在透明电极上形成辅助导电单元的制造方法及其制成品技术

一种在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法及其制成品，其中该制造方法包含：在一介电基板的第一侧面设置一第一触控导电迹线图案及一第一辅助导电迹线图案；在介电基板的第二侧面设置一第二触控导电迹线图案及一第二辅助导电迹线图案，该第一、第二辅助导电迹线图案均具有微型辅助导电单元并分别电性搭接在第一、第二触控导电迹线图案所界定的区域范围内，且该第一、第二辅助导电迹线图案的微型辅助导电单元的遮光率均在1%以下；其中，第一、第二触控导电迹线图案和第一、第二辅助导电迹线图案共同形成至少一触控传感器，第一、第二触控导电迹线图案的面电阻值在80-150 ohm/sq之间，第一、第二辅助导电迹线图案的面电阻值在0.05-0.2 ohm/sq之间。ohm/sq之间。ohm/sq之间。

【技术实现步骤摘要】
在透明电极上形成辅助导电单元的制造方法及其制成品


[0001]本专利技术涉及触控传感器的技术范畴，尤其是指一种在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法及其制成品。

技术介绍

[0002]目前使用的触控传感器，大都是使用透明的氧化铟锡(ITO)导电膜加工制作而成的，借由在透明ITO导电膜上刻划出数个触控感应电极及信号导线以形成触控感应结构。通常触控传感器的设计与生产，会根据产品尺寸的不同，而对透明ITO导电膜面电阻值有不同的要求；生产不同尺寸的产品，就需要使用不同条件的ITO导电膜，因此面对市场多样化尺寸的触摸板需求，导致业者的备料库存成本压力大增，且在生产制造方面面临复杂化困扰；另外，因为ITO导电膜的光学特性与导电度约略是成反比的关系，即导电度越高(面电阻值越小)光学特性越差，该特性导致在大尺寸触摸板的设计及制程开发上，面临到难以克服的瓶颈。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，根据本专利技术的制造方法即可在一基板的两个侧面同时地制备触控感应电极及信号导线，并在该触控感应电极及信号导线上形成辅助导电单元及辅助信号导线，以达到在不减损光学特性的情况下降低触控感应电极及信号导线的面电阻率的目的。
[0004]为达成上述目的，本专利技术的制造方法大致上包含如图1所示的制备步骤，即：1、制备多导电层的基板：在一介电性基板的第一侧面设置一第一触控导电层与一第一辅助导电层，在介电性基板的第二侧面设置一第二触控导电层与一第二辅助导电层。
[0005]2、第一黄光制程：在所述基板的第一侧面设置一第一光阻层，并在该第一光阻层显影形成一第一光阻迹线图案。
[0006]3、第二黄光制程：在所述基板的第二侧面上设置一第二光阻层，并在该第二光阻层显影形成一第二光阻迹线图案。
[0007]4、第一蚀刻制程：使用一第一蚀刻剂对所述基板进行蚀刻，在所述第一触控导电层与第一辅助导电层之上形成一第一触控导电迹线图案，在所述第二触控导电层与第二辅助导电层之上形成一第二触控导电迹线图案。
[0008]5、第一剥膜制程：移除所述第一光阻层和所述第二光阻层。
[0009]6、第三黄光制程：在所述基板的第一侧面设置一第三光阻层，并在该第三光阻层显影形成一第三光阻迹线图案。
[0010]7、第四黄光制程：在所述基板的第二侧面设置一第四光阻层，并在该第四光阻层显影形成一第四光阻迹线图案。
[0011]8、第二蚀刻制程：使用一第二蚀刻剂对所述基板进行蚀刻，在所述第一辅助导电层之上形成一第一辅助导电迹线图案，使所述第二辅助导电层之上形成一第二辅助导电迹
线图案。
[0012]9、第二剥膜制程：移除所述第三光阻层和所述第四光阻层。
[0013]通过本专利技术的制造方法，所述第一触控导电迹线图案、所述第一辅助导电迹线图案、所述第二触控导电迹线图案和所述第二辅助导电迹线图案共同形成至少一触控传感器；所述第一辅助导电迹线图案用以降低所述第一触控导电迹线图案的面电阻率，所述第二辅助导电迹线图案用以降低所述第二触控导电迹线图案的面电阻率。
