发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备技术

本发明专利技术提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述深度信息获取模组包括一发射模组和至少一接收模组，其中所述发射模组和所述至少一接收模组可被独立地安装于所述电子设备的一电子设备主板，所述发射模组包括一基座、一发射电路板、至少一光发生元件以及至少一驱动芯片，其中所述发射电路板具有一上端面和一下端面，其中所述光发生元件被设置于所述发射电路板的所述上端面，并且所述光发生元件可导通地连接于所述发射电路板，其中所述驱动芯片以导通于所述发射电路板的方式被设置于所述发射电路板的所述下端面。端面。端面。

【技术实现步骤摘要】
发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备


[0001]本专利技术涉及摄像模组领域，尤其涉及一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备。

技术介绍

[0002]深度信息获取功能已经成为了智能电子设备的一大热点功能，尤其是手机人脸识别功能技术的日趋成熟，越来越多的手机厂商开始在自家的手机上搭载3D功能，深度信息获取模组也随之成为手机市场的一大重要零部件。深度信息获取可通过飞行时间、结构光或者双目等方法获取。现有市场环境下，基于飞行时间法则(Time of Flight，TOF)的深度信息摄像模组是其中较为热门的产品之一。
[0003]现有技术的深度信息获取模组通常被整体化地组装在电子设备主板(或电路板)，即现有技术的深度信息获取模组的发射端和接收端在通常会被组装成一个整体，再将整体的所述深度信息获取模组组装在电子设备主板。深度信息获取模组的发射端和接收端两者需要通过一定的方式(如焊接或者导电胶粘接等)组装起来，但是被一体组装的所述深度信息获取模组在被安装在电子设备主板之前还存在较多的不稳定因素。比如，运输过程中的温度、碰撞等影响，往往会造成深度信息获取模组在出货检验和最终安装时的良品率大打折扣，从而造成严重的经济损失，同时影响摄像模组生产厂商和终端电子设备生产厂的生产和收益。现有技术的摄像模组中的不稳定因素被封装起来了，但是在摄像模组组装的过程中，不稳定因素的变异造成的问题难以处理，只能作为不良品进行处理，从而导致摄像模组的良品率降低。
[0004]基于此，许多电子设备生产厂家对自己的电子设备的设计，个性化需求上升，更希望自己参与模组的算法调试。同时，电子设备内部的空间利用率要求进一步提高，电子设备生产厂更希望能在电子设备组装部分完成对模组的组装和布局。现有技术的这种组装方式往往需要电子设备为摄像模组的组装预留较大的空间，存在一定的空间浪费。
[0005]另一方面，现有技术的深度信息获取模组的发射端的尺寸难以小型化和紧凑化，其主要原因在于现有技术的深度信息获取模组的所述发射端的电子元件通常在XY方向(长宽或水平)布置。影响深度信息获取模组的所述发射端投射光信号的波形的一个因素在于发射端的驱动IC(驱动芯片)与光发生元件之间的距离，由所述驱动IC控制光发生元件投射光信号的波形。现有技术的所述发射端的驱动IC通常被设置于接收端，而使其与光发生元件之间的布线距离较长，所述光发生元件投射的光信号的波形与理性波形的偏差较大，导致所述深度信息获取模组的拍摄精度有所影响。
[0006]现有技术的深度信息获取模组的所述发射端散热不够理想，工作过程中所述发射端温度过高，影响所述深度信息获取模组的整体使用寿命。另一方面，温度过高影响施加到光发生元件上的电流的大小，从而影响光发生元件的功率，导致所述深度信息获取模组的拍摄距离受到影响。影响现有技术的所述发射端散热性能的原因还在于发射端的各电子元件的布置集中，而导致热点集中，无法将产生的热量及时地向外传导，提高了模组热失效的
概率。另一方面，发射端的驱动IC受热源影响较重，当所述驱动IC靠近于光发生元件时，两者因为其本身在工作时产生的影响因素(如热量、电磁干扰或者其它)之间的干扰，两者布置的过近则会相互影响各自的工作状态。也就是说，若所述驱动IC和所述光发生元件直接近距离贴附于同侧，则必需要有一定的间隔距离，但所述驱动IC和所述光发生元件的距离过长又影响所述光发生元件发射光线的波形。
[0007]现有技术的深度信息获取模组的发射端和接收端被组装成一体后再被组装至电子设备的主板，其中所述深度信息获取模组的发射端不能够独立地使用而发射特定波形的光信号。因为，现有技术的深度信息获取模组的所述发射端由所述接收端控制，而发射预设波形的所述光信号，即控制所述发射端的驱动芯片被封装在所述接收端。因此，现有技术的深度信息获取模组的所述发射端不能够独立的存在。

