备方法及显示基板，所述方法包括：在一阵列基板上设置对位标记；在所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方形成疏水区域，使得所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方疏水；在所述阵列基板表面涂布光阻；依次对所述光阻进行曝光、显影和烘烤，得到黑色矩阵，所述黑色矩阵的图形所在的区域与所述对位标记的图形所在的区域无重合区。本发明专利技术实施例能有效提高阵列基板中黑色矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位精度。精度。精度。

【技术实现步骤摘要】
黑色矩阵的制备方法及显示基板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种黑色矩阵的制备方法及显示基板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展及市场需求的变更，近年来柔性屏成为热门研究对象及市场趋势。柔性屏主要是指柔性OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)，因可在塑料基板上制备器件，且使用塑料模组材料而非玻璃盖板能够获得很好的弯曲特性，但因为OLED使用圆偏光片使得面板厚度大且功耗高，弯折曲率半径受到限制，在新技术开发中有采用BOA(Black Matix On Array，黑色矩阵贴附于阵列基板上)技术替代圆偏光片的方案。
[0003]但是BOA技术中BM(黑色矩阵)需要与下层图形的Mark(对位标记)对位才能实现图形化，因BM为黑色光刻胶，遮光度高，光线透过率低，会导致曝光设备无法识别到BM层下的Mark图形，严重阻碍了制程的实现。
[0004]目前为了解决上述问题，一般采用的方法是在BM下层采用可被激发红外光线的Mark材质，通过红外Sensor(传感器)去实现对位抓取。然而，实际量产中，需要对Mark材料和BM材料改进，传统BM材料红外透过率也低，同时也需对曝光机改造增加红外Sensor，操作难度大设备改造成本高量产困难，不易推广。
[0005]因此，如何提高阵列基板中黑色矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位精度，是本领域技术人员需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种黑色矩阵的制备方法及显示基板，用以提高阵列基板中黑色矩阵的图形和前序工艺形成的图形的对位精度。
[0007]为达到上述目的，本专利技术实施例采用如下技术方案：
[0008]本专利技术提供一种黑色矩阵的制备方法，所述方法包括：
[0009]S10，在一阵列基板上设置对位标记；
[0010]S20，在所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方形成疏水区域，使得所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方疏水；
[0011]S30，在所述阵列基板表面涂布光阻；
[0012]S40，依次对所述光阻进行曝光、显影和烘烤，得到黑色矩阵，所述黑色矩阵的图形所在的区域与所述对位标记的图形所在的区域无重合区。
[0013]在一些实施例中，所述S20还包括：
[0014]S201，在所述对位标记背向所述阵列基板的表面覆盖一层疏水光刻胶，形成疏水光阻层，所述疏水光阻层的图形所在的区域为疏水区域，使得所述对位标记背向所述阵列基板的上方疏水。
[0015]在一些实施例中，所述S201中，所述疏水光刻胶为含氟的光刻胶体系。
[0016]在一些实施例中，所述对位标记的材料为所述疏水光刻胶，所述对位标记的图形所在的区域与其周围区域的段差大于1um。
[0017]在一些实施例中，所述S20还包括：
[0018]S201，将所述对位标记背向所述阵列基板的表面在边缘曝光机中进行疏水处理，使所述对位标记背向所述阵列基板的表面的图形所在的区域形成疏水区域，从而使所述对位标记背向所述阵列基板的表面疏水。
[0019]在一些实施例中，所述S201中，所述疏水处理包括紫外光照射处理或者激光处理。
[0020]在一些实施例中，所述S201中，所述边缘曝光机用于使所述黑色矩阵与所述对位标记之间的接触角差值大于60
°
。
[0021]在一些实施例中，所述对位标记为十字形结构。
[0022]本专利技术实施例还提供一种显示基板，至少包括阵列基板、设置于所述阵列基板上的对位标记以及黑色矩阵，其中，在所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方具有疏水区域，所述黑色矩阵采用如上所述的黑色矩阵的制备方法制作而成。
[0023]在一些实施例中，所述显示基板还包括形成于所述阵列基板上的OLED发光层、形成于所述OLED发光层上并覆盖所述OLED发光层的薄膜封装层，所述对位标记、所述黑色矩阵以及彩色滤光层均形成于所述薄膜封装层上。