[0014]本专利技术在设计应用与生产制造方面具有以下优势：1、单一规格化的生产原料准备：只需要择定一优化规格的触控导电层(面电阻值约在80-150 ohm/sq之间)和辅助导电层(面电阻值约在0.05-0.2 ohm/sq之间)，就可以应用在大部分尺寸的触控面板产品，据此可大幅降低备料成本与库存压力。
[0015]2、提升触控面板设计的灵活性与简便性：通过对辅助导电迹线图案的修改设计即可调整设定触控导电迹线图案的面电阻率，以满足各种尺寸的触控面板产品的阻值需要。
[0016]3、简化生产技术并增进产品生产效率：可通过黄光制程加工形成辅助导电迹线图案来调控触控导电迹线图案的面电阻率，以便产出符合各种尺寸触控面板产品所需的阻值，黄光制程技术成熟生产效率高。
[0017]4、适用于大尺寸触控面板产品设计与生产：当产品尺寸越大，要求回路阻值越低，因此被用来制作触控导电迹线图案的ITO导电膜就必须增加厚度以增加导电性，导致光学特性越差，然而，如果ITO导电膜制作的触控导电迹线图案如果搭配由铜导电膜制作的辅助导电迹线图案而使用，就可在不增加厚度的情况下提升导电率，因此应用在大尺寸触控面板产品时没有光学劣化的问题。
[0018]本
技术实现思路
是以简化形式介绍一些选定概念，在下文的实施方式中将进一步对其进行描述。本
技术实现思路
并非意欲辨识申请专利的标的的关键特征或基本特征，也非意欲用于限制申请专利的标的的范围。
附图说明
[0019]图1为本专利技术制造方法的加工流程方块图。
[0020]图2为第一实施例在基板两侧分别形成两导电层与一光阻层的横截面示意图。
[0021]图3为第一实施例在实施第一黄光制程与第二黄光制程后的基板横截面示意图。
[0022]图4为第一实施例在实施第一蚀刻制程后的基板横截面示意图。
[0023]图5为第一实施例在实施第一剥膜制程后的基板横截面示意图。
[0024]图6为第一实施例在基板两侧分别形成一光阻层的横截面示意图。
[0025]图7为第一实施例在实施第三黄光制程与第四黄光制程后的基板横截面示意图。
[0026]图8为第一实施例在实施第二蚀刻制程后的基板横截面示意图。
[0027]图9为第一实施例制成品的基板横截面示意图。
[0028]图10为第一实施例制成品的平面图。
[0029]图11为第一实施例制成品在基板第一侧面上的X轴向触控感应迹线的平面图。
[0030]图12为第一实施例制成品的第一触控导电迹线图案的平面图。
[0031]图13为第一实施例制成品的第一辅助导电迹线图案的平面图。
[0032]图14为图11的F部放大平面示意图。
[0033]图15为第一实施例制成品的另一种微细导电迹线图案的平面示意图。
[0034]图16为第一实施例制成品的另一种微细导电迹线图案的平面示意图。
[0035]图17为第一实施例制成品的另一种微细导电迹线图案的平面示意图。
[0036]图18为第一实施例制成品在基板第二侧面上的Y轴向触控感应迹线的平面图。
[0037]图19为第二实施例在基板两侧分别形成两导电层与一光阻层的横截面示意图。
[0038]图20为第二实施例在实施第一黄光制程与第二黄光制程后的基板横截面示意图。
[0039]图21为第二实施例在实施第一蚀刻制程后的基板横截面示意图。
[0040]图22为第二实施例在实施第一剥膜制程后的基板横截面示意图。
[0041]图23为第二实施例在基板两侧分别形成一光阻层的横截面示意图。
[0042]图24为第二实施例在实施第三黄光制程与第四黄光制程后的基板横截面示意图。
