编址电路、方法及设备技术

技术编号:28137310 阅读:20 留言:0更新日期:2021-04-21 19:08
本发明专利技术公开了一种编址电路、方法及设备,属于编址技术领域。本发明专利技术的编址电路包括第一采样模块、第二采样模块、第一检测模块、第二检测模块及主控模块,第一采样模块用于连接电池的正极端以采集第一采样点的电压;第二采样模块连接电池的负极端以采集第二采样点的电压;第一检测模块连接第一采样模块,用于对第一采样点进行检测得到第一电压值;第二检测模块连接第二采样模块,用于对第二采样点进行检测得到第二电压值;主控模块分别连接第一检测模块与第二检测模块,用于根据第一电压值与第二电压值对电池编址,这种编址电路能够对每个电池的电压进行采集,根据采集到的电压值对这一电池进行自动编址,操作简单,提高了编址效率。提高了编址效率。提高了编址效率。

【技术实现步骤摘要】
编址电路、方法及设备


[0001]本专利技术涉及编址
,尤其涉及一种编址电路、方法及设备。

技术介绍

[0002]为了方便对多个电池串联组成的电池模组进行管理,往往需要对各个电池进行编址,而目前常常采用手动编址的方式对每个电池进行地址编写,操作复杂,影响编址的效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种编址电路,能够对每个电池的电压进行采集,根据采集到的电压值对这一电池进行自动编址,操作简单,提高了编址效率。
[0004]本专利技术还提出一种具有上述编址电路的编址方法。
[0005]本专利技术还提出一种具有上述编址电路的电子设备。
[0006]根据本专利技术的第一方面实施例的编址电路,包括:
[0007]第一采样模块,所述第一采样模块用于连接电池的正极端,所述第一采样模块用于采集第一采样点的电压,所述第一采样点的电压是所述电池的正极端的电压;
[0008]第二采样模块,所述第二采样模块连接所述电池的负极端,所述第二采样模块用于采集第二采样点的电压,所述第二采样点的电压是所述电池的负极端的电压;
[0009]第一检测模块,所述第一检测模块连接所述第一采样模块,所述第一检测模块用于对所述第一采样点进行检测,得到第一电压值;
[0010]第二检测模块,所述第二检测模块连接所述第二采样模块,所述第二检测模块用于对所述第二采样点进行检测,得到第二电压值;
[0011]主控模块,所述主控模块分别连接所述第一检测模块与所述第二检测模块,所述主控模块用于根据所述第一电压值与所述第二电压值对所述电池进行编址。
[0012]根据本专利技术实施例的编址电路,至少具有如下有益效果:这种编址电路通过第一采样模块对第一采样点的电压采样,第二采样模块对第二采样点的电压采样,并分别对第一采样点和第二采样点检测,得到第一电压值和第二电压值,主控模块根据第一电压值与第二电压值的变化对电池进行自动编址,操作简单,提高了编址效率。
[0013]根据本专利技术的一些实施例,所述第一采样模块包括第一电子开关和第一分压电阻;
[0014]所述第一电子开关的第一端分别连接所述电池的正极端、第一检测模块,所述第一电子开关的第二端连接所述第一分压电阻的第一端;
[0015]所述第一分压电阻的第一端连接所述第一电子开关的第二端,所述第一分压电阻的第二端连接所述第一检测模块。
[0016]根据本专利技术的一些实施例,所述第一电子开关为第一MOS管,所述第一MOS管的源
极连接所述电池的正极端,所述第一MOS管的漏极连接所述第一分压电阻的第一端,所述第一MOS管的栅极连接所述第一检测模块。
[0017]根据本专利技术的一些实施例,所述第一检测模块包括:
[0018]第一电阻,所述第一电阻的第一端连接所述第一分压电阻的第二端,所述第一电阻的第二端连接所述主控模块;
[0019]第二电阻,所述第二电阻的第一端连接所述第一电阻的第二端,所述第二电阻的第二端接地;
[0020]第三MOS管,所述第三MOS管的源极分别连接第二电阻的第二端与接地,所述第三MOS管的栅极连接所述主控模块,所述第三MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极;
[0021]第三电阻,所述第三电阻的第一端连接所述第一MOS管的栅极,所述第三电阻的第二端连接所述第三MOS管的漏极。
[0022]根据本专利技术的一些实施例,所述第一检测模块还包括:
[0023]泄放电阻,所述泄放电阻的第一端分别连接所述电池的正极端与所述第一MOS管的源极,所述泄放电阻的第二端分别连接所述第一MOS管的栅极与所述第三电阻的第一端。
[0024]根据本专利技术的一些实施例,所述第二电子开关为第二MOS管,所述第二MOS管的源极连接所述电池的负极端,所述第二MOS管的栅极连接所述第二检测模块,所述第二MOS管的漏极连接所述第二分压电阻的第一端。
[0025]根据本专利技术的一些实施例,所述第二检测模块包括:
[0026]第四电阻,所述第四电阻的第一端连接所述第二MOS管的栅极,所述第四电阻的第二端连接主控模块;
[0027]比较器,所述比较器的输入端连接所述第二分压电阻的第二端,所述比较器的输出端连接所述主控模块。
