本发明专利技术提供一种检测装置，该检测装置包括：电致检测设备，电致检测设备包括：基板以及阵列设置在基板上的多个供电头，基板内设置有多个控制晶体管，每一控制晶体管与一个供电头电连接，供电头用于与待测的发光二极管的电极接触，以在控制晶体管的控制下驱动待测的发光二极管发光；每一控制晶体管控制一个待测的发光二极管发光，以实现各待测的发光二极管的单独控制，当其中任一待测的发光二极管发生短路时，不会影响其他待测的发光二极管正常发光。不会影响其他待测的发光二极管正常发光。不会影响其他待测的发光二极管正常发光。
【技术实现步骤摘要】
检测装置
[0001]本专利技术涉及显示设备检测
，尤其涉及一种检测装置。
技术介绍
[0002]随着显示设备技术的发展，微发光二极管显示装置以其较高的亮度以及较长的使用寿命逐渐得到广泛的应用。微发光二极管显示装置在制作时一般先将多个微发光二极管呈阵列状的生长在蓝宝石衬底上，之后再将各微发光二极管安装在基板上，以形成微发光二极管显示装置。
[0003]相关技术中，在各微发光二极管生长在蓝宝石衬底上之后，需要通过检测装置对微发光二极管进行检测，然而现有的微发光二极管的检测装置存在各种缺陷，例如存在无法获知微发光二极管能否正常工作的技术问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种检测装置，以解决无法获知微发光二极管能否正常工作的技术问题。
[0005]本专利技术实施例提供了一种检测装置，包括：电致检测设备，所述电致检测设备包括：基板以及阵列设置在所述基板上的多个供电头，所述基板内设置有多个控制晶体管，每一所述控制晶体管与一个所述供电头电连接，所述供电头用于与待测的发光二极管的电极接触，以在所述控制晶体管的控制下驱动所述发光二极管发光。
[0006]如上所述的检测装置，其中，所述电致检测设备还包括图像采集装置，所述图像采集装置用于获取与所述供电头接触的所述待测的发光二极管的图像。可以获取基板对应的所有待测的发光二极管的图像，进而根据图像可以准确的确定发光不正常的待测的发光二极管的位置，检测较为准确。
[0007]如上所述的检测装置，其中，所述供电头包括柔性载台，所述柔性载台背离所述基板的一侧设置有凹槽，所述凹槽的相对两个侧壁上均设有凸起，其中一个所述凸起背离所述基板的一侧设置有第一触点，另一所述凸起背离所述基板的一侧设置有第二触点；所述凹槽中与所述凸起相邻的壁与所述凸起之间具有间隙，所述第一触点用于与所述待测的发光二极管的一个电极接触，所述第二触点用于与所述待测的发光二极管的另一电极接触，所述第一触点和所述第二触点之间具有间隙。可以避免在移动基板以使供电头与待测的发光二极管接触时，供电头撞击待测的发光二极管而导致的待测的发光二极管损坏。
[0008]如上所述的检测装置，其中，所述检测装置还包括光致检测设备，所述光致检测设备包括：光源、透镜组件以及光检测设备，所述光源发出的光线照射在所述待测的发光二极管上；所述透镜组件设置在所述待测的发光二极管和所述光检测设备之间，所述透镜组件用于将所述待测的发光二极管上经所述光源照射后产生的荧光汇聚到所述光检测设备，所述光检测设备用于检测所述荧光的光谱信息。可以进一步对待测的发光二极管进行检测，以丰富检测功能。
[0009]如上所述的检测装置，其中，所述光检测设备包括光谱仪、图像传感器和积分球。通过光谱仪可以直接获取待测的发光二极管发出的荧光的光谱，通过图像传感器可以获取荧光的亮度。
[0010]如上所述的检测装置，其中，所述光致检测设备还包括反光镜，所述反光镜设置在所述透镜组件和所述光检测设备之间，用于将来自所述透镜组件的光线反射向所述光检测设备。光检测设备可以设置在透镜组件主光轴的外侧，方便了光检测设备的布置。
[0011]如上所述的检测装置，其中，所述透镜组件包括至少一个凸透镜。当凸透镜为多个时，多个凸透镜的主光轴共线设置，合理的设置个凸透镜的位置，可以使透镜组具有放大功能。
[0012]如上所述的检测装置，其中，所述光源为多个，且多个所述光源为阵列设置。可以提高照射在光致检测设备对应的区域内待测的发光二极管的光线的均匀性。
[0013]如上所述的检测装置，其中，还包括光功率计，所述光功率计用于检测所述光源的光源光功率、第一温度下所述待测的发光二极管发出的荧光的第一激发光功率、所述第一温度下透过所述待测的发光二极管的第一透射光功率、第二温度下所述待测的发光二极管发出的荧光的第二激发光功率以及所述第二温度下透过所述待测的发光二极管的第二透射光功率；优选地，所述光功率计用于获取内量子效率。可以检测待测的发光二极管的内量子效率，进而根据内量子效率判断待测的发光二极管是否正常。