[0043]图25为第二实施例在实施第二蚀刻制程后的基板横截面示意图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：制备导电基板：在一介电基板的第一侧面上依序叠合设置一第一触控导电层与一第一辅助导电层，在所述基板的第二侧面上依序叠合设置一第二触控导电层与一第二辅助导电层，所述第一侧面隔着所述基板与所述第二侧面相对，其中，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层是由相同材料形成的透明的导电薄膜，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层是由相同材料形成的不透光的导电薄膜，所述第一辅助导电层的面电阻率低于所述第一触控导电层的面电阻率，所述第一辅助导电层电性叠接在所述第一触控导电层之上，所述第二辅助导电层的面电阻率低于所述第二触控导电层的面电阻率，所述第二辅助导电层电性叠接在所述第二触控导电层之上；第一黄光制程：在所述基板的所述第一侧面上设置一第一光阻层，并在所述第一光阻层上显影形成一第一光阻迹线图案，所述第一光阻迹线图案中至少包含有一第一触控感应电极的图案部分及一第一信号导线的图案部分，其中，所述第一触控感应电极是沿第一方向呈串行状设置，所述第一信号导线是电性连接所述第一触控感应电极；第二黄光制程：在所述基板的所述第二侧面上设置一第二光阻层，并在所述第二光阻层上显影形成一第二光阻迹线图案，所述第二光阻迹线图案中至少包含有一第二触控感应电极的图案部分及一第二信号导线的图案部分，其中，所述第二触控感应电极是沿第二方向呈串行状设置，所述第二信号导线是电性连接所述第二触控感应电极；第一蚀刻制程：使用一第一蚀刻剂对所述第一触控导电层、所述第一辅助导电层、所述第二触控导电层和所述第二辅助导电层进行蚀刻，以去除掉没有被所述第一光阻层和所述第二光阻层保护的材料部分；第一剥膜制程：移除所述第一光阻层和所述第二光阻层，在所述基板的所述第一侧面上的所述第一触控导电层及所述第一辅助导电层之上皆被蚀刻形成一与所述第一光阻迹线图案相应的第一触控导电迹线图案，在所述基板的所述第二侧面上的所述第二触控导电层及所述第二辅助导电层之上皆被蚀刻形成一与所述第二光阻迹线图案相应的第二触控导电迹线图案；第三黄光制程：在所述基板的所述第一侧面上设置一第三光阻层，并在所述第三光阻层上显影形成一第三光阻迹线图案，所述第三光阻迹线图案中包含至少一第一微型辅助导电单元的图案部分及一第一辅助信号导线的图案部分，其中，所述第一微型辅助导电单元是设置在所述第一触控感应电极的区域范围内，所述第一辅助信号导线的至少一部分重叠的形成在所述第一信号导线的区域范围内；第四黄光制程：在所述基板的所述第二侧面上设置一第四光阻层，并在所述第四光阻层上显影形成一第四光阻迹线图案，所述第四光阻迹线图案中包含至少一第二微型辅助导电单元的图案部分及一第二辅助信号导线的图案部分，其中，所述第二微型辅助导电单元是设置在所述第二触控感应电极的区域范围内，所述第二辅助信号导线的至少一部分重叠的形成在所述第二信号导线的区域范围内；第二蚀刻制程：使用一第二蚀刻剂对所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层进行蚀刻，以去除掉没有被所述第三光阻层和所述第四光阻层保护的材料部分，所述第二蚀刻剂不会与所述第一触控导电层和所述第二触控导电层的材料产生蚀刻反应；以及
第二剥膜制程：移除所述第三光阻层和所述第四光阻层，在所述基板的所述第一侧面上的所述第一辅助导电层上被蚀刻形成一与所述第三光阻迹线图案相应的第一辅助导电迹线图案，而所述第一触控导电层上仍然保持所述第一触控导电迹线图案，在所述基板的所述第二侧面上的所述第二辅助导电层上被蚀刻形成一与所述第四光阻迹线图案相应的第二辅助导电迹线图案，而所述第二触控导电层上仍然保持所述第二触控导电迹线图案；其中，所述第一触控导电迹线图案、所述第一辅助导电迹线图案、所述第二触控导电迹线图案和所述第二辅助导电迹线图案共同形成一触控传感器；所述第一辅助导电迹线图案用以降低所述第一触控导电迹线图案的面电阻率，所述第二辅助导电迹线图案用以降低所述第二触控导电迹线图案的面电阻率。2.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层的面电阻率介于80~150 ohm/sq之间，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层的面电阻率介于0.05~0.2 ohm/sq之间。