[0028]根据本专利技术的第二方面实施例的编址方法,包括:
[0029]分别对每一第一采样点与每一第二采样点进行电压检测,得到若干组电压值,其中,所述第一采样点的电压是电池正极端的电压,所述第二采样点的电压是电池负极端的电压,每组电压值包括第一电压值与第二电压值;
[0030]根据所述若干组电压值确定出电池模组中处于首端的电池和处于尾端的电池,将处于尾端的电池编址为0,将处于首端的电池编址为N,N为大于0的整数;
[0031]向第一电子开关发送第一控制指令,所述第一控制指令用于断开所述编址为M的电池的第一电子开关,将所述第一电压值发生变化的电池编址为M+1,M为偶数,M大于等于0且小于N;
[0032]向第二电子开关发送第二控制指令,所述第二控制指令用于断开所述编址为M的电池的第二电子开关,将所述第二电压值发生变化的电池编址为M+1,M为奇数。
[0033]根据本专利技术实施例的编址方法,至少具有如下有益效果:这种编址方法能够根据对每个第一采样点和每个第二采样点的电压进行采样,得到若干组电压值,根据这些第一电压值和第二电压值以及电池模组中各电池的串联关系,首先确定首尾两个电池的地址,对首尾两个电池编址之后依次对其他电池编址,操作简单,提高了编址准确性与编址效率。
[0034]根据本专利技术的第三方面实施例的电子设备,包括根据本专利技术上述第一方面实施例的编址电路。
[0035]根据本专利技术实施例的电子设备,至少具有如下有益效果:这种电子设备采用第一方面实施例的编址电路,通过第一采样模块对第一采样点的电压采样,第二采样模块对第二采样点的电压采样,并分别对第一采样点和第二采样点检测,得到第一电压值和第二电压值,主控模块根据第一电压值与第二电压值的变化对电池进行自动编址,操作简单,提高了编址效率。
[0036]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明,其中:
[0038]图1为本专利技术实施例的编址电路的结构示意图;
[0039]图2为本专利技术另一实施例的编址电路的结构示意图;
[0040]图3为图2中的编址电路的第一采样模块和第一检测模块的电路结构示意图;
[0041]图4为图2中的编址电路的第二采样模块和第二检测模块的电路结构示意图;
[0042]图5为本专利技术实施例的编址方法的流程图;
[0043]图6为本专利技术另一具体实施例的电池模组编址的示意图。
[0044]附图标记:100、本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.编址电路,其特征在于,包括:第一采样模块,所述第一采样模块用于连接电池的正极端,所述第一采样模块用于采集第一采样点的电压,所述第一采样点的电压是所述电池的正极端的电压;第二采样模块,所述第二采样模块连接所述电池的负极端,所述第二采样模块用于采集第二采样点的电压,所述第二采样点的电压是所述电池的负极端的电压;第一检测模块,所述第一检测模块连接所述第一采样模块,所述第一检测模块用于对所述第一采样点进行检测,得到第一电压值;第二检测模块,所述第二检测模块连接所述第二采样模块,所述第二检测模块用于对所述第二采样点进行检测,得到第二电压值;主控模块,所述主控模块分别连接所述第一检测模块与所述第二检测模块,所述主控模块用于根据所述第一电压值与所述第二电压值对所述电池进行编址。2.根据权利要求1所述的编址电路,其特征在于,所述第一采样模块包括第一电子开关和第一分压电阻;所述第一电子开关的第一端分别连接所述电池的正极端、第一检测模块,所述第一电子开关的第二端连接所述第一分压电阻的第一端;所述第一分压电阻的第一端连接所述第一电子开关的第二端,所述第一分压电阻的第二端连接所述第一检测模块。3.根据权利要求2所述的编址电路,其特征在于,所述第一电子开关为第一MOS管,所述第一MOS管的源极连接所述电池的正极端,所述第一MOS管的漏极连接所述第一分压电阻的第一端,所述第一MOS管的栅极连接所述第一检测模块。4.根据权利要求3所述的编址电路,其特征在于,所述第一检测模块包括:第一电阻,所述第一电阻的第一端连接所述第一分压电阻的第二端,所述第一电阻的第二端连接所述主控模块;第二电阻,所述第二电阻的第一端连接所述第一电阻的第二端,所述第二电阻的第二端接地;第三MOS管,所述第三MOS管的源极分别连接第二电阻的第二端与接地,所述第三MOS管的栅极连接所述主控模块,所述第三MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极;第三电阻,所述第三电阻的第一端连接所述第一MOS管的栅极,所述第三电阻的第二端连接所述第三MOS管的漏极。5.根据权利要求4所述的编址电...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁俊红张宝亮
申请(专利权)人:欣旺达电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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