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同时具有光学透明性和可调吸波频率的电磁吸收结构制造技术

技术编号:28140523 阅读:29 留言:0更新日期:2021-04-21 19:16
本发明专利技术公开了一种同时具有光学透明性和可调吸波频率的电磁吸收结构,包括按照从上到下顺序层叠的第一介质基板、第一石墨烯层、隔膜层、第二石墨烯层、第二介质基板、氧化铟锡层、第三介质基板、介质损耗层、反射层和第四介质基板,第一石墨烯层中每个石墨烯频率选择表面单元分别包括一个正方形石墨烯块及分布在正方形石墨烯块周围的四个矩形石墨烯块,第二石墨烯层的结构与第一石墨烯层完全相同,氧化铟锡层中的每个氧化铟锡频率选择表面单元分别包括一个正方形氧化铟锡块及分布在正方形氧化铟锡块周围的四个矩形氧化铟锡块;优点是仅通过石墨烯面阻值的调节即可实现吸波频率调控,在具有光学透明性的同时还具有较大范围的可调吸波频率。的可调吸波频率。的可调吸波频率。

【技术实现步骤摘要】
同时具有光学透明性和可调吸波频率的电磁吸收结构


[0001]本专利技术涉及一种电磁吸收结构,尤其是涉及一种同时具有光学透明性和可调吸波频率的电磁吸收结构。

技术介绍

[0002]电磁吸收结构作为一种电磁隐身技术,其能够吸收入射到装备表面的雷达波能量,减小雷达散射截面积,降低己方目标的雷达散射特征,从而实现低可探测性,在军事装备和电子对抗中应用广泛,对于提高飞机舰船等的战场生存能力具有重大作用。
[0003]近年来,随着侦查和电子对抗系统的探测手段和频谱的多样化,多频谱多功能的电磁隐身技术已经成为提高电磁隐身性能的迫切需求。典型的功能要求之一是吸波频率的动态可调。传统的电磁吸收结构利用铁氧体、金属微粉和钛酸钡等材料来吸收电磁波,但这些材料本身的电磁特性无法调节,因此只能在固定的一个频段实现强吸收,难以实现吸波频率的实时调控。
[0004]当前已出现的具有可调吸波频率的电磁吸收结构主要是基于变容二极管的可调频率选择表面来实现,通过电压调节变容二极管电容,来改变频率选择表面的谐振频率,从而实现吸波频率的调控。但是上述具有可调吸波频率的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时具有光学透明性和可调吸波频率的电磁吸收结构,其特征在于包括按照从上到下顺序层叠的第一介质基板、第一石墨烯层、隔膜层、第二石墨烯层、第二介质基板、氧化铟锡层、第三介质基板、介质损耗层、反射层和第四介质基板,所述的第一介质基板、所述的第一石墨烯层、所述的隔膜层、所述的第二石墨烯层、所述的第二介质基板、所述的氧化铟锡层、所述的第三介质基板、所述的介质损耗层、所述的反射层和所述的第四介质基板中相邻两层之间相互连接,所述的第一介质基板、所述的隔膜层、所述的第二介质基板、所述的第三介质基板、所述的介质损耗层、所述的反射层和所述的第四介质基板的横截面均为正方形且四者完全重合;所述的第一石墨烯层由m*n个石墨烯频率选择表面单元构成构成,m*n个石墨烯频率选择表面单元按照m行n列形式均匀分布,m为大于等于1的整数,n为大于等于1的整数,每个所述的石墨烯频率选择表面单元分别包括第一正方形石墨烯块、第一矩形石墨烯块、第二矩形石墨烯块、第三矩形石墨烯块和第四矩形石墨烯块,所述的第一正方形石墨烯块的边长为2.7mm,所述的第一矩形石墨烯块、所述的第二矩形石墨烯块、所述的第三矩形石墨烯块和所述的第四矩形石墨烯块的长边长度均为0.315mm,宽边宽度均为0.05mm,所述的第一矩形石墨烯块位于所述的第一正方形石墨烯块的前侧,且所述的第一矩形石墨烯块的长边沿前后方向,宽边沿左右方向,所述的第一矩形石墨烯块的后端面与所述的第一正方形石墨烯块的前端面贴合连接,所述的第一矩形石墨烯块沿前后方向的对称线与所述的第一正方形石墨烯块沿前后方向的对称线位于同一直线;所述的第二矩形石墨烯块位于所述的第一正方形石墨烯块的左侧,且所述的第二矩形石墨烯块的长边沿左右方向,宽边沿前后方向,所述的第二矩形石墨烯块的右端面与所述的第一正方形石墨烯块的左端面贴合连接,所述的第二矩形石墨烯块沿左右方向的对称线与所述的第一正方形石墨烯块沿左右方向的对称线位于同一直线;所述的第三矩形石墨烯块位于所述的第一正方形石墨烯块的后侧,且所述的第三矩形石墨烯块的长边沿前后方向,宽边沿左右方向,所述的第三矩形石墨烯块的前端面与所述的第一正方形石墨烯块的后端面贴合连接,所述的第三矩形石墨烯块沿前后方向的对称线与所述的第一正方形石墨烯块沿前后方向的对称线位于同一直线,所述的第四矩形石墨烯块位于所述的第一正方形石墨烯块的右侧,且所述的第四矩形石墨烯块的长边沿左右方向,宽边沿前后方向,所述的第四矩形石墨烯块的左端面与所述的第一正方形石墨烯块的右端面贴合连接,所述的第四矩形石墨烯块沿左右方向的对称线与所述的第一正方形石墨烯块沿左右方向的对称线位于同一直线;位于第1行的n个石墨烯频率选择表面单元的第一矩形石墨烯块的前端面与所述的第一介质基板的前端面齐平,位于第1列的m个石墨烯频率选择表面单元的第二矩形石墨烯块的左端面与所述的第一介质基板的左端面齐平,位于第m行的n个石墨烯频率选择表面单元的第三矩形石墨烯块的后端面与所述的第一介质基板的后端面齐平,位于第n列的m个石墨烯频率选择表面单元的第四矩形石墨烯块的右端面与所述的第一介质基板的右端面齐平,位于同一行的n个石墨烯频率选择表面单元的第一正方形石墨烯块沿左右方向的对称线位于同一直线,位于同一列的m个石墨烯频率选择表面单元的第一正方形石墨烯块沿前后方向的对称线位于同一直线,位于第j行第k列的石墨烯频率选择表面单元的第四矩形石墨烯块的右端面与位于第j行第k+1列的石墨烯频率选择表面单元的第二矩形石墨烯块的左端面贴合连接,j=1,2,

,m;k=1,2,

,n

1;位于第d行第p列的石墨烯频率选择表面单元的第三矩形石墨烯块的后端面与位于第d
+1行第p列的石墨烯频率选择表面单元的第一矩形石墨烯块的前端面贴合连接,d=1,2,

,m

1;p=1,2,

,n;所述的第二石墨烯层的结构与所述的第一石墨烯层完全相同;当所述的第二石墨烯层接地时,如果给所述的第一石墨烯层加载0v电压,此时所述的第一石墨烯层和所述的第二石墨烯层的面阻值均2000Ω/sq,如果给所述的第一石墨烯层加载30v电压...

【专利技术属性】
技术研发人员:张豫钟硕敏
申请(专利权)人:宁波大学
类型:发明
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