[0024]本专利技术实施例所提供的黑色矩阵的制备方法及显示基板，无需改造曝光设备以及变更黑色矩阵材料，通过一道工艺对对位标记所在区域的亲疏水性进行变更，使得涂布黑色矩阵后因对位标记所在区域与其他区域存在疏水性差异造成对位标记所在区域显露出来而不被黑色矩阵覆盖，从而可以达到在不改变黑色矩阵材料和曝光设备的基础上提高阵列基板中黑色矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位精度的目的。
附图说明
[0025]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式进行详细描述。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的黑色矩阵的制备方法流程图。
[0027]图2A、图2B1、图2B2、图2C1、图2C2、图2D1以及图2D2分别为本专利技术实施例提供的黑色矩阵的制备方法的截面结构示意图。
[0028]图3A
‑
3D为本专利技术实施例提供的黑色矩阵的制备方法的平面结构示意图。
[0029]图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
[0030]本专利技术提供一种黑色矩阵的制备方法及显示基板，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本专利技术。
[0031]本专利技术实施例针对现有的阵列基板中黑色矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位精度差的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
[0032]如图1所示，为本专利技术实施例提供的黑色矩阵的制备方法流程图。其中，所述方法包括：
[0033]S10，在一阵列基板11上设置对位标记12。
[0034]具体地，所述S10还包括：
[0035]在一衬底基板上通过构图工艺形成薄膜晶体管及走线，得到所述阵列基板11。所述薄膜晶体管与所述走线的制作方法与现有技术相同，在此不进行赘述。具体的，在所述衬底基板上形成第一金属材料层，对所述第一金属材料层进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀等构图工艺同时形成所述薄膜晶体管的第一金属层以及所述走线。之后，在所述阵列基板11上设置对位标记12，所述对位标记12为十字形结构，如图2A以及图3A所示。
[0036]S20，在所述对位标记12背向所述阵列基板11的表面或上方形成疏水区域20，使得所述对位标记12背向所述阵列基板11的表面或上方疏水。
[0037]具体地，所述S20还包括：
[0038]在第一实施例中，首先在所述对位标记12背向所述阵列基板11的表面覆盖一层疏水光刻胶，曝光显影后形成疏水光阻层21，所述疏水光阻层21的图形所在的区域为疏水区域20，使得所述对位标记12背向所述阵列基板11的上方疏水。其中，所述疏水光刻胶为含氟材料的常规光刻胶体系，所述含氟材料包括分子全氟正辛酸(PFOA)以及相关的同系物、衍生物，或者低聚物可聚四氟乙烯，或者含有全氟化合物的共聚物与嵌本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种黑色矩阵的制备方法，其特征在于，所述方法包括：S10，在一阵列基板上设置对位标记；S20，在所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方形成疏水区域，使得所述对位标记背向所述阵列基板的表面或上方疏水；S30，在所述阵列基板表面涂布光阻；S40，依次对所述光阻进行曝光、显影和烘烤，得到黑色矩阵，所述黑色矩阵的图形所在的区域与所述对位标记的图形所在的区域无重合区。2.根据权利要求1所述的黑色矩阵的制备方法，其特征在于，所述S20还包括：S201，在所述对位标记背向所述阵列基板的表面覆盖一层疏水光刻胶，形成疏水光阻层，所述疏水光阻层的图形所在的区域为疏水区域，使得所述对位标记背向所述阵列基板的上方疏水。3.根据权利要求2所述的黑色矩阵的制备方法，其特征在于，所述S201中，所述疏水光刻胶为含氟的光刻胶体系。4.根据权利要求3所述的黑色矩阵的制备方法，其特征在于，所述对位标记的材料为所述疏水光刻胶，所述对位标记的图形所在的区域与其周围区域的段差大于1um。5.根据权利要求1所述的黑色矩阵的制备方法，其特征在于，所述S20还包括：S201，将所述对位标记背向所述阵列基板的表面在边缘曝光机...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓雯，龚文亮，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：