转子结构、电机和转子加工方法技术

本发明专利技术提供了一种转子结构、电机和转子加工方法，转子结构包括多个依次叠置的转子冲片，各个转子冲片上设置有用于供转轴穿过的轴孔，转子冲片上开设有第一狭缝槽和位于第一狭缝槽两端的第一填充槽，第一狭缝槽包括位于轴孔相对两侧的狭缝断槽，第一狭缝槽、第一填充槽和穿设在轴孔内的转轴形成第一磁障层；其中，第一狭缝槽沿转子结构的直轴方向延伸。本发明专利技术的转子结构解决了现有技术中的电机效率较低的问题。较低的问题。较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
转子结构、电机和转子加工方法


[0001]本专利技术涉及电机领域，具体而言，涉及一种转子结构、电机和转子加工方法。

技术介绍

[0002]自起动同步磁阻电机在同步磁阻电机的基础上，结合了异步电机的优点，通过转子导条产生的异步转矩实现自起动。与同步磁阻电机相比，自起动同步磁阻电机不需要再使用变频器驱动，电机系统的损耗降低，电机效率提升；与异步电机相比，自起动同步磁阻电机可实现恒速运行，转子损耗低，运行时的效率高；与异步起动永磁同步电机相比，自起动同步磁阻电机不使用永磁体材料，电机成本低，且不存在永磁体退磁问题。
[0003]在现有技术中，自起动的同步感应电动机的狭缝部为直线的形状，转子中心有轴孔，d轴转子内部空间很大，这样设置导致转子空间的利用率低，且转子部分的饱和度高，电机效率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种转子结构、电机和转子加工方法，以解决现有技术中的电机效率较低的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本专利技术的第一个方面，提供了一种转子结构，转子结构包括多个依次叠置的转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转子结构，所述转子结构包括多个依次叠置的转子冲片(100)，各个所述转子冲片(100)上设置有用于供转轴穿过的轴孔(20)，其特征在于，所述转子冲片(100)上开设有第一狭缝槽(111)和位于所述第一狭缝槽(111)两端的第一填充槽(121)，所述第一狭缝槽(111)包括位于所述轴孔(20)相对两侧的狭缝断槽(1110)，所述第一狭缝槽(111)、所述第一填充槽(121)和穿设在所述轴孔(20)内的转轴形成第一磁障层(101)；其中，所述第一狭缝槽(111)沿所述转子结构的直轴(3)方向延伸。2.根据权利要求1所述的转子结构，其特征在于，所述转子结构由成对设置的两个转子极(10)构成；和/或所述转轴由不导磁材料制成；和/或所述转轴的外周面为圆柱状，或所述转轴的外周面的部分表面由圆柱面的部分构成。3.根据权利要求1所述的转子结构，其特征在于，所述狭缝断槽(1110)与所述轴孔(20)之间的最小距离L1的取值范围为：σ≤L1≤5σ；和/或所述狭缝断槽(1110)与其相邻的所述第一填充槽(121)之间的最小距离L2的取值范围为：0.8σ≤L2≤2σ，或者L2＝0；其中，σ为所述转子结构所形成的电机的定子内径和转子外径之间气隙的宽度。4.根据权利要求1所述的转子结构，其特征在于，所述狭缝断槽(1110)和所述第一填充槽(121)内填充有相同的材料；或者所述狭缝断槽(1110)为空气槽。5.根据权利要求1所述的转子结构，其特征在于，所述狭缝断槽(1110)为矩形；和/或所述狭缝断槽(1110)的最小宽度h1的取值范围为：0.9h2≤h1≤1.1h2；h2为与该狭缝断槽(1110)相邻的第一填充槽(121)的宽度。6.根据权利要求1所述的转子结构，其特征在于，所述第一磁障层(101)的相对两侧均设置有一组第二磁障层(102)，各组所述第二磁障层(102)中的多个所述第二磁障层(102)沿所述转子结构的交轴(4)的方向布置；所述第二磁障层(102)包括第二狭缝槽(112)和设置在所述第二狭缝槽(112)两端的第二填充槽(122)。7.根据权利要求6所述的转子结构，其特征在于，所述狭缝断槽(1110)的最小宽度h1的取值范围为：L6为各组所述第二磁障层(102)中最靠近所述直轴(3)的第二磁障层(102)的第二狭缝槽(112)与所述直轴(3)沿所述交轴(4)方向的最小垂直距离；和/或各组所述第二磁障层(102)中最靠近所述直轴(3)的第二磁障层(102)的第二狭缝槽(112)的与所述第一狭缝槽(111)之间的沿所述交轴(4)方向的最小值h4的取值范围为：L7≤h4≤1.65L7；其中，所述L7为所述轴孔(20)与最靠近所述直轴(3)的该第二磁障层(102)之间沿所述交轴(4)方向的最小距离。8.根据权利要求6所述的转子结构，其特征在于，
在同一个所述第二磁障层(102)内，所述第二狭缝槽(112)与所述第二填充槽(122)之间间隔设置且间隔宽度L3的取值范围为：0.8σ≤L3≤2σ；其中，σ为所述转子结构所形成电机的定子内径和转子外径之间气隙的宽度；和/或在同一个所述第二磁障层(102)内，所述第二填充槽(122)的最大宽度和所述第二狭缝槽(112)的最大宽度之间的差值在所述第二狭缝槽(112)的最大宽度的10％之内。9.根据权利要求6所述的转子结构，其特征在于，在各组所述第二磁障层(102)内，相邻两个所述第二磁障层(102)之间的最小距离L5大于1.8h3；其中，h3为相邻两个所述第二磁障层(102)中的尺寸较小的第二磁障层(102)的第二狭缝槽(112)沿所述交轴(4)方向的最小宽度。10.根据权利要求6所述的转子结构，其特征在于，各个所述第二狭缝槽(112)的宽度由所述交轴(4)至所述第二狭缝槽(112)的两端的方向逐渐...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡余生，陈彬，肖勇，史进飞，李霞，张志东，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：