集成电路芯片和射频模组制造技术

本发明专利技术公开一种集成电路芯片和射频模组。该集成电路芯片包括第一走线层、第二走线层和频率选择表面层；第一走线层上设有第一信号走线；第二走线层与第一走线层相对设置，且第二走线层上设有第二信号走线；频率选择表面层设置在第一走线层和第二走线层之间，且所述频率选择表面层上设有频率选择单元。该集成电路芯片中，第一走线层和第二走线层共用同一频率选择表面层，无需给两个走线层各配置一个频率选择表面层，有助于减少集成电路芯片的层数，降低芯片厚度并节省制造成本；在第一信号走线和/或第二信号走线进行信号传输过程中，频率选择单元会对接收到的特定频率的电磁波进行透射或反射，从而降低寄生电容。从而降低寄生电容。从而降低寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
集成电路芯片和射频模组


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种集成电路芯片和射频模组。

技术介绍

[0002]在当前信息技术发展的潮流中，集成电路芯片在电子信息工程和通信系统中应用广泛，具有小体积、高效率、高稳定性和高集成度的优点。一般来说，为了提高集成电路芯片的集成度和稳定性，通常将射频信号走线分布在集成电路芯片的不同走线层中，而射频信号走线和接地端之间会不可避免地产生寄生电容。因此，如何减少集成电路芯片上的射频信号走线之间以及射频信号走线与接地端之间的寄生电容成为本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种集成电路芯片和射频模组，以解决如何减少集成电路芯片上的射频信号走线之间以及射频信号走线与接地端之间的寄生电容的问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种集成电路芯片，包括第一走线层、第二走线层和频率选择表面层；所述第一走线层上设有第一信号走线；所述第二走线层与所述第一走线层相对设置，且所述第二走线层上设有第二信号走线；所述频率选择表面层设置在所述第一走线层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片，其特征在于，包括第一走线层、第二走线层和频率选择表面层；所述第一走线层上设有第一信号走线；所述第二走线层与所述第一走线层相对设置，且所述第二走线层上设有第二信号走线；所述频率选择表面层设置在所述第一走线层和所述第二走线层之间，且所述频率选择表面层上设有频率选择单元；所述频率选择单元被配置为减小所述第一信号走线与所述频率选择表面层之间的寄生电容、所述频率选择表面层与所述第二信号走线之间的寄生电容、以及所述第一信号走线和所述第二信号走线之间的寄生电容。2.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，所述频率选择单元的数量为多个，多个所述频率选择单元呈二维周期阵列结构排布在所述频率选择表面层上。3.如权利要求2所述的集成电路芯片，其特征在于，所述第一信号走线和所述第二信号走线在所述频率选择表面层上形成走线投影区域，所述走线投影区域的中心与至少一个所述频率选择单元的中心重合。4.如权利要求3所述的集成电路芯片，其特征在于，所述走线投影区域为所述第一信号走线在所述频率选择表面层上形成第一投影区域、所述第二信号走线在所述频率选择表面层上形成第二投影区域、或者所述第一投影区域和所述第二投影区域的投影重合区域。5.如权利要求2所述的集成电路芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：何森航，胡自洁，张海兵，方信维，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：