3.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层的材料选自于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝、氧化锡锑或聚乙撑二氧噻吩之一。4.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层的材料选自于金、银、铜、铝、钼、镍或前述材料的合金之一。5.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻剂为一种复合型蚀刻剂，以对所述第一触控导电层、所述第一辅助导电层、所述第二触控导电层和所述第二辅助导电层的材料产生蚀刻作用。6.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层是由氧化铟锡材料形成，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层是由铜材料形成。7.如权利要求6所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻剂包含硝酸铁与盐酸，所述第二蚀刻剂为硝酸铁。8.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，在所述第一光阻层上显影形成所述第一光阻迹线图案，以及在所述第二光阻层上显影形成所述第二光阻迹线图案，二者是同时进行。9.如权利要求1所述的在触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，在所述第三光阻层上显影形成所述第三光阻迹线图案，以及在所述第四光阻层上显影形成所述第四光阻迹线图案，二者是同时进行。10.一种如权利要求1至9中任一项所述的制造方法所制成的触控传感器，其特征在于，包含：一基板，为一具备介电性、高透光率的板材，在所述基板上被界定出一触控工作区域及一非触控工作区域，所述触控工作区域位于所述基板的中央部位，所述非触控工作区域位于所述基板的四周边缘部位；一第一触控导电层，为一透明的导电薄膜，其被设置在所述基板的第一侧面上，所述第一触控导电层具有第一触控导电迹线图案，所述第一触控导电迹线图案包含数个第一触控
感应电极以及数个第一信号导线，其中，所述数个第一触控感应电极被布置在所述触控工作区域内，个别所述第一触控感应电极是沿第一方向呈串行状设置，并在个别所述第一触控感应电极的至少一端缘电性连接至所述数个第一信号导线之一，所述数个第一信号导线被布置在所述非触控工作区域内；一第一辅助导电层，为一不透光的导电薄膜，其电性搭接在所述第一触控导电层之上，所述第一辅助导电层的面电阻率低于所述第一触控导电层的面电阻率，所述第一辅助导电层具有第一辅助导电迹线图案，所述第一辅助导电迹线图案是形成在所述第一触控导电迹线图案所界定的区域范围内，其中，所述第一辅助导电迹线图案包含数个第一微型辅助导电单元及数个第一辅助信号导线，所述第一微型辅助导电单元是被重叠的形成在所述第一触控感应电极的区域范围内，所述第一辅助信号导线是被重叠的形成在所述第一信号导线的区域范围的至少一部分；一第二触控导电层，为一透明的导电薄膜，其设置在所述基板的第二侧面上，所述第二触控导电层具有第二触控导电迹线图案，所述第二触控导电迹线图案包含数个第二触控感应电极以及数个第二信号导线，其中，所述数个第二触控感应电极被布置在所述触控工作区域内，个别所述第二触控感应电极是沿第二方向呈串行状设置，并在个别所述第二触控感应电极的至少一端缘电性连接至所述数个第二信号导线之一，所述数个第二信号导线被布置在非触控工作区域内，所述第二方向正交于所述第一方向；以及一第二辅助导电层，为一不透光的导电薄膜，其电性搭接在所述第二触控导电层之上，所述第二辅助导电层的面电阻率低于所述第二触控导电层的面电阻率，所述第二辅助导电层具有第二辅助