【技术实现步骤摘要】
传感器元件
[0001]本专利技术涉及传感器元件。
技术介绍
[0002]以往,作为检测差压或者压力的压力传感器,已知有在作为感压部的半导体膜片上形成有压电电阻的半导体压阻式压力传感器(参考专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1:日本专利特表2015-512046号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题
[0004]在专利文献1所公开的压力传感器中,仅将差压作为测定对象,或者仅将绝对压力作为测定对象,未知晓同时测量差压和绝对压力等多个压力的构造。
[0005]本专利技术是为了解决上述课题而完成的,其目的在于提供能够高精度地同时测量多个压力的小型的传感器元件。用于解决课题的技术手段
[0006]本专利技术提供一种传感器元件,其包括传感器芯片和与该传感器芯片的一面接合的膜片基底,该传感器元件的特征在于,所述传感器芯片具备:第1压力与第2压力的差压测量用的第1膜片;所述第2压力的绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片;第1压力导入通路,其将所述第1压力传递至所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传感器元件,其包括传感器芯片和与该传感器芯片的一面接合的膜片基底,该传感器元件的特征在于,所述传感器芯片具备:第1压力与第2压力的差压测量用的第1膜片;所述第2压力的绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片;第1压力导入通路,其将所述第1压力传递至所述第1膜片;以及第2压力导入通路,其将所述第2压力传递至所述第1膜片和所述第2膜片,所述膜片基底具备:第3膜片,其直接承受具有所述第1压力的测量对象的流体;第4膜片,其直接承受具有所述第2压力的测量对象的流体;第3压力导入通路,其与所述第1压力导入通路连通,将所述第3膜片所承受的所述第1压力传递至所述第1压力导入通路以及所述第1膜片;以及第4压力导入通路,其与所述第2压力导入通路连通,将所述第4膜片所承受的所述第2压力传递至所述第2压力导入通路以及所述第2膜片,第1压力传递介质封入于所述第1压力导入通路至所述第3压力导入通路,第2压力传递介质封入于所述第2压力导入通路至所述第4压力导入通路,所述第1压力传递介质能够将所述第1压力传递至所述第1膜片,所述第2压力传递介质能够将所述第2压力传递至所述第1膜片和所述第2膜片,且在将所述第1压力传递介质以及所述第2压力传递介质的移动量通过电荷模型化、将所述第1压力传递介质以及所述第2压力传递介质的流速通过电流模型化、将所述第1压力和所述第2压力通过电压模型化、将所述第1膜片~所述第4膜片的柔度通过电容模型化,将所述第1压力导入通路~所述第4压力导入通路的流路阻抗通过电阻模型化、利用等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片以及所述第2膜片的传递时,所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。...
【专利技术属性】
技术研发人员:德田智久,米田雅之,东条博史,津岛鲇美,木田希,
申请(专利权)人:阿自倍尔株式会社,
类型:发明
国别省市:
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