【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单晶硅的碳浓度测定方法及装置
[0001]本专利技术涉及一种单晶硅的碳浓度测定方法及装置，尤其涉及一种通过FT
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IR（Fourier Transform Infrared Spectroscopy：傅立叶变换红外分光法）测定单晶硅中的碳浓度的方法及装置。
[0002]作为半导体器件的基板材料，广泛使用单晶硅。单晶硅所包含的杂质是影响半导体器件的品质的重要因素。随着近年来半导体器件的微细化及高集成化，单晶硅中的取代型碳Cs也成为泄漏不良等的原因，因此期望尽可能降低单晶中的碳浓度。
[0003]大部分单晶硅是通过提拉法（CZ法）制造的，在单晶中包含大量来自制造工序的碳。但是，根据最新的制造技术，能够使CZ单晶硅中的碳浓度成为1
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atoms/cm3以下。为了评价这种碳浓度低的单晶硅，需要准确地测定单晶硅中的非常低的碳浓度。
[0004]作为测定单晶硅中的碳浓度的方法，广泛使用FT
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IR。例如，在专利文献1中记载有通过FT
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单晶硅的碳浓度测定方法，其特征在于，具备：通过FT
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IR测定单晶硅的试样的碳浓度的步骤；在所述试样的碳浓度的测定过程中或测定前或测定后测定所述试样的温度的步骤；及当所测定出的所述试样的碳浓度为0.5
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atoms/cm3以下时，根据所述试样的测定温度校正所述试样的碳浓度的测定值的步骤。2.根据权利要求1所述的碳浓度测定方法，其中，校正所述试样的碳浓度的测定值的步骤包括：根据所述试样的测定温度与基准温度的温度差及校正系数计算所述碳浓度的校正量的步骤；及通过将所述校正量与所述碳浓度的测定值进行加法运算来计算所述基准温度下的所述试样的碳浓度的步骤。3.根据权利要求2所述的碳浓度测定方法，其中，在将所述试样的碳浓度的测定值设为Ycs，将所述试样的测定温度设为T，将所述试样的基准温度设为T0，将所述校正系数设为A，并将所述基准温度T0下的所述试样的碳浓度设为Ycs
’
时，在校正所述试样的碳浓度的测定值Ycs的步骤中计算所述基准温度T0下的所述试样的碳浓度Ycs
’
=Ycs+A
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（T0‑
T）。4.根据权利要求2或3所述的碳浓度测定方法，其还包括：在计算所述碳浓度的校正量之前，根据多个测定温度下的所述试样的碳浓度的测定值设定所述校正系数的值的步骤。5.根据权利要求2至4中任一项所述的碳浓...
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