一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法技术

本发明专利技术公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明专利技术使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr2、GeBr以及PEABr为原料以一定的比例进行称量，使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后，在石英片上进行悬涂，待成膜后在高温烤胶台上以70℃退火大约10min，获得CsPb1‑

【技术实现步骤摘要】
一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法


[0001]本专利技术属于材料
，具体涉及一种低毒(铅)、高效光致发光量子效率(PLQY)的绿光CsPb1‑
x
Ge
x
Br3(x＝0
‑
0.5)钙钛矿薄膜的制备方法，一种可应用于高性能绿光钙钛矿LED的光电材料。

技术介绍

[0002]钙钛矿半导体光电功能材料因其卓越的光电性能，近些年在太阳能电池,光电探测器和发光二极管(LED)等领域受到了广泛关注并成为研究热点。从2015年首次发现钙钛矿LED到现在，钙钛矿LED的电致发光外量子效率(EQE)已从0.76％提高到20％以上。相比已商业化的有机发光二极管(OLED)，钙钛矿LED具有成本低、颜色纯、色域宽、发射光谱窄、迁移率高等优势，具备可观的商业应用前景，有望在未来成为取代OLED的新一代高端显示技术。
[0003]虽然卤族钙钛矿材料具有卓越的光电性能，但目前普遍使用的卤族钙钛矿ABX3发光材料的B位元素铅(Pb)存在严重的环境隐患。无论在生产、使用和回收过程中，都会对环境和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤(1)、将CsBr、PbBr2、GeBr和PEABr按照1:1
‑
x:x:0.4，摩尔比称量，并放入玻璃瓶中，其中x＝0,0.1,0.2,0.3,0.4和0.5；步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.2μmol/ml；步骤(3)、将搅拌子加入到步骤(2)得到的CsPb1‑
x
Ge
x
Br3前驱体溶液中，并将其放入磁性搅拌机中搅拌；所述的搅拌子不与CsPb1‑
x
Ge
x
Br3前驱体溶液反应；步骤(4)、待溶液完全溶解，加入添加剂18
‑
冠醚
‑
6溶液并继续搅拌0.5
‑
3小时；步骤(5)、将溶液过滤；步骤(6)、将已经打完臭氧的清洁石英片放在悬涂机上，先点击开始旋转，待其速度达到2000
‑
6000转/s时，滴下一滴CsPb1‑
x
Ge
x
Br3钙钛矿前驱体溶液，待溶液全部铺展开21秒之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨得鑫，程垚，周继宁，饶敏，霍德璇，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：