技术实现思路

[0008]本专利技术的一个主要优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述发射模组的驱动芯片和光发生元件被可导通地设置于所述发射模组的一电路板，减小所述驱动芯片与所述光发生元件之间的距离，有利于优化所述光发生元件发射光信号的波形，提高所述深度信息获取模组的拍摄质量。
[0009]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述驱动芯片和所述光发生元件被可导通地设置于所述发射模组的一电路板，藉由所述电路板导通地连接于所述发射模组的一基座，有利于减少所述基座的电路布线难度。
[0010]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述发射模组的各电子元件通过所述电路板被导通地设置于所述基座，有利于减少所述基座中布线的数量。
[0011]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述发射模组的所述基座设有至少一避让槽(或避让空间等)，其中所述发射模组的电子元件可被布置在所述避让槽(或避让空间)，有利于提高所述发射模组的空间利用率，减小所述发射模组的体积。
[0012]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述驱动芯片被以背对于所述光发生元件的方式可导通地设置于所述电路板。所述光发生元件和所述驱动芯片在空间Z轴方向(高度方向)被呈叠置的方式设置于所述电路板，即所述发射模组的所述光发生元件和所述驱动芯片被立体式地布置，有利于提高所述发射模组的空间利用率，减小所述发射模组的体积。
[0013]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述电路板可导通地内置于所述基座，所述电路板以抬高所述光发生元件的方式降低所述光发生元件与外部环境的距离，有利于提高所述发射模组的散热性能。
[0014]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述发射模组的所述电路板被内置于所述基座，藉由所述电路板间隔所述基座内部空间，其中所述发射模组的各电子元件被所述电路板间隔地设置于所述基座，有利于充分利用所述基座内部空间布置各所述电子元件，避免电子热点的集中，降低所述发
射模组热失效的概率。
[0015]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述避让槽连通所述电路板上方的第一容置空间于所述电路板下方的第二容置空间，以便所述第一容置空间和所述第二容置空间的热交换，提高所述发射模组的散热效率。
[0016]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中所述避让槽被设置于所述基座，有利于所述基座厚度变薄，所述基座内的热量更容易通过所述基座热传导至外界，提高了所述发射模组的散热性能。
[0017]本专利技术的另一个优势在于提供一发射模组及其制造方法、深度信息获取模组以及电子设备，其中驱动芯片和所述光发生元件被可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一发射模组，供被独立地安装于一电子设备主板，其特征在于，包括：一基座，供导通地连接于所述电子设备主板；一发射电路板，其中所述发射电路板被导通地设置于所述基座，其中所述发射电路板具有一上端面和一下端面；至少一光发生元件，其中所述光发生元件被设置于所述发射电路板的所述上端面，并且所述光发生元件可导通地连接于所述发射电路板；以及至少一驱动芯片，其中所述驱动芯片以导通于所述发射电路板的方式被设置于所述发射电路板的所述下端面，其中所述驱动芯片通过所述发射电路板发送控制信号至所述光发生元件，以控制所述光发生元件发射的探测光束。2.根据权利要求1所述的发射模组，其中所述发射电路板进一步包括多个金属凸点，其中所述金属凸点被设置于所述发射电路板的所述下端面，藉由所述金属凸点导通地连接于所述基座。3.根据权利要求1所述的发射模组，进一步包括至少一电子元件单元和一光学元件，其中所述光学元件被设置于所述基座，所述光学元件密封所述基座上端的开口，并且由所述光学元件和所述基座限定一容置空间，其中所述发射电路板被封装于所述容置空间。4.根据权利要求3所述的发射模组，其中所述基座包括一基座主体和至少一组基座电路，其中所述基座电路被包埋于所述基座主体，所述发射电路板被固定于所述基座主体，并且所述发射电路板电气连接于所述基座电路，以供所述基座电路导通所述发射电路板于所述电子设备主板。5.