一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路，所述PMOS功率开关管驱动电路包括施密特触发器、电平转换器1、电平转换器2、驱动级1、驱动级2、驱动级3、LDO1、LDO2、使能控制、死区控制、泄放通路、PMOS功率开关管、功放。该PMOS功率开关管驱动电路采用分段控制手段，产生PMOS功率开关管所需的任意控制电压，从而满足不同类型的功率开关控制。本发明专利技术相对于传统的PMOS功率开关管驱动电路，增加了使能控制模块，用于检测电源电压幅度，当电源电压满足工作要求时产生使能信号，显著降低电源上电和下电过程中驱动输出的不定态。电过程中驱动输出的不定态。电过程中驱动输出的不定态。

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路


[0001]本专利技术属于集成电路设计与制造
，涉及一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路。

技术介绍

[0002]在雷达发射机和工业电机控制领域，高压高功率功放的电源调制应用非常广泛。由于PMOS功率开关管驱动电路简单，可适用范围广，高压高功率PMOS驱动芯片发展非常迅速。传统的PMOS功率开关管驱动电路由于电路简单，可应用的范围也有限，例如当工艺限制MOS管的栅源电压耐压有限，传统的PMOS功率开关管驱动电路不再满足应用需求。同时，传统的PMOS功率开关管驱动电路在上电或下电过程中输出存在不定态，电源调制的输出会在低压下存在异常输出状况。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路。该PMOS功率开关管驱动电路采用分段控制手段，产生PMOS功率开关管所需的任意控制电压，从而满足不同类型的功率开关控制。
[0004]本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路，包括施密特触本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高可靠的PMOS功率开关管驱动电路，其特征在于所述PMOS功率开关管驱动电路包括施密特触发器、电平转换器1、电平转换器2、驱动级1、驱动级2、驱动级3、LDO1、LDO2、使能控制、死区控制、泄放通路、PMOS功率开关管、功放，其中：所述施密特触发器的输入端与输入信号端口IN相连，施密特触发器的输出端分别与死区控制的输入端、电平转换器1的输入端、电平转换器2的输入端相连；所述死区控制模块的输出端与驱动级3的输入端相连；所述驱动级3的输出端与泄放通路的输入端相连；所述泄放通路的输出端分别与PMOS功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹文清，李翔宇，关文博，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：