一种硼改性光催化材料及其制备方法技术

本发明专利技术一种硼改性光催化材料及其制备方法，首先通过水热反应制备得到纳米CdS空心球，然后通过水热、煅烧制备得到硼改性的WO3/TiO2/CdS光催化材料，通过利用纳米CdS空心球、海胆状WO3及TiO2多元复合，并引入硼元素进行改性，得到的光催化材料在低浓度亚甲基蓝和四环素的降解中效果明显，其中，亚甲基蓝的降解率超过98％，四环素的降解率超过88％，本发明专利技术提供的硼改性的WO3/TiO2/CdS光催化材料的制备方法简单、步骤可控，应用前景广阔。应用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】
一种硼改性光催化材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光催化降解材料领域，具体为一种硼改性光催化材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]光催化降解是一种新型高效的水污染处理方法，对有机污染物，如甲基橙、亚甲基蓝等有机染料，以及四环素等抗生素具有良好的降解效果。光催化降解原理是是利用辐射在光催化剂上，光催化剂吸收光能，发生电子跃迁，产生活性极强的光生电子、空穴以及活性自由基，再通过自由基与有机污染物之间的取代、加成、电子转移等反应，将有机污染物降解为无毒或低毒的无机物。
[0003]常见的光催化剂有二氧化钛等钛基化合物、溴酸铋等铋基化合物、二硫化钼等硫化物，其中硫化镉是一种典型的
Ⅱ‑Ⅵ
族半导体材料，禁带宽度较窄，为2.4
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2.5eV之间，在可见光下就具有良好的光化学活性，并且氧化还原电位适中，是一种光催化性能良好的可见光响应型半导体材料，但是硫化镉的光生电子和空穴很容易复合，严重影响了其光催化活性，而氧化钨具有载流子迁移率高、化学稳定性良好，并且氧化钨的禁带宽度为2.6eV，与硫化镉的能带结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼改性光催化材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)纳米CdS空心球的制备：向蒸馏水溶剂中加入氯化镉、硫脲和谷胱甘肽，搅拌均匀后进行水热反应，反应完成后经过滤、洗涤、干燥处理，即得纳米CdS空心球；(2)硼改性的WO3/TiO2/CdS光催化材料的制备：向乙醇溶剂中加入步骤(1)所得纳米CdS空心球，超声分散处理后加入六氯化钨、钛酸四丁酯、硼酸，搅拌6
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12h后开始水热反应，反应完成后进行过滤、洗涤、干燥处理，将干燥后所得产物进行煅烧，即得硼改性的WO3/TiO2/CdS光催化材料。2.根据权利要求1所述的一种硼改性光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中氯化镉、硫脲和谷胱甘肽的质量比为100:120
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140:100
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110。3.根据权利要求2所述的一种硼改性光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中水热反应温度为230
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280℃，反应时间为3
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12h。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆红阳，姚登鹏，李中毅，张兴旺，
申请(专利权)人：武汉金特明新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：