一种SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线制造技术

本发明专利技术公开了一种SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线。该天线包括三层金属贴片和两层介质基板，分别是上层金属贴片、上层介质基板，中间层金属贴片，下层介质基板以及下层金属贴片。所述的上层金属贴片是一对将矩形金属片切除正方形角并增加倾斜的椭圆形贴片的金属片，每个金属贴片的边缘设有两个金属通孔，贯穿上层介质基板，连接上层和中间层金属贴片；中间层金属贴片平铺整个下层介质基板的上表面并刻蚀蝶形缝隙；下层介质基板带有30个金属通孔，连接中间层金属贴片及下层金属贴片；下层金属贴片通过一段渐变的微带线过渡至微带结构与馈电端口相连。本发明专利技术天线具有体积小、剖面低，轴比带宽更宽的优点。轴比带宽更宽的优点。轴比带宽更宽的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线


[0001]本专利技术涉及圆极化磁电偶极子天线
，特别是一种SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线。

技术介绍

[0002]5G时代已经到来，5G频谱远高于4G，电磁波的频率高、波长短、穿透力差、衰减大，在相同覆盖范围的情况内需要安放更多的天线，数据传输量剧增。相比于线极化天线，圆极化天线能够抑制多径干扰，极化偏转损失小，可以对抗恶劣天气的影响，因此开发体积小，剖面低、宽频带的圆极化天线是十分必要的。
[0003]在微波毫米波电路中传统金属波导损耗小，Q值高，功率容量大，但是体积大、成本高、难以集成，微带传输线则正好相反。基于以上矛盾产生了基片集成波导(SIW)，SIW制作工艺简单，成本低，传输损耗小，易于与其他有源器件结合，实现平面集成化，适合大规模生产，满足5G通信需求。但是目前存在的毫米波圆极化天线结构复杂，轴比带宽窄。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种结构简单、容易实现的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，该天线体积小剖面低，通信频带宽，圆极化频带宽。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，包括由上至下设置的上层金属贴片(1)、上层介质基板(4)、中间层金属贴片(2)、下层介质基板(5)、下层金属贴片(3)，其中：所述上层金属贴片(1)包括设置于右侧的第一金属片(11)和设置于左侧的第二金属片(12)，第一金属片(11)和第二金属片(12)结构相同且二者关于中心对称设置；第一金属片(11)和第二金属片(12)采用将矩形金属片切除正方形角并增加倾斜的椭圆形贴片的金属片，每个金属片的边缘设有两个金属通孔，具体为第一～第四金属通孔(111、112、121、122)；所述上层介质基板(4)被第一～第四金属通孔(111、112、121、122)贯穿，连接上层金属贴片(1)和中间层金属贴片(2)；所述中间层金属贴片(2)平铺满整个下层介质基板(5)的上表面，并刻蚀蝶形缝隙(21)，蝶形缝隙(21)的两侧分别为第一金属通孔(111)、第二金属通孔(112)和第三金属通孔(121)、第四金属通孔(122)；所述下层介质基板(5)设有30个金属通孔形成金属通孔线阵(23)，金属通孔线阵(23)包括左侧、上侧、右侧依次连接的三排金属通孔，其中每个金属通孔连接中间层金属贴片(2)和下层金属贴片(3)；三排金属通孔线阵(23)包围蝶形缝隙(21)形成SIW谐振腔(34)；所述下层金属贴片(3)通过渐变微带线(31)过渡至微带线(32)与馈电端口(33)相连。2.根据权利要求1所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，所述第一金属片(11)的主体为矩形金属片，该矩形金属片的右下角增加第一椭圆形贴片(113)，右上角切除一个第一矩形(114)；第一金属片(11)的左侧边缘设有两个直径相等的第一金属通孔(111)和第二金属通孔(112)，所述第一金属通孔(111)、第二金属通孔(112)贯穿上层介质基板(4)，连接上层金属贴片(1)和中间层金属贴片(2)；第二金属片(12)的左上角增加第二椭圆形贴片(123)，该矩形金属片的左下...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐娟，赵建平，吴思雨，吕美琴，赵敏，郭瑾昭，孙玉荣，
申请(专利权)人：曲阜师范大学，
类型：发明
国别省市：