【技术实现步骤摘要】
基座降温装置和背面金属溅镀机
[0001]本专利技术涉及集成电路生产制造领域,特别是涉及一种用于背面金属溅镀机的基座降温装置。本专利技术还涉及一种具有所述基座降温装置的背面金属溅镀机。
技术介绍
[0002]在集成电路生产制造领域使用的背面金属溅镀机(Backside PVD)中,较多的是镀膜Ti、NiV、Ag为金属层;且根据工艺需求,当Ti、NiV、Ag的腔体的基座(承载wafer的载体)在
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15℃时的均匀度以及应力是最好的。因此,为了使基座维持在
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15℃,则需要用到制冷机对基座进行降温。
[0003]制冷机通过冷凝管路输送制冷剂对基座进行降温,使基座保持在
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15℃左右;但制冷机与基座之间的冷凝管路也是
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15℃左右,通常晶圆生产车间的温度为24℃左右,易在冷凝管路表面产生冷凝水或者结冰。
[0004]所以基座底部易产生冷凝滴液,且基座底部有较多电源线路和信号线,如果水滴上去可能会导致短路等问题;而且晶圆生产车间高架地板下都有漏液 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基座降温装置,其用于背面金属溅镀机基座,其特征在于,包括:冷源,其通过第一密闭保温管路向基座输送冷气,其用于降低基座温度;第一密闭保温管路,其位于基座下方的部分全部被第一覆盖件和/或第二覆盖件,其用于向基座输送冷气;第二密闭保温管路,其位于基座下方的部分全部被第一覆盖件和/或第二覆盖件,其用于经过基座的冷气返回冷源;第一覆盖件,其设置在基座下方,其形成有第一密闭保温空间;第二覆盖件,其设置在第一覆盖件下方,其形成有第二密闭保温空间;第三密闭保温管路,其连接在正压产生装置和第一覆盖件之间;第四密闭保温管路,其连接在正压产生装置和第二覆盖件之间;第五密闭保温管路,其连接在负压产生装置和第一覆盖件之间;第六密闭保温管路,其连接在负压产生装置和第二覆盖件之间;其中,第三密闭管路和第五密闭保温管路形成第一密闭保温双套管,第四密闭保温管路和第六密闭保温管路形成第二密闭保温双套管。2.如权利要求1所述的基座降温装置,其特征在于:第三密闭管路为第一密闭保温双套管的内管,第五密闭保温管路为第一密闭保温双套管的外管,第四密闭管路为第二密闭保温双套管的内管,第六密闭保温管路为第二密闭保温双套管的外管。3.如权利要求1所述的基座降温装置,其特征在于,还包括:第一压力测量单元,其用于测量第一密闭保温空间内压力,发送至第一控制器;第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:祁志超,苏亚青,吕剑,
申请(专利权)人:华虹半导体无锡有限公司,
类型:发明
国别省市:
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