YAG晶片的研磨加工方法技术

本发明专利技术提供了一种YAG晶片的研磨加工方法，包括S1：提供平面研磨机，提供YAG晶片，设定所述YAG晶片具有A面和B面，对A面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；S2：对B面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；S3：继续对B面进行研磨，研磨过程中低价二号研磨液；S4：对A面进行研磨，研磨过程中滴加二号研磨液；S5：将金刚石固结磨粒盘固定在研磨盘上，对A面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；S6：对B面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；S7：超声清洗晶片；S8：将晶片放入退火炉中。本发明专利技术的YAG晶片的研磨加工方法，采用游离磨料和固结磨料依次对YAG晶片进行研磨，材料去除率高、晶片面型精度高、表面损伤小。表面损伤小。表面损伤小。

【技术实现步骤摘要】
YAG晶片的研磨加工方法


[0001]本专利技术涉及一种YAG晶片的研磨加工方法。

技术介绍

[0002]YAG材料具有优异的光学性能，被广泛运用于激光武器、激光工业、激光医疗中，现代激光技术发展对于YAG材料的加工质量也提出了更高的要求。
[0003]YAG晶片研磨加工属于硬脆材料超精密加工技术，目前对YAG的研磨加工技术包括双面行星研磨技术、单面游离磨料研磨技术，其中双面行星研磨技术，加工效率高，当晶片厚度更薄时，行星架制造有难度，强度不够，不适合超薄晶片的加工；单面游离磨料技术，加工效率较高，但是磨料利用率低下，加工后晶体表面易产生较深磨痕和亚表面损伤，晶片面形精度也较差。
[0004]有鉴于此，有必要对现有的YAG晶片的研磨加工方法予以改进，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种YAG晶片的研磨加工方法，以解决现有。
[0006]为实现上述目的，一种YAG晶片的研磨加工方法，其特征在于：所述YAG晶片的研磨加工方法包括如下步骤：
[0007]S1：提供平面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种YAG晶片的研磨加工方法，其特征在于：所述YAG晶片的研磨加工方法包括如下步骤：S1：提供平面研磨机，提供YAG晶片，设定所述YAG晶片具有A面和B面，用石蜡将B面粘贴在载物盘上，对A面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；S2：将YAG晶片取下，用石蜡将A面粘贴在载物盘上，对B面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；S3：继续对B面进行研磨，研磨过程中低价二号研磨液；S4：将YAG晶片取下，用石蜡将B面粘贴在载物盘上，对A面进行研磨，研磨过程中滴加二号研磨液；S5：将金刚石固结磨粒盘固定在研磨盘上，对A面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；S6：将YAG晶片取下，用石蜡将A面粘贴在载物盘上，对B面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；S7：超声清洗晶片，清洗液为去离子水，清洗时间为30min；S8：将晶片放入退火炉中，然后以70℃/h的升温速度将退火炉升温至1100℃，保温36h,然后以50℃/h的降温速度将退火炉降至室温。2.根据权利要求1所述的YAG晶片的研磨加工方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中一号研磨液包括：磨粒、去离子水、添加剂，其中磨粒为碳化硼、碳化硅中的任意一种，粒度为10～14μm，含量为6wt％；添加剂为分散剂SDS、SDBS中的一种，含量为0.4wt％，保湿剂为丙三醇，三乙醇胺中的一种，含量为0.4wt％。3.根据权利要求2所述的YAG晶片的研磨加工方法，其特征在于：步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志刚，
申请(专利权)人：江苏集萃精凯高端装备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：