根据权利要求4所述的发射模组，其中所述基座主体包括一基座基底、环绕于所述基座基底的一第一台阶、一第二台阶以及一基座墙，其中所述第一台阶位于所述第二台阶的内侧，并且所述第一台阶的高度高于所述基座基底的高度，所述第一台阶的高度低于所述第二台阶的高度，所述基座墙位于所述第二台阶外侧，其中所述发射电路板被固定地设置于所述第一台阶。6.根据权利要求5所述的发射模组，其中所述基座进一步设有一电路板安装部，其中所述电路板安装部位于所述第一台阶的上方和所述第二台阶的内侧，所述电路板安装部的尺寸大于所述发射电路板的尺寸，以便所述发射电路板被设置于所述电路板安装部，藉由所述第一台阶以抬高所述电路板基座的方式支撑所述发射电路板。7.根据权利要求5所述的发射模组，其中所述发射电路板被固定地设置于所述第一台阶，所述光发生元件和所述驱动芯片被导通地连接于所述内侧部，由所述内侧部分割所述容置空间为一第一容置腔和一第二容置腔，所述光发生元件被保持在所述第二容置腔，所述驱动芯片被保持在所述第一容置腔。8.根据权利要求5所述的发射模组，其中所述基座电路被包埋于所述第一台阶，其中所述第一台阶具有一第一焊接面和一第二焊接面，其中所述第一焊接面位于所述第一台阶的上表面，所述第二焊接面位于所述第一台阶的下表面，其中各所述基座电路的一端延伸至所述第一焊接面，并且各所述基座电路的另一端延伸至所述第二焊接面。9.根据权利要求8所述的发射模组，其中所述发射电路板密封地设置于所述第一台阶的所述第一焊接面，由所述发射电路板分隔所述第一容置腔和所述第二容置腔。10.根据权利要求8所述的发射模组，其中所述基座进一步包括多个上焊点和多个下焊
点，其中所述上焊点被设置于所述第一台阶的所述第一焊接面，各所述下焊点被设置于所述第一台阶的所述第二焊接面，并且所述上焊点和所述下焊点电气连接于所述基座电路。11.根据权利要求7所述的发射模组，其中所述第二台阶具有一承载面，所述基座进一步设有一光学元件安装部，其中所述光学元件安装部位于所述承载面的上方和所述基座墙的内侧，所述光学元件被固定地安装于所述光学元件安装部。12.根据权利要求11所述的发射模组，进一步包括一胶粘层，其中所述胶粘层被涂覆于所述第二台阶的所述承载面，所述胶粘层粘贴以固定所述光学元件于所述第二台阶。13.根据权利要求7所述的发射模组，其中所述基座进一步设有至少一下避让槽，其中所述第一台阶具有一第一内侧壁，所述下避让槽形成于所述第一台阶的所述第一内侧壁，其中所述下避让槽连通于所述第一容置腔，以允许被设置于所述发射电路板下方的所述电子元件单元伸展至所述下避让槽。14.根据权利要求7或13所述的发射模组，其中所述基座进一步设有至少一上避让槽，其中所述第二台阶具有一第二内侧壁，所述上避让槽形成于所述第二台阶的所述第二内侧壁，其中所述上避让槽连通于所述第二容置腔，以允许被设置于所述发射电路板上方的所述电子元件单元伸展至所述上避让槽。15.根据权利要求7或13所述的发射模组，其中所述基座进一步设有至少一上避让空间，其中所述第二台阶具有一第二内侧壁，所述上避让空间形成于所述第二台阶的所述第二内侧壁，其中所述上避让空间连通于所述第二容置腔，以允许被设置于所述发射电路板上方的所述电子元件单元伸展至所述上避让空间。16.根据权利要求13所述的发射模组，其中所述第一台阶设有一引流口，所述引流口被形成于所述第一台阶和所述发射电路板之间，所述引流口连通所述下避让槽，所述引流口和所述下避让槽连通所述第一容置腔和所述第二容置腔，以允许气体在所述第一容置腔和所述第二容置腔间流动。17.根据权利要求4所述的发射模组，其中所述基座主体包括一基座基底、环绕于所述基座基底的多个第一台阶、一第二台阶以及一基座墙，其中所述第一台阶位于所述第二台阶的内侧，相邻任意两个所述第一台阶间隔地设置，并且所述第一台阶的高度高于所述基座基底的高度，所述第一台阶的高度低于所述第二台阶的高度，所述基座墙位于所述第二台阶外侧，其中所述发射电路板被固定地设置于所述第一台阶。18.根据权利要求17所述的发射模组，其中相邻的两个所述第一台阶之间形成一避让通道，所述避让通道连通所述第一容置腔和所述第二容置腔，以允许被设置于所述发射电路板的所述电子元件单元伸展至所述上避让空间，和允许气体在所述第一容置腔和所述第二容置腔间流动。19.根据权利要求12所述的发射模组，其中通过画胶的方式在所述第二台阶的所述承载面形成所述胶粘层，并且在画胶过程中预留画胶缺口，形成至少一逃气缝隙，其中所述逃气缝隙连通所述容置空间于外界环境。20.根据权利要求5或17所述的发射模组，其中所述基座进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏罕钢，陈飞帆，王晓锋，
申请(专利权)人：宁波舜宇光电信息有限公司，
类型：发明
国别省市：