[0014]如上所述的检测装置，其中，所述基板为硅基背板，所述控制晶体管为MOS晶体管。
[0015]本专利技术实施例提供的检测装置，基板上设置有多个供电头，基板内设置有多个控制晶体管，每一控制晶体管与一个供电头电连接，检测时，移动基板以使每一供电头与蓝宝石衬底上的一个待测的发光二极管接触，通过控制晶体管控制待测的发光二极管发光；每一控制晶体管控制一个待测的发光二极管发光，以实现各待测的发光二极管的单独控制，当其中任一待测的发光二极管发生短路时，不会影响其他待测的发光二极管正常发光。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本实施例提供的检测装置中通过电致检测设备检测时的示意图；
[0018]图2为本实施例提供的检测装置中基板的结构示意图一；
[0019]图3为本实施例提供的检测装置中蓝宝石衬底的示意图；
[0020]图4为本实施例提供的检测装置中基板的结构示意图二；
[0021]图5为图4中A处的局部放大图；
[0022]图6为本实施例提供的检测装置中控制晶体管与供电头的连接示意图；
[0023]图7为本实施例提供的检测装置中控制晶体管与待测的发光二极管的连接电路图；
[0024]图8为本实施例提供的检测装置中光致检测设备的结构示意图；
[0025]图9为本实施例提供的检测装置中光源使单颗待测的发光二极管发出荧光的示意
图；
[0026]图10为本实施例提供的检测装置中光源使多颗待测的发光二极管发出荧光的示意图一；
[0027]图11为本实施例提供的检测装置中光源使多颗待测的发光二极管发出荧光的示意图二；
[0028]图12为本实施例提供的检测装置在检测时获取的电流和源极漏极间电压差的曲线图；
[0029]图13为检测第一温度下单颗待测的发光二极管的第一激发光功率的示意图；
[0030]图14为检测第二温度下单颗待测的发光二极管的第二激发光功率的示意图。
[0031]附图标记说明：
[0032]10：蓝宝石衬底；
[0033]20：承载平台；
[0034]30：基板；
[0035]40：图像采集装置；
[0036]50：光源；
[0037]60：透镜组件；
[0038]70：反光镜；
[0039]80：光检测设备；
[0040]101：待测的发光二极管；
[0041]301：柔性载台；
[0042]302：第一触点；
[0043]303本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测装置，其特征在于，包括：电致检测设备，所述电致检测设备包括：基板以及阵列设置在所述基板上的多个供电头，所述基板内设置有多个控制晶体管，每一所述控制晶体管与一个所述供电头电连接，所述供电头用于与待测的发光二极管的电极接触，以在所述控制晶体管的控制下驱动所述发光二极管发光。2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述电致检测设备还包括图像采集装置，所述图像采集装置用于获取与所述供电头接触的所述待测的发光二极管的图像。3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述供电头包括柔性载台，所述柔性载台背离所述基板的一侧设置有凹槽，所述凹槽的相对两个侧壁上均设有凸起，其中一个所述凸起背离所述基板的一侧设置有第一触点，另一所述凸起背离所述基板的一侧设置有第二触点；所述凹槽中与所述凸起相邻的壁与所述凸起之间具有间隙，所述第一触点用于与所述待测的发光二极管的一个电极接触，所述第二触点用于与所述待测的发光二极管的另一电极接触，所述第一触点和所述第二触点之间具有间隙。4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括光致检测设备，所述光致检测设备包括：光源、透镜组件以及光检测设备，所述光源发出的光线照射在所述待测的发光二极管上；所述透镜组件设置在所述待测的发光二极管和所述光...
【专利技术属性】
技术研发人员：田文亚，郭恩卿，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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