一种电子设备缓蚀剂及其制备方法技术

本发明专利技术是一种电子设备缓蚀剂及其制备方法，该缓蚀剂的组成原料及重量百分比为：纳米腊15

【技术实现步骤摘要】
一种电子设备缓蚀剂及其制备方法


[0001]本专利技术是一种电子设备缓蚀剂及其制备方法，属于电子设备腐蚀防护


技术介绍

[0002]随着我国深海和远海战略的实施，以及国内对海洋资源的越发重视，在海洋环境下工作的发动机、飞机、轮船、钻井平台等设备越来越多。与陆地工作环境相比，海洋工作环境非常恶劣，电子接插头、电子元器件等电子设备由于需要导电，防护措施较少，极易发生腐蚀，导致短路等故障，严重影响设备的性能和寿命。因此，需要发展耐盐雾性能优异并且使用安全方便的专用电子设备缓蚀剂，该种缓蚀剂形成的超薄膜应能够防止电子插头腐蚀失效、不对电子元件电学性能产生显著影响等优点，有效降低电子设备故障的发生率。
[0003]上世纪90年代初，北京邮电大学化学防护研究所研制了DJB
‑
823固体薄膜保护剂，在防银变色、接插件润滑、电绝缘等方面都曾获得过较成功的应用。但与国外同类材料相比，耐盐雾性能较差，只能满足耐中性盐雾48h要求，而国外电子设备缓蚀剂材料规范要求耐中性盐雾168h，DJB
‑
823固体薄膜保护剂不能满足海洋环境下电子设备的防护需求。此外，DJB
‑
823固体薄膜保护剂在大量涂覆时需要加热溶于溶剂后使用，涂覆后要加温固化，不利于推广使用；并且溶解用的溶剂为120号或180号溶剂中汽油、正丁醇、异丙醇等低闪点溶剂，使用安全性差。

