IGBT驱动电路制造技术

本申请提供一种IGBT驱动电路，包括：绝缘栅双极型晶体管、软导通模块和软关断模块。软导通模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路；第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，第一脉冲宽度调制信号用于驱动第一场效应管以及至少2个晶体管导通电路依次导通；软关断模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路；第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，第二脉冲宽度调制信号用于驱动第二场效应管导通以及至少2个晶体管关断电路依次导通。本申请的IGBT驱动电路可以提高IGBT的使用可靠性。用可靠性。用可靠性。

【技术实现步骤摘要】
IGBT驱动电路


[0001]本申请涉及电力电子技术，尤其涉及一种IGBT驱动电路。

技术介绍

[0002]大功率绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)因为具有电压型驱动、驱动简单、开关频率高、饱和压降低、可耐高电压大电流和高可靠性等特点，被广泛应用于轨道交通、电力领域、新能源等各个传统和新兴的领域。在IGBT的运行中，IGBT的门极驱动电路对于IGBT的可靠运行至关重要，该门极驱动电路用于控制IGBT的导通和关断。
[0003]现有技术中IGBT的门极驱动电路一般是采用三极管和单一的门极驱动电阻串联作为门极驱动电路，在控制IGBT的导通和关断时，不能兼顾IGBT的开关损耗、电流尖峰、电压尖峰，容易导致IGBT的开关损耗过大，或者导通和关断过程中产生的电流尖峰和电压尖峰过大导致IGBT损坏。
[0004]综上，现有技术中IGBT的门极驱动电路容易给IGBT的运行带来安全隐患，致使IGBT的使用可靠性降低的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：绝缘栅双极型晶体管；软导通模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路，所述第一场效应管与所述至少2个晶体管导通电路依次连接；所述第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，所述第一脉冲宽度调制信号用于驱动所述第一场效应管以及所述至少2个晶体管导通电路依次导通；所述至少2个晶体管导通电路包括至少2个不同的晶体管导通电路；软关断模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路，所述第二场效应管与所述至少2个晶体管关断电路依次连接；所述第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，所述第二脉冲宽度调制信号用于驱动所述第二场效应管导通以及所述至少2个晶体管关断电路依次导通；所述至少2个晶体管关断电路包括至少2个不同的晶体管关断电路。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述至少2个晶体管导通电路包括第一晶体管导通电路、第二晶体管导通电路和第三晶体管导通电路，其中，所述第二晶体管导通电路包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的第一端与所述第一场效应管的漏极连接，所述电阻R1的第二端与所述电阻R2的第一端连接，所述电阻R2的第二端用于和正极电源连接；所述第一晶体管导通电路的第一端与所述电阻R1的第二端连接，且与所述电阻R2的第一端连接；所述第一晶体管导通电路的第二端用于和所述正极电源连接；所述第三晶体管导通电路的第一端与所述第一场效应管的漏极连接，所述第三晶体管导通电路的第二端用于和所述正极电源连接；所述第一场效应管导通以驱动所述第一晶体管导通电路运行；所述第一晶体管导通电路运行以驱动所述第二晶体管导通电路运行；所述第二晶体管导通电路运行以驱动所述第三晶体管导通电路运行。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述软导通模块还包括：软导通反馈单元，包括第一比较器，所述第一比较器的负极输入端与所述第一场效应管的源极连接，所述第一比较器的正极输入端的电压为固定值；所述第一比较器的输出端与所述第三晶体管导通电路的输入端连接，所述第一比较器用于驱动所述第三晶体管导通电路导通并运行。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管导通电路包括：第三场效应管，所述第三场效应管的栅极与所述第一比较器的输出端连接，所述第三场效应管的源极与所述电阻R2的第一端连接，且与所述第一场效应管的漏极连接；电阻R3，所述电阻R3的第一端与所述第三场效应管的漏极连接，所述电阻R3的第二端用于和所述正极电源连接。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述至少2个晶体管关断电路包括第一晶体管关断电路、第二晶体管关断电路和第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海锋，郑松，杨春宇，李康乐，
申请(专利权)人：西安中车永电捷通电气有限公司，
类型：新型
国别省市：