芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件技术

公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d

【技术实现步骤摘要】
芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月17日和2020年9月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0129447和10-2020-0117036的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其全部内容通过引用引入本文中。


[0003]公开了芯壳量子点、制造所述芯壳量子点方法、以及包括所述芯壳量子点的电子器件。

技术介绍

[0004]与块状(本体)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，能带隙和熔点)可通过改变纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)为具有在若干纳米范围内的尺寸的结晶材料。因为半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸，因此所述半导体纳米晶体颗粒具有大的每单位体积的表面积，且由此，所述颗粒呈现出量子限制效应并且具有相同化学组成的块状材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源的能量例如光或施加的电流，并且在松弛至基态时，量子点发射与量子点的带隙能量对应的光能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.芯壳量子点，包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述壳包括锌硫属化物，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述芯壳量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d
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的峰面积小于或等于25％。2.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点具有大于0.1:1的碲对硒的摩尔比。3.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点具有小于或等于4:1的碲对硒的摩尔比。4.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d
5/2
的峰面积小于或等于20％。5.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点进一步包括另外的金属，且所述另外的金属包括铝、镓、锂、或其组合。6.如权利要求5所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点具有大于或等于0.001且小于或等于1.5的所述另外的金属对碲的摩尔比。7.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点不包括磷化铟。8.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点是水不溶性的。9.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述锌硫属化物包括硒、硫、或其组合。10.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点具有大于0:1且小于或等于4:1的硫对硒的摩尔比。11.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点具有大于0.5:1且小于或等于3:1的硫对碲的摩尔比。12.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点的最大发光峰波长在大于450纳米且小于或等于600纳米的范围内。13.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点的最大光致发光峰具有小于或等于30纳米的半宽度。14.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点具有大于或等于35％的量子效率。15.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点包括有机配体，并且所述有机配体包括RCOOH、RNH2、R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵智玄，黄成宇，金龙郁，金智荣，权秀暻，金善英，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：