金属氧化物阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板及显示面板。本实用新型专利技术提供的金属氧化物阵列基板及显示面板，金属氧化物阵列基板包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、金属绝缘层和保护层，其中，栅极、缓冲层和半导体图形依次层叠设置在衬底基板上，源极和漏极连接于半导体图形的两侧，金属绝缘层覆盖半导体图形，保护层层叠设置在源极、漏极和金属绝缘层上，通过金属绝缘层的隔离和保护作用，阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。高了显示面板的显示质量。高了显示面板的显示质量。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物阵列基板及显示面板


[0001]本技术涉及显示设备
，尤其涉及一种金属氧化物阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，下层基板为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板。
[0003]现有技术中，为了减少光刻次数，降低功耗，TFT阵列基板的金属氧化物TFT一般采用背沟道刻蚀结构，具体的，制备金属氧化物TFT时，先在金属氧化物半导体图形上沉积金属层，并刻蚀形成金属电极和沟道，其中金属电极包括金属源极和金属漏极，然后在其上继续沉积形成保护层，保护层可以起到绝缘和保护的作用。
[0004]然而，在沉积保护层时，金属电极容易被氧化，同时会有水或氢渗透进入沟道，影响了TFT的性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、金属绝缘层和保护层；其中，所述金属绝缘层为金属氧化物膜状结构；所述栅极、所述缓冲层和所述半导体图形依次层叠设置在所述衬底基板上，所述源极和所述漏极连接于所述半导体图形的两侧，所述金属绝缘层覆盖所述半导体图形，所述保护层层叠设置在所述源极、所述漏极和所述金属绝缘层上。2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述金属绝缘层由铝、钽、钼、钛任一种的氧化物构成。3.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述金属绝缘层层叠设置在所述缓冲层上，并覆盖所述源极、所述漏极和所述半导体图形。4.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，金属绝缘层所述金属绝缘层层叠设置在所述缓冲层上并覆盖所述半导体图形，所述源极和所述漏极设置在所述金属绝缘层上。5.根据权利要求4所述的金属氧化物阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：