【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片的供电电路
[0001]本技术涉及供电电路,具体涉及一种应用于集成芯片的具有静电保护功能的供电电路。
技术介绍
[0002]包含集成芯片的电子产品,都时刻面临着静电放电(Electro
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Static discharge,简称ESD)的冲击。静电放电是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。特别是当集成芯片的外部环境或者内部累积的静电荷,通过芯片的管脚流入或者通过集成芯片的供电脚输入,瞬间产生的电流或电压就会损坏集成电路,使集成芯片功能失效。另外,由于外部电源不稳定,容易产生浪涌,或者在雷电天气或干燥的天气中,容易造成击穿或静电,也容易导致集成芯片的损坏。
[0003]基于上述问题,有必要提供,一种具有ESD保护功能的集成芯片的供电电路,以提升电子产品的抵抗ESD的能力。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于克服现有技术问题,提出一种集成芯片的供电电路,具体方案如下,包括依次连接的交流/直流变换模块10、直流变换模块20,以及并联至直流变换模块的正 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成芯片的供电电路,其特征在于,包括依次连接的交流/直流变换模块(10)、直流变换模块(20),以及并联至直流变换模块的正、负输出端的静电保护模块(30);所述交流/直流变换模块(10)的输入端口用于连接至交流电;所述交流/直流变换模块(10)的输出端连接至所述直流变换模块(20)的输入端,所述直流变换模块的正输出端(V+)连接至集成芯片(40)的电源端(VCC),所述直流变换模块(20)的负输出端(V
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)接地(GND);所述交流/直流变换模块(10)用于将交流电转成直流电;所述直流变换模块(20)用于将第一直流电压转换成第二直流电压;所述第一直流电压值大于第二直流电压值;所述静电保护模块(30)包括二极管(D)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、MOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑其木,谢征君,
申请(专利权)人:深圳市微电能科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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