调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统及方法技术方案

本发明专利技术涉及超高频体声波谐振器有效机电耦合系数调节技术，具体涉及调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统及方法。该系统包括正、负电极、压电层、空腔及衬底，正电极、负电极依次交替排列，且均置于压电层之上，压电层置于衬底之上；正、负电极之间设置至少一根悬浮电极。在正负电极中添加极性相反的电压，正负电极间会激发横向电场，在横向电场的作用下悬浮电极的表面会产生感应电荷，悬浮电极与正负电极间形成新的电场，削弱了原横向电场的强度，从而减小压电层中的压电效应，最终改变谐振器的有效机电耦合系数。通过调节悬浮电极的厚度、宽度、数量或者材料属性可以实现对谐振器的机电耦合系数的调节，使其应用于窄带滤波器成为可能。波器成为可能。波器成为可能。

【技术实现步骤摘要】
调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统及方法


[0001]本专利技术属于超高频体声波谐振器有效机电耦合系数调节
，尤其涉及调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统及方法。

技术介绍

[0002]无线和移动通信系统的迅猛发展，推动着组件性能和系统集成技术的快速创新。为了获得更快的信号处理和减少集成的复杂性,小型化和与CMOS技术兼容的微机电系统(MEMS)谐振器成为了新一代的核心器件,因此高性能的MEMS谐振器技术作为先进的无线通信系统射频前端的基础组件具有很高的需求。
[0003]目前射频滤波器一般由声表面波谐振器(SAW)和薄膜体声波谐振器(FBAR)搭建，但是对于更高频段的滤波器，表面声波谐振器的叉指电极需要更小的指宽，过小的电极宽度会增大能量的损失，影响谐振器的功率处理能力，以及增大加工难度；而薄膜体声波谐振器在高频应用中需要更薄的压电薄膜，过薄的薄膜制造困难且存在的缺陷增多，因此一种低损耗，高有效机电耦合系数及大质量因子的超高频体声波谐振器应运而生。
[0004]超高频体声波谐振器的结构主要包括：带有空腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统，其特征是，包括正、负电极、压电层、空腔及衬底，正电极、负电极依次交替排列，且均置于压电层之上，压电层置于衬底之上；正、负电极之间设置至少一根悬浮电极。2.如权利要求1所述调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统，其特征是，正电极和负电极选用Mo、Pt、Au或Al的金属薄膜材料；压电层选择LiNbO3、LiTaO3、AlN或PZT的压电薄膜；悬浮电极选用Mo、Al、Cu、W、Au或Pt的金属薄膜材料。3.如权利要求1所述调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统，其特征是，衬底选择Si、蓝宝石...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成亮，谢英，王雅馨，童欣，谷曦宇，龙开祥，温志伟，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：