一种小籽长荚型矮生豇豆的育种方法技术

本发明专利技术属于遗传育种领域，具体涉及一种小籽长荚型矮生豇豆的育种方法。本发明专利技术选择“詹豇215”进行

【技术实现步骤摘要】
一种小籽长荚型矮生豇豆的育种方法


[0001]本专利技术属于遗传育种领域，具体涉及一种小籽长荚型矮生豇豆的育种方法。

技术介绍

[0002]豇豆作为我国重要蔬菜之一，以其嫩荚供食。按其生长习性分类，可分为蔓生、矮生两种类型，其中以蔓生豇豆栽培面积最大，嫩荚长度55
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65cm，单产22.5
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37.5t/hm2。蔓生豇豆在生产过程中，需要人工搭支架才能获得较好产量。一般情况下，支架成本投入为0.9
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2.5万元/hm2不等，平均1.7万元/hm2左右，支架成本占生产资料总成本的50％左右。矮生豇豆不需支架，可以节约成本而深受农民欢迎，目前，市面上矮生豇豆的主流栽培品种为“美国无架豆”，嫩荚长度35
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40cm，单产10
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15t/hm2。
[0003]但由于现有的矮生豇豆品种存在荚条短、产量低、效益欠佳，其栽培用种的种子颗粒大的技术问题，所以推广规模有限。而现有的豇豆品种选育途径一般采用常规育种方法，也就是利用已有的豇豆品种资源作为亲本，通过人工授本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小籽长荚型矮生豇豆的育种方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将豇豆品种“詹豇215”用
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Co
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γ射线照射后，获得突变材料M1代种子，再经连续2代自交和定向筛选，获得小籽长荚型的自交系215γ
‑
29
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6；所述
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Co
‑
γ射线照射总剂量为400Gy，剂量率为805Gy/h；(2)以“无架豇豆”为母本，以自交系215γ
‑
29
‑
6为父本，进行人工杂交，获得F1代杂交种，再连续自交2代后获得自交系种子Wγ
‑4‑
26；(3)将自交系种子Wγ
‑4‑
26再次用
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Co
‑
γ射线照射，所述
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Co
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γ射线照射总剂量为400Gy，剂量率为805Gy/h；自交6代，得到遗传性状稳定的高代自交系γWγ
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16
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22
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10
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1，该自交系经过田间品比试验，性状稳定，定名为“常豇651”。2.根据权利要求1所述的一种小籽长荚型矮生豇豆的育种方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠武，赵伯莲，黄琳，孙信成，杨连勇，蒋万，康杰，王玲，彭元群，陈位平，孙松英，田军，何岩，朱明玉，詹远华，赵三中，
申请(专利权)人：常德市农林科学研究院，
类型：发明
国别省市：