一种光波导芯片探针及基于该探针的反射式垂直光耦合结构制造技术

本发明专利技术公开了一种光波导芯片探针结构，包括：器件层，所述器件层具有耦合连接光纤的第一端；埋氧层，所述埋氧层设置在所述器件层的左侧；衬底层，所述衬底层设置在所述埋氧层的左侧；第一斜面，所述第一斜面从所述衬底层斜切向所述器件层，终止点超过所述器件层中对应光纤中心线的延长线。光纤中心线的延长线。光纤中心线的延长线。

【技术实现步骤摘要】
一种光波导芯片探针及基于该探针的反射式垂直光耦合结构


[0001]本专利技术涉及光子集成领域，具体来说，涉及一种光波导芯片探针及基于该探针的反射式垂直光耦合结构，该耦合结构可以将垂直于波导表面的光耦合进波导芯片，可以应用于光波导芯片的测试。

技术介绍

[0002]随着现代社会高速信息化发展的需要，基于集成光学器件的光通信技术蓬勃发展，其中基于绝缘衬底上的硅材料波导制作工艺由于与传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容，在产业化方面具有明显的优势，能实现光电混合集成。在光通讯领域，光信号的传输主要借助于光纤。对于硅基波导而言，由于其本身发光效率无法达到实用要求，同样需要利用光纤从外部将光源引入，因此其中一个关键性问题就是如何实现光纤与波导器件的高效耦合。
[0003]另外，在光芯片的研发过程中，为了减少成本、提高效率，在器件的封装前需要对芯片进行测试。为了提高大批量光芯片测试的效率，摒弃手动耦合平台，必须采用有效、可靠的耦合方案，在自动化平台上实现晶圆级的芯片测试。
[0004]目前，针对光芯片的耦合方式主要有两种，即光栅耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光波导芯片探针结构，包括：器件层，所述器件层具有耦合连接光纤的第一端；埋氧层，所述埋氧层设置在所述器件层的左侧；衬底层，所述衬底层设置在所述埋氧层的左侧；第一斜面，所述第一斜面从所述衬底层斜切向所述器件层，终止点超过所述器件层中对应光纤中心线的延长线。2.如权利要求1所述的光波导芯片探针结构，其特征在于，还包括第二斜面，所述第二斜面从所述器件层向中心位置斜切，其终止点不超过所述器件层中对应光纤中心线的延长线。3.如权利要求2所述的光波导芯片探针结构，其特征在于，所述第二斜面与所述第一斜面相交，在所述器件层的第二端形成一尖角。4.如权利要求1所述的光波导芯片探针结构，其特征在于，所述第一斜面设置有增反膜。5.如权利要求2所述的光波导芯片探针结构，其特征在于，所述第二斜面设置有增透膜。6.如权利要求1所述的光波导芯片探针结构，其特征在于，所述第一斜面与垂直面成第一夹角，所述第二斜面与垂直面成第二夹角，其中第一夹角不超过45度，从而使从所述器件层第一端进入的垂直的光信号，经过第一斜面的反射、第二斜面的透射后，转化为水平的光信号。7.如权利要求1所述的光波导芯片探针结构，其特征在于，所述器件层的材料选自绝缘体上硅SOI、硅、铌酸锂LiNbO3、
Ⅲ-Ⅴ
族半导体化合物、二氧化硅、磷化铟InP、铟镓砷InGaAs中的一种或多种。8.一种基于光波导芯片探针的反射式垂直光耦合结构，包括：光纤；光波导芯片探针，所述光纤耦合连接至所述光波导芯片探针；以及待测光芯片，所述待测光芯片具有槽，所述光波导芯片探针插入所述槽中，将来自所述光纤的垂直光信号反射成水平光信号，再从所述槽的侧面耦合至所述待测光芯片。9.如权利要求8所述的基于光波导芯片探针的反射式垂直光耦合结构，其特征在于，所述光波导芯片探针进一步包括：器件层，所述器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，余朝晃，严亭，
申请(专利权)人：上海传输线研究所中国电子科技集团公司第二十三研究所，
类型：发明
国别省市：