金属氧化物阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板及显示面板。本实用新型专利技术提供的金属氧化物阵列基板及显示面板，金属氧化物阵列基板包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、金属绝缘层和保护层，其中，栅极、缓冲层和半导体图形依次层叠设置在衬底基板上，源极和漏极连接于半导体图形的两侧，金属绝缘层覆盖半导体图形，保护层层叠设置在源极、漏极和金属绝缘层上，通过金属绝缘层的隔离和保护作用，阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。高了显示面板的显示质量。高了显示面板的显示质量。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物阵列基板及显示面板


[0001]本技术涉及显示设备
，尤其涉及一种金属氧化物阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，下层基板为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板。
[0003]现有技术中，为了减少光刻次数，降低功耗，TFT阵列基板的金属氧化物TFT一般采用背沟道刻蚀结构，具体的，制备金属氧化物TFT时，先在金属氧化物半导体图形上沉积金属层，并刻蚀形成金属电极和沟道，其中金属电极包括金属源极和金属漏极，然后在其上继续沉积形成保护层，保护层可以起到绝缘和保护的作用。
[0004]然而，在沉积保护层时，金属电极容易被氧化，同时会有水或氢渗透进入沟道，影响了TFT的性能。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种金属氧化物阵列基板及显示面板，避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能。
[0006]第一方面，本技术提供了一种金属氧化物阵列基板，包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、金属绝缘层和保护层，金属绝缘层为金属氧化物膜状结构，该金属氧化物膜状结构为通过原子沉积方式形成金属层后，再经过等离子体氧化形成的膜状结构。
[0007]其中，栅极、缓冲层和半导体图形依次层叠设置在衬底基板上，源极和漏极连接于半导体图形的两侧，金属绝缘层覆盖半导体图形，保护层层叠设置在源极、漏极和金属绝缘层上。
[0008]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，金属绝缘层由铝、钽、钼、钛任一种的氧化物构成。
[0009]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，金属绝缘层层叠设置在缓冲层上，并覆盖源极、漏极和半导体图形。
[0010]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，金属绝缘层层叠设置在缓冲层上并覆盖半导体图形，源极和漏极设置在金属绝缘层上。
[0011]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，金属绝缘层的厚度为
[0012]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，金属绝缘层的厚度为
[0013]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，缓冲层包括依次设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层为氮化硅层，第二缓冲层为氧化硅层。
[0014]其中，半导体图形设置在第二缓冲层上。
[0015]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，保护层为无机绝缘层，无机绝缘层由氮化硅构成。
[0016]作为一种可选的方式，本技术提供的金属氧化物阵列基板，还包括透明导电层，保护层上设置有接触过孔，透明导电层通过接触过孔与漏极电连接。
[0017]第二方面，本技术提供了一种显示面板，包括上述的金属氧化物阵列基板。
[0018]本技术提供的金属氧化物阵列基板及显示面板，金属氧化物阵列基板包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、金属绝缘层和保护层，其中，栅极、缓冲层和半导体图形依次层叠设置在衬底基板上，源极和漏极连接于半导体图形的两侧，金属绝缘层覆盖半导体图形，保护层层叠设置在源极、漏极和金属绝缘层上，通过金属绝缘层的隔离和保护作用，阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法的流程图；
[0021]图2为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中在衬底基板上形成栅极和缓冲层的流程图；
[0022]图3为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第一状态的结构示意图；
[0023]图4为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态的结构示意图；
[0024]图5为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中其中一种在半导体图形上形成源极、漏极和金属绝缘层的流程图；
[0025]图6为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中一种阵列基板处于第三状态的结构示意图；
[0026]图7为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中另一种在半导体图形上形成源极、漏极和金属绝缘层的流程图；
[0027]图8为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中另一种阵列基板处于第三状态的结构示意图；
[0028]图9为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第四状态的结构示意图；
[0029]图10为本技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第五状态的结构示意图。
[0030]附图标记说明：
[0031]10
‑
衬底基板；20
‑
栅极；30
‑
缓冲层；40
‑
半导体图形；50
‑
源极；51
‑
漏极；沟道
‑
53； 60
‑
金属绝缘层；70
‑
保护层；80
‑
透明导电层；接触过孔
‑
90。
具体实施方式
[0032]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0033]首先，本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本技术的技术原理，并非旨在限制本技术的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其作出调整，以便适应具体的应用场合。
[0034]其次，需要说明的是，在本技术的描述中，术语“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0035]此外，还需要说明的是，在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、金属绝缘层和保护层；其中，所述金属绝缘层为金属氧化物膜状结构；所述栅极、所述缓冲层和所述半导体图形依次层叠设置在所述衬底基板上，所述源极和所述漏极连接于所述半导体图形的两侧，所述金属绝缘层覆盖所述半导体图形，所述保护层层叠设置在所述源极、所述漏极和所述金属绝缘层上。2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述金属绝缘层由铝、钽、钼、钛任一种的氧化物构成。3.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述金属绝缘层层叠设置在所述缓冲层上，并覆盖所述源极、所述漏极和所述半导体图形。4.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，金属绝缘层所述金属绝缘层层叠设置在所述缓冲层上并覆盖所述半导体图形，所述源极和所述漏极设置在所述金属绝缘层上。5.根据权利要求4所述的金属氧化物阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：