压力传感器制造技术

本发明专利技术提供一种压力传感器，在同时测量多个压力的压力传感器中抑制由温度、静压引起的零点漂移。压力传感器(1)在传感器芯片(10)的内部形成有两个膜片(32、33)、以分别与膜片(32、33)的上表面相接的方式配置的成为第1压力导入室的凹陷部(40、41)、以及以分别与膜片(32、33)的下表面相接的方式配置的成为第2压力导入室的凹陷部(30、31)。进而，以在被施加至膜片(32(33))的上表面和下表面的压力之差为零时，使由设置于膜片(32(33))的应变片(34

【技术实现步骤摘要】
压力传感器


[0001]本专利技术涉及压力传感器。

技术介绍

[0002]以往，作为检测差压或者压力的压力传感器，已知有在作为感压部的半导体膜片上形成有压电电阻的半导体压阻式压力传感器(参考专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开平9-304206号公报

技术实现思路

专利技术要解决的课题
[0004]例如专利文献1所记载的半导体压力变换器(相当于压力传感器。)具有1个膜片，通过采用对象结构，能够使基于温度、静压引起的零点漂移与零点漂移的偏差成为最小。
[0005]另一方面，在假定具备多个膜片的压力传感器、即能够进行同种或者异种的多个压力的检测的、将多个功能进行集成化的压力传感器的情况下，该压力传感器无法采用对象结构。因此，无法将专利文献1所记载的技术应用于具备多个膜片的压力传感器。因而，即使使用了专利文献1所记载的技术，也难以同时实现多个功能的集成化和传感器的精度的下降的抑制。
[0006]本专利技术的目的在于提供能够实现多个功能的集成化并抑制传感器的精度的下降的、新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器具备平板状的传感器芯片，在所述传感器芯片的内部形成有：多个膜片；多个第1压力导入室，它们以分别与所述多个膜片的上表面相接的方式配置；多个第2压力导入室，它们以分别与所述多个膜片的下表面相接的方式配置；第1压力导入通路，其一端在所述传感器芯片的下表面开口，另一端与所述多个第1压力导入室中的至少1个所述第1压力导入室连通；第2压力导入通路，其一端在所述传感器芯片的下表面或者侧面开口，另一端与所述多个第2压力导入室中的至少1个所述第2压力导入室连通；以及应变片，其在所述多个膜片各自的边缘部针对每1个膜片而配置有多个，进而，以在被施加至所述膜片的上表面和下表面的压力之差为零时，使由设置于所述膜片的多个应变片构成的惠斯通电桥电路的输出电压成为零的方式，在所述多个膜片的周边，针对每1个膜片而形成有至少1个空洞。2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有两个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第1压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第1压力导入室连通，所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，另一端与两个所述第2压力导入室中的1个所述第2压力导入室连通。3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有两个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第1压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第1压力导入室连通，所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第2压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第2压力导入室连通。4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有两个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，另一端与两个所述第1压力导入室中的1个所述第1压力导入室连通，另一个另一端与两个所述第2压力导入室中的1个所述第2压力导入室连通，所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，另一端与两个所述第1压力导入室中的未与所述第1压力导入通路连通的那1个所述第1压力导入室连通，另一个另一端与两个所述第2压力导入室中的未与所述第1压力导入通路连通的那1个所述第2压力导入室连通。5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有两个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第1压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第1压力导入室连通，
所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的侧面开口，另一端与两个所述第2压力导入室中的1个所述第2压力导入室连通。6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有4个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从4个所述第1压力导入室之间的位置分支的4个另一端分别与4个所述第1压力导入室连通，所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从4个所述第2压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与4个所述第2压力导入室中的两个所述第2压力导入室分别连通，在所述传感器芯片的内部还形成有第3压力导入通路，其一端在所述传感器芯片的侧面开口，另一端与4个所述第2压力导入室中的未与所述第2压力导入通路连通的1个所述第2压力导入室连通。7.根据权利要求2或者3中的任意一项所述的压力传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括：平板状的第1构件；平板状的第2构件，其与所述第1构件接合；以及平板状的第3构件，其与所述第2构件接合，所述第1压力导入室作为第1凹陷部而形成，该第1凹陷部在覆盖形成于所述第2构件的上表面的所述膜片的位置处，以使所述第3构件的上表面侧保留的方式去除下表面侧而形成，所述第2压力导入室作为第2凹陷部而形成，该第2凹陷部以使所述第2构件的上表面侧的所述膜片保留的方式去除下表面侧而形成，所述第1压力导入通路包括：第1贯通孔，其将所述第1构件从下表面贯通至上表面；第2贯通孔，其以与所述第1贯通孔连通的方式将所述第2构件从下表面贯通至上表面；以及第1槽，其以两端分别与两个所述第1凹陷部连通，中途部分与所述第2贯通孔连通的方式形成于所述第3构件的下表面，所述第2压力导入通路包括：第3贯通孔，其将所述第1构件从下表面贯通至上表面；以及第2槽，其以一端与两个所述第2凹陷部中的1个所述第2凹陷部连通，另一端与所述第3贯通孔连通，或者两端与两个所述第2凹陷部连通，中途部分与所述第3贯通孔连通的方式形成于所述第2构件的下表面，所述空洞由形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：东条博史，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：