构造赝自旋的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种构造赝自旋的装置，包括一晶体管，所述晶体管的栅极为输入端，源/漏极电学接地，漏/源极通过一隧道结电学连接至工作电平，所述隧道结为真随机数发生源，故所述晶体管的漏/源极端电平值即输出一随机数，所述随机数可以作为赝自旋取随机向上向下的状态，用以构造赝自旋。本发明专利技术由于采用真实物理过程作为真随机数的信号源，具有随机和不可预测等特性，因此消除了伪随机数的周期性和相关性等问题，产生的随机数分布均匀，符合不相关等特性，是一种高质量的真随机数，并利用在电子赝自旋构造上，可以实现真正满足量子态的随机的自旋态构造。机的自旋态构造。机的自旋态构造。

【技术实现步骤摘要】
构造赝自旋的装置


[0001]本专利技术涉及微电子学领域，尤其涉及一种构造赝自旋的装置。

技术介绍

[0002]针对目前量子算法研究中的问题，将Ising模型作为电路模拟的对象，在SOI器件中嵌入随机隧穿行为的隧道结来构造电压驱动的随机赝自旋来模拟Ising模型中相互作用的自旋。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种构造赝自旋的装置，能够在电路中简单便捷的构造出量子自旋态。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种构造赝自旋的装置，包括一晶体管，所述晶体管的栅极为输入端，源/漏极电学接地，漏/源极通过一隧道结电学连接至工作电平，所述隧道结为真随机数发生源，故所述晶体管的漏/源极端电平值即输出一随机数，所述随机数可以作为赝自旋取随机向上向下的状态，用以构造赝自旋。
[0005]可选的，所述晶体管为N型晶体管。
[0006]可选的，所述晶体管为SOI晶体管。
[0007]可选的，所述晶体管的源/漏极通过一保护电阻电学接地。
[0008]本专利技术由于采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种构造赝自旋的装置，其特征在于，包括一晶体管，所述晶体管的栅极为输入端，源/漏极电学接地，漏/源极通过一隧道结电学连接至工作电平，所述隧道结为真随机数发生源，故所述晶体管的漏/源极端电平值即输出一随机数，所述随机数可以作为赝自旋取随机向上向下的状态，用以构造赝自旋...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，王青，葛浩，谢甜甜，吕迎欢，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：