线性垂直腔表面发射激光器阵列制造技术

技术编号:28052970 阅读:29 留言:0更新日期:2021-04-14 13:17
本公开描述了各种线性VCSEL阵列,以及并入了这种线性VCSEL阵列的VCSEL阵列芯片,以及其中集成了一个或多个线性VCSEL阵列的模块、主机设备和其他装置。实施方式可以包括例如改变VCSEL的孔径尺寸,使传输线的形状逐渐变窄,和/或改变VCSEL的密度。和/或改变VCSEL的密度。和/或改变VCSEL的密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】线性垂直腔表面发射激光器阵列


[0001]本公开涉及线性垂直腔表面发射激光器(vertical

cavity surface

emitting laser,VCSEL)阵列。

技术介绍

[0002]激光器,诸如VCSEL,可以被用于范围广泛的应用,包括距离或测距应用(例如,可操作来获取关于环境的三维信息的光检测和测距(light detection and ranging,(LIDAR))系统。在一些情况下,多个VCSEL以线性阵列布置,其中VCSEL电连接在一起,也电连接到一端具有导电接触垫的传输线,以允许VCSEL激活或去激活。各个VCSEL之间传输线的有限电阻会导致电压降,其降低更远离接触垫的VCSEL处的最终电压。因为电流和光功率与施加的电压成比例,所以线性阵列中跨VCSEL的电压差会导致更远离接触垫的VCSEL的光输出降低。因此,由线性阵列中的每个VCSEL产生的光功率可能彼此不同,这对于一些应用是不希望的。此外,跨VCSEL的电压差可在线性阵列中的各个VCSEL的激活或去激活的定时上产生差异。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光源,包括:沿着传输线布置的VCSEL的线性阵列,所述传输线在一端包括导电接触垫,其中所述VCSEL电连接在一起,并且电连接到所述传输线,其中,每个VCSEL具有相应的孔径,并且其中每个孔径具有相应的尺寸,使得更靠近所述接触垫的VCSEL的孔径小于更远离所述接触垫的VCSEL的孔径。2.根据权利要求1所述的光源,其中,所述VCSEL的相应孔径在远离所述接触垫的方向上越来越大。3.根据权利要求1或2所述的光源,其中,所述VCSEL孔径的相应尺寸使得所述VCSEL能够操作以发射基本上均匀的光功率。4.一种光源,包括:沿着传输线布置的VCSEL的线性阵列,所述传输线在一端包括导电接触垫,其中所述VCSEL电连接在一起,并且电连接到所述传输线,其中,所述传输线具有更靠近所述接触垫的第一端和更远离所述接触垫的第二端,其中所述传输线在所述第一端比在所述第二端更宽。5.根据权利要求4所述的光源,其中,所述传输线具有随着与所述接触垫的距离而减小的宽度。6.根据权利要求4所述的光源,其中,所述传输线具有随着与所述接触垫的距离而连续减小的宽度。7.根据权利要求4所述的光源,其中,所述传输线具有逐渐变窄的形状。8.根据权利要求4所述的光源,其中,每个VCSEL具有相应的孔径,并且其中,每个孔径具有相应的尺寸,使得更靠近所述接触垫的VCSEL的孔径小于更远离所述接触垫的VCSEL的孔径。9.根据权利要求8所述的光源,其中,所述VCSEL的相应孔径在远离所述接触垫的方向上越来越大。10.根据权利要求8所述的光源,其中,所述VCSEL能够操作以发射基本均匀的光功率。11.根据前述权利要求中的任一项所述的光源,其中,所述VCSEL孔径的相应尺寸使得所述VCSEL能够共同操作以投射非一致或非均匀的功率曲线。12.一种光源,包括:沿着传输线布置的VCSEL的线性阵列,所述传输线在一端包括导电接触垫,其中,所述VCSEL电连接在一起,并且电连接到所述传输线,其中,所述传输线具有更靠近所述接触垫的第一端和更远离所述接触垫的第二端,并且其中,更靠近所述第二端的VCSEL的密度大于更靠近所述第一端的VCSEL的密度。13.根据权利要求12所述的光源,其中,所述VCSEL的密度从所述第一端到所述第二端连续增加。14.根据权利要求所述的光源12,其中,所述VCSEL沿着所述传输线布置,使得所述线性阵列中的VCSEL能够共同操作以将基本一致的光线投射到对象上。15.根据权利要求12所述的光源,其中,所述VCSEL沿着传输线布置,使得所述线性阵列中的VCSEL能够共同操作以将非一致或非均匀的光线投射到对象上。16.一种光源,包括:
多个根据权利要求1至15中任一项所述的VCSEL的线性阵列。17.根据权利要求16所述的光源,其中,所述线性阵列能够彼此分开寻址。18.根据权利要求17所述的光源,其中,所述线性阵列被集成在单片二维VCSEL阵列中。19.一种光源,包括:沿着传输线布置的VCSEL的线性阵列,所述传输线在第一端包括第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗伯特万莱文劳伦斯沃特金斯麦克史奇勒
申请(专利权)人:ams传感器亚洲私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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