一种并行双M-Z光纤磁传感装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种并行双M

【技术实现步骤摘要】
一种并行双M
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Z光纤磁传感装置及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光纤传感领域，尤其涉及一种并行双M
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Z光纤磁传感装置及其制作方法。

技术介绍

[0002]近年来，磁场检测在军事、航空航天、化学微检测、工业和电力传输等诸多领域应用愈加广泛。在电磁科学研究中，磁场测量可以作为检验电磁理论计算是否准确的有效手段，为许多难以计算的磁场环境提供测量数值；在电力工业，磁场测量可用于电力系统状态检测、电气设备内外磁场分布测量等；在电磁兼容领域研究中，磁场测量可用于检测电气、电子设备的对外电磁辐射与干扰，以及研究环境磁场对电子仪器运行的影响；在微波技术中，需要对微波发射与接收设备周围磁场进行测量。
[0003]磁流体作为一种新型功能介质，具有法拉第效应、磁致折变效应等多种独特磁光特性，因此，许多基于磁流体的光学器件被相继研发，如可调谐慢光器件、可调谐电容器、光开关等。同时，磁流体因液体流动性极易与光学光纤结合。随着传感技术的飞速发展，光纤传感器以其体积小、重量轻、灵敏度高、耐腐蚀、抗电磁干扰等优异的特性倍受本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种并行双M
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Z光纤磁传感装置，其特征在于，包括宽带光源、光纤耦合器、M
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Z磁传感探头、参考M
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Z磁传感探头和光谱分析仪；所述第一光纤耦合器一侧端口通过单模光纤与宽带光源连接，所述第一光纤耦合器另一侧两端口通过单模光纤分别与M
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Z磁传感探头和参考M
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Z磁传感探头一端相连，所述第二光纤耦合器一侧端口通过单模光纤与光谱分析仪相接，所述第二光纤耦合器另一侧两端口通过单模光纤分别与M
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Z磁传感探头和参考M
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Z磁传感探头另一端相连；所述M
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Z磁传感探头设有干涉结构的光纤，所述干涉结构的光纤外部套设有封闭的石英微管，所述石英微管内部和干涉结构光纤外部之间的封闭空间中填充有磁流体，在石英微管内形成一个M
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Z干涉仪。2.根据权利要求1所述一种并行双M
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Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M
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Z磁传感探头采用偏置M
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Z干涉结构，所述偏置M
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Z干涉结构内设有偏置结构的单模光纤，所述偏置结构两边的单模光纤中心对齐。3.根据权利要求1所述一种并行双M
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Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M
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Z磁传感探头采用拉锥M
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Z干涉结构，所述拉锥M
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Z干涉结构内设有拉锥结构的单模光纤。4.根据权利要求1所述一种并行双M
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Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M
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Z磁传感探头采用双球M
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Z干涉结构，所述双球M
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Z干涉结构内设有光子晶体光纤，所述光子晶体光纤的两端分别与单模光纤端面的光纤泡熔接。5.根据权利要求1所述一种并行双M
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Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M
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Z磁传感探头和参考M
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Z磁传感探头长度为1至1.5cm。6.根据权利要求1所述一种并行双M
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Z光纤磁传感装置及其制作方法，其特征在于：所述光纤耦合器的分光比为50％。7.根据权利要求1所述一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘博，忻向军，赵立龙，毛雅亚，郑杰文，王瑞春，沈磊，任建新，吴泳锋，孙婷婷，
申请(专利权)人：南京信息工程大学，
类型：发明
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