一种气体分配系统及半导体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种气体分配系统及半导体处理装置，包括：歧管，所述歧管的主干路的输入端接收处理气体，其多个支路的输出端通向相应的反应腔；位于所述主干路上的气压调节组件；以及，位于每个所述支路上依次连接的第一进气阀，质量流量控制器，第二进气阀，其中，所述支路上的处理气体的流量小于等于2000sccm，通过限制管路中的流量，使歧管的多个支路可以共用主干路上的一个气压调节组件，既能在发生某一支路压力产生变化的情况时，通过质量流量控制器稳定控制处理气体的流量，进而保证半导体处理装置的刻蚀均一性，还可以将设备的制造成本显著降低，并且随着反应腔的增多，成本会进一步下降。进一步下降。进一步下降。

【技术实现步骤摘要】
一种气体分配系统及半导体处理装置


[0001]本技术涉及半导体处理
，更为具体地说，涉及一种气体分配系统及半导体处理装置。

技术介绍

[0002]用于集成电路的制造的半导体处理工艺中包括有：化学气相沉积工艺、等离子体处理工艺等。其中主要是利用等离子处理工艺实现对半导体基片的处理，所述等离子体处理工艺的原理包括：使用射频功率源驱动等离子体处理装置(例如电感耦合线圈)产生较强的高频交变磁场，使得低压的处理气体被电离产生等离子体。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，活性粒子可以和待处理半导体基片的表面发生多种物理和化学反应，使得晶圆表面的形貌发生改变，即完成等离子体处理工艺。
[0003]在等离子处理工艺中需要通入特定流量、特定气压和特定气体成分的反应气体或者其它辅助气体。而想要获得这些具有特定参数的反应气体或辅助气体需要一个能精确控制气体流量、压力的输送系统连接在气源和反应腔之间。因此，等离子体处理装置中的气体分配系统的优劣，直接影响着等离子处理装置的性能。

技术实现思路
<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体分配系统，其特征在于，包括：歧管，所述歧管的主干路的输入端接收处理气体，其多个支路的输出端通向相应的反应腔；位于所述主干路上的气压调节组件；以及，位于每个所述支路上依次连接的第一进气阀，质量流量控制器，第二进气阀，其中，所述支路上的处理气体的流量小于等于2000sccm。2.根据权利要求1所述的气体分配系统，其特征在于，所述气压调节组件包括开关阀和调节器，其中，所述开关阀用于控制所述主干路的处理气体的通断，所述调节器用于实现所述主干路的处理气体的压力调节。3.根据权利要求2所述的气体分配系统，其特征在于，所述气压调节组件还包括与所述调节器连接的过滤器。4.根据权利要求2所述的气体分配系统，其特征在于，所述气压调节组件还包括与所述调节器连接的压力表。5.根据权利要求1所述的气体分配系统，其特征在于，所述处理气体的流量范围为40～1000scc...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹志尧，连增迪，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：