技术实现思路

[0004]本专利技术正是针对上述现有技术中存在的不足而设计提供了一种电子设备缓蚀剂及其制备方法，其目的是能够形成超薄膜，防止电子插头腐蚀失效，不对电子元件电学性能产生显著影响，有效降低电子设备故障的发生率。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0006]本专利技术技术方案提供了一种电子设备缓蚀剂，该缓蚀剂的组成原料及重量百分比为：纳米腊15
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25％，石油磺酸钙4
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6％，唑类有机杂环化合物0.5
‑
1.5％，6
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溴己基醋酸酯4
‑
6％，余量为卤代溶剂。
[0007]在一种实施中，所述的卤代溶剂为反
‑
1,2
‑
二氯乙烯、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5
‑
十氟戊烷、溴代正丙烷中的一种或几种的混合物。
[0008]在一种实施中，所述的唑类有机杂环化合物为2
‑
巯基苯并噻唑、2
‑
巯基苯并咪唑、2
‑
巯基苯并恶唑、1
‑
苯基
‑5‑
巯基四氮唑中的一种或几种的混合物。
[0009]该缓蚀剂的组成原料及重量百分比为：纳米腊20％，石油磺酸钙5％，2
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巯基苯并噻唑1％，6
‑
溴己基醋酸酯4％，卤代溶剂70％。
[0010]在一种实施中，该缓蚀剂的组成原料及重量百分比为：纳米腊20％，石油磺酸钙5％，唑类有机杂环化合物1％，6
‑
溴己基醋酸酯4％，反
‑
1,2
‑
二氯乙烯70％。
[0011]本专利技术技术方案还提供了一种制备上述电子设备缓蚀剂的方法，该方法的步骤如下：
[0012]步骤一、将纳米腊、石油磺酸钙依次加入到卤代溶剂中，室温搅拌均匀；
[0013]步骤二、将唑类有机杂环化合物加入到6
‑
溴己基醋酸酯中，加热搅拌溶解，冷却至室温备用；
[0014]步骤三、将步骤二制得的溶液加入到步骤一制得的溶液中，室温搅拌均匀，得到该电子设备缓蚀剂。
[0015]在一种实施中，步骤二中的加热温度为80℃～90℃。
[0016]本专利技术技术方案相比现有技术的特点及有益效果的说明如下：
[0017]1、相比于DJB
‑
823固体薄膜保护剂仅是在电子设备表面形成一层很薄的固体薄膜(约1μm)通过物理隔绝作用进行防护，本专利技术的电子设备缓蚀剂将起物理隔绝作用的纳米腊和起防锈作用的石油磺酸钙混合在一起，一方面增大了该两种成分在溶剂里的溶解度，能够在电子设备表面形成一层较厚的膜(不超过12.7μm)；另一方面使得这层膜不仅能够起到物理隔绝作用(纳米腊)，而且能够起到防锈作用(石油磺酸钙)，所以，本专利技术的电子设备缓蚀剂具有更强的防护能力，耐盐雾性能明显优于DJB
‑
823固体薄膜保护剂。
[0018]2、相比于DJB
‑
823固体薄膜保护剂采用120号或180号溶剂汽油、正丁醇、异丙醇等低闪点溶剂进行溶解，本专利技术的电子设备缓蚀剂使用挥发快、不可燃的卤代溶剂作为溶剂，既保障了挥发性利于快速成膜，使用方便；又不可燃，保障了使用安全性。
[0019]3、针对电子设备较多使用铜、银等有色金属，本专利技术的电子设备缓蚀剂添加了对有色金属防锈性能较好的唑类有机杂环化合物，此外，为了保障唑类有机杂环化合物在整个体系中的溶解性，选择了与唑类有机杂环化合物、卤代溶剂均有良好相溶性的6
‑
溴己基醋酸酯作为中间介质，先将唑类有机杂环化合物加温溶解于6
‑
溴己基醋酸酯中，再溶解于整个体系中。
[0020]4、为了取得电子设备缓蚀剂成膜后导电性和防护性能的平衡，确定了纳米腊15
‑
25％、石油磺酸钙4
‑
6％、卤代溶剂65
‑
75％的配比，在该配比下，电子设备缓蚀剂成膜厚度适中，既不会太厚影响电子元件电学性能，又不会太薄导致防护性能过低。
[0021]5、根据唑类有机杂环化合物在6
‑
溴己基醋酸酯中的溶解度以及6
‑
溴己基醋酸酯在卤代溶剂中的溶解度，确定了唑类有机杂环化合物0.5
‑
1.5％、6
‑
溴己基醋酸酯4
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6％的配比，保障了电子设备缓蚀剂的稳定性。
[0022]本专利技术技术方案提供一种耐盐雾性能优异并且使用安全方便的专用电子设备缓蚀剂及制备方法，该电子设备缓蚀剂不可燃，使用安全；溶剂挥发快，使用方便；形成超薄膜，膜厚不超过12.7μm；耐中性盐雾168h，耐酸性盐雾96h，有效防止电子插头腐蚀失效；涂覆前后电子元件接触电阻变化不超过5mΩ，不对电子元件电学性能产生显著影响；可以应用于海洋环境下电子设备的腐蚀防护，有效降低电子设备故障的发生率。
具体实施方式
[0023]以将结合实施例对本专利技术技术方案作进一步地详述：
[0024]实施例1：
[0025]本实施中，电子设备缓蚀剂的组成原料及重量百分比为：
[0026]纳米腊
ꢀꢀ
20％
[0027]石油磺酸钙
ꢀꢀ
5％
[0028]卤代溶剂
ꢀꢀ
70％
[0029]2‑
巯基苯并噻唑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备缓蚀剂，其特征在于：该缓蚀剂的组成原料及重量百分比为：纳米腊15
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25％，石油磺酸钙4
‑
6％，唑类有机杂环化合物0.5
‑
1.5％，6
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溴己基醋酸酯4
‑
6％，余量为卤代溶剂。2.根据权利要求1所述的电子设备缓蚀剂，其特征在于：所述的卤代溶剂为反
‑
1,2
‑
二氯乙烯、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5
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十氟戊烷、溴代正丙烷中的一种或几种的混合物。3.根据权利要求1所述的电子设备缓蚀剂，其特征在于：所述的唑类有机杂环化合物为2
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巯基苯并噻唑、2
‑
巯基苯并咪唑、2
‑
巯基苯并恶唑、1
‑
苯基
‑5‑
巯基四氮唑中的一种或几种的混合物。4.根据权利要求1或3所述的电子设备缓蚀剂，其特征在于：该缓蚀剂的组成原料及...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜国杰，于洋，孙志华，
申请(专利权)人：中国航发北京航空材料研究院，
类型：发明
国别省市：