射频装置及其电压产生装置制造方法及图纸

一种射频装置及其电压产生装置。电压产生装置包括第一开关与第二开关。第一开关的第一端接收第一电压。第一开关的控制端接收第二电压。第二开关的第一端接收第二电压。第二开关的控制端接收第一电压。第二开关的第二端以及第一开关的第二端耦接至输出节点，其中该输出节点输出相关于第一电压与第二电压二者至少一者的输出电压。一者的输出电压。一者的输出电压。

【技术实现步骤摘要】
射频装置及其电压产生装置


[0001]本专利技术是有关于一种电子电路，且特别是有关于一种射频(radio frequency,RF)装置及其电压产生装置。

技术介绍

[0002]许多射频(Radio Frequency，RF)电子产品(例如移动电话、无线传呼机、无线基础设施、卫星通信装置、电视设备以及/或是其他射频产品)配置了射频电路(诸如射频切换器等)与其他组件。驱动电路可以依照系统的控制信号来改变射频切换器的射频传输路径。如何使用所述控制信号的电压来产生驱动电路的电源电压，是技术课题之一。
[0003]须注意的是，「
技术介绍
」段落的内容是用来帮助了解本专利技术。在「
技术介绍
」段落所揭露的部分内容(或全部内容)可能不是所属
中具有通常知识者所知道的习知技术。在「
技术介绍
」段落所揭露的内容，不代表该内容在本专利技术申请前已被所属
中具有通常知识者所知悉。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种射频装置及其电压产生装置，其可以使用第一电压与(或)第二电压的电压来产生输出电压。
[0005]本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压产生装置，其特征在于，包括：一第一开关，具有一第一端被配置为接收一第一电压，其中该第一开关的一控制端被配置为接收一第二电压；以及一第二开关，具有一第一端被配置为接收该第二电压，其中该第二开关的一控制端被配置为接收该第一电压，该第二开关的一第二端以及该第一开关的一第二端耦接至一输出节点，以及该输出节点输出相关于该第一电压与该第二电压二者至少一者的一输出电压。2.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一电压为一第一控制信号，该第二电压为一第二控制信号或一系统电压。3.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压为一高逻辑位准且该第二电压为一低逻辑位准时，该第一开关为导通且该第二开关为截止，以及该第一开关将该第一电压传输至该输出节点以产生该输出电压；以及当该第一电压为一低逻辑位准且该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关为截止且该第二开关为导通，以及该第二开关将该第二电压传输至该输出节点以产生该输出电压。4.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，更包括：一第三开关，具有一第一端被配置为接收该第一电压或该第二电压，其中该第三开关的一控制端被配置为接收一控制电压，以及该第三开关的一第二端耦接至该输出节点。5.如权利要求4所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压与该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关与该第二开关为截止，该第三开关为导通，以及该第三开关将该第一电压或该第二电压传输至该输出节点以产生该输出电压。6.如权利要求4所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一开关、第二开关与该第三开关是金属氧化物半导体晶体管、双极结型晶体管或异质结双极晶体管。7.如权利要求6所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一开关、第二开关与该第三开关是P通道金属氧化物半导体晶体管。8.如权利要求4所述的电压产生装置，其特征在于，更包括：一逻辑电路，耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压，其中该逻辑电路依据该第一电压与该第二电压来改变该控制电压。9.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压与该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关与该第二开关为截止，该逻辑电路藉由该控制电压导通该第三开关，以及该第三开关将该第一电压或该第二电压传输至该输出节点作为该输出电压。10.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，其中该逻辑电路包括：一与非门，具有一第一输入端与一第二输入端分别接收该第一电压与该第二电压，其中该与非门的一输出端耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压。11.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，更包括：一电压产生器，耦接至该逻辑电路的一电源端以提供一调节电压，其中该电压产生器使用该第一电压与该第二电压来产生该调节电压。12.如权利要求11所述的电压产生装置，其特征在于，其中该调节电压小于该输出电压。13.如权利要求11所述的电压产生装置，其特征在于，其中该电压产生器包括：
一第一二极管电路，具有一阳极被配置为接收该第一电压，其中该第一二极管电路的一阴极耦接至该与非门的该电源端；以及一第二二极管电路，具有一阳极被配置为接收该第二电压，其中该第二二极管电路的一阴极耦接至该与非门的该电源端。14.如权利要求13所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一二极管电路与该第二二极管电路的任一个包括：一晶体管，具有一第一端作为该阳极，其中该晶体管的一控制端耦接至该晶体管的一第二端，而该晶体管的该第二端作为该阴极。15.一种射频装置，其特征在于，包括：一第一开关，具有一第一端被配置为接收一第一电压，其中该第一开关的一控制端被配置为...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡贤皇，陈智圣，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：