导电迹线图案，所述第二辅助导电迹线图案是形成在所述第二触控导电迹线图案所界定的区域范围内，其中，所述第二辅助导电迹线图案包含数个第二微型辅助导电单元及数个第二辅助信号导线，所述第二微型辅助导电单元是被重叠的形成在所述第二触控感应电极的区域范围内，所述第二辅助信号导线是被重叠的形成在所述第二信号导线的区域范围的至少一部分；其中，所述第一触控导电迹线图案、所述第一辅助导电迹线图案、所述第二触控导电迹线图案和所述第二辅助导电迹线图案共同形成一触控传感器；所述第一辅助导电迹线图案用以降低所述第一触控导电迹线图案的面电阻率，所述第二辅助导电迹线图案用以降低所述第二触控导电迹线图案的面电阻率。11.如权利要求10所述的触控传感器，其特征在于，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层的面电阻率介于80~150 ohm/sq之间，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层的面电阻率介于0.05~0.2 ohm/sq之间。12.如权利要求10所述的触控传感器，其特征在于，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层是由氧化铟锡材料形成，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层是由铜材料形成。13.如权利要求10所述的触控传感器，其特征在于，所述第一微型辅助导电单元和所述第二微型辅助导电单元均为一微细导电迹线图案，所述微细导电迹线图案是由纳米级尺寸的点、线或面的图形元素之一或数个组合而成。14.如权利要求13所述的触控传感器，其特征在于，所述第一微型辅助导电单元是被均匀分布设置在所述第一触控感应电极的表面上，且所述第一微型辅助导电单元的遮光率在1%以下，以及所述第二微型辅助导电单元是被均匀分布设置在所述第二触控感应电极的表
面上，且所述第二微型辅助导电单元的遮光率在1%以下。15.如权利要求14所述的触控传感器，其特征在于，所述遮光率在0.05%至0.2%之间。16.如权利要求13所述的触控传感器，其特征在于，所述第一微型辅助导电单元以及所述第二微型辅助导电单元均为一条或数条金属细线，所述金属细线的线径宽度在8μm以下。17.如权利要求10所述的触控传感器，其特征在于，所述第一微型辅助导电单元不连接于所述第一辅助信号导线，所述第二微型辅助导电单元不连接于所述第二辅助信号导线。18.一种在多触控传感器的透明电极上形成辅助导电单元的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：制备导电基板：在一介电基板的第一侧面上依序叠合设置一第一触控导电层与一第一辅助导电层，在所述基板的第二侧面上依序叠合设置一第二触控导电层与一第二辅助导电层，所述第一侧面隔着所述基板与所述第二侧面相对，其中，所述第一触控导电层和所述第二触控导电层是由相同材料形成的透明的导电薄膜，所述第一辅助导电层和所述第二辅助导电层是由相同材料形成的不透光的导电薄膜，所述第一辅助导电层的面电阻率低于所述第一触控导电层的面电阻率，所述第一辅助导电层电性叠接在所述第一触控导电层之上，所述第二辅助导电层的面电阻率低于所述第二触控导电层的面电阻率，所述第二辅助导电层电性叠接在所述第二触控导电层之上；第一黄光制程：在所述基板的所述第一侧面上设置一第一光阻层，并在所述第一光阻层上显影形成一第一光阻迹线图案，所述第一光阻迹线图案中至少包含有数个第一触控感应电极的图案部分、数个第二触控感应电极的图案部分及数个第一信号导线的图案部分，其中，所述第一触控感应电极与所述第二触控感应电极是沿第一方向呈串行状设置，且彼此呈平行且间隔排列，并在所述第一触控感应...

【专利技术属性】
技术研发人员：白志强，林孟癸，黄鸿棋，
申请(专利权)人：洋华光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：