谐振结构体、天线、无线通信模块以及无线通信设备制造技术

谐振结构体具有导体部、接地导体和第1给定数的连接导体。导体部沿着第1平面扩展，包含多个第1导体。接地导体位于与导体部分开的位置，沿着第1平面扩展。连接导体从接地导体向导体部延伸。多个第1导体当中至少2个与不同的连接导体连接。第1给定数的连接导体包含：任意2个沿着含在第1平面中的第1方向排列的第1连接对；和任意2个沿着含在第1平面中且与第1方向相交的第2方向排列的第2连接对。谐振结构体构成为沿着第1电流路径在第1频率下进行谐振，构成为沿着第2电流路径在第2频率下进行谐振。第1电流路径包含接地导体、导体部和第1连接对。第2电流路径包含接地导体、导体部和第2连接对。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振结构体、天线、无线通信模块以及无线通信设备关联申请的相互参考本申请主张2018年8月27日在日本专利申请的特愿2018-158793的优先权，将将该在先的申请的公开整体为了参考而引入与此。
本公开涉及谐振结构体、天线、无线通信模块以及无线通信设备。
技术介绍
从天线辐射的电磁波在金属导体反射。在金属导体反射的电磁波产生180度的相位偏离。反射的电磁波与从天线辐射的电磁波合成。从天线辐射的电磁波，由于与有相位的偏离的电磁波的合成而振幅变小的情况。结果，从天线辐射的电磁波的振幅变小。通过将天线与金属导体的距离设为辐射的电磁波的波长λ的1/4来减低反射波的影响。对于此，提出通过人工的磁壁来减低反射波的影响的技术。例如在非专利文献1、2记载了该技术。现有技术文献非专利文献非专利文献1：村上等，“利用电介质基板的人工磁导体的低剖面设计和频带特性”信学论(B)，Vol.J98-BNo.2，pp.172-179非专利文献2：村上等，“用于带AMC反射板偶极天线的反射板的最佳结构”信学论(B)，Vol.J98-BNo.11，pp.1212-1220
技术实现思路
本公开的一个实施方式所涉及的谐振结构体具有导体部、接地导体和第1给定数的连接导体。所述导体部沿着第1平面扩展，包含多个第1导体。所述接地导体与所述导体部分开设置，沿着所述第1平面扩展。所述连接导体从所述接地导体向所述导体部延伸。所述多个第1导体当中的至少2个与不同的所述连接导体连接。所述第1给定数的连接导体包含：任意2个沿着所述第1平面中所包含的第1方向排列的第1连接对；任意2个沿着所述第1平面中所包含且与所述第1方向相交的第2方向排列的第2连接对。所述谐振结构体沿着第1电流路径在第1频率下进行谐振，并且构成为沿着第2电流路径在第2频率下进行谐振。所述第1电流路径包含所述接地导体、所述导体部和所述第1连接对。所述第2电流路径包含所述接地导体、所述导体部和所述第2连接对。本公开的一个实施方式所涉及的天线具备：上述的谐振结构体；和构成为与所述导体部电磁连接的第1供电线。本公开的一个实施方式所涉及的无线通信模块具有：上述的天线；和构成为与所述第1供电线电连接的RF(RadioFrequency，射频)模块。本公开的一个实施方式所涉及的无线通信设备具有：上述的无线通信模块；和构成为对所述无线通信模块提供电力的蓄电池。附图说明图1是一个实施方式所涉及的谐振结构体的立体图。图2是从Z轴的负方向观察图1所示的谐振结构体的立体图。图3是将图1所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图4是沿着图1所示的L1-L1线的谐振结构体的截面图。图5是说明图1所示的谐振结构体中的谐振状态的例1的图。图6是说明图1所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图7是表示图1所示的谐振结构体的相对于频率的辐射效率的图表。图8是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图9是说明图8所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图10是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图11是一个实施方式所涉及的谐振结构体的立体图。图12是将图11所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图13是说明图11所示的谐振结构体中的谐振状态的例的图。图14是表示图11所示的谐振结构体的相对于频率的辐射效率的图表。图15是一个实施方式所涉及的谐振结构体的立体图。图16是将图15所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图17是沿着图15所示的L2-L2线的谐振结构体的截面图。图18是说明图15所示的谐振结构体中的谐振状态的例1的图。图19是表示图15所示的谐振结构体的相对于频率的辐射效率的例1的图表。图20是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图21是说明图20所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图22是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图23是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图24是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图25是说明图24所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图26是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图27是说明图26所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图28是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图29是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图30是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图31是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图32是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图33是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图34是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图35是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图36是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图37是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图38是说明图37所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图39是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图40是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图41是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图42是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图43是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图44是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图45是一个实施方式所涉及的谐振结构体的立体图。图46是将图45所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图47是说明图45所示的谐振结构体的谐振状态的例的图。图48是表示图45所示的谐振结构体的相对于频率的辐射效率的例的图表。图49是表示图45所示的谐振结构体的相对于频率的反射率的例的图表。图50是一个实施方式所涉及的谐振结构体的立体图。图51是将图50所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图52是说明图50所示的谐振结构体中的谐振状态的例1的图。图53是说明图50所示的谐振结构体中的谐振状态的例2的图。图54是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图55是将图54所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图56是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图57是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图58是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图59是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图60是一个实施方式所涉及的谐振结构体的立体图。图61是将图60所示的谐振结构体的一部分分解的立体图。图62是说明图60所示的谐振结构体中的谐振状态的例的图。图63是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。图64是一个实施方式所涉及的谐振结构体的俯视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振结构体，其特征在于，具有：/n沿着第1平面扩展、包含多个第1导体的导体部；/n与所述导体部分开设置、沿着所述第1平面扩展的接地导体；和/n从所述接地导体向所述导体部延伸的、3个以上的第1给定数的连接导体，/n所述多个第1导体当中的至少2个，与不同的所述连接导体连接，/n所述第1给定数的连接导体包含：/n任意2个沿着所述第1平面中所包含的第1方向排列的第1连接对；和/n任意2个沿着所述第1平面中所包含且与所述第1方向相交的第2方向排列的第2连接对，/n所述谐振结构体构成为沿着第1电流路径在第1频率下进行谐振，并且构成为沿着第2电流路径在第2频率下进行谐振，/n所述第1电流路径包含所述接地导体、所述导体部和所述第1连接对，/n所述第2电流路径包含所述接地导体、所述导体部和所述第2连接对。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180827 JP 2018-1587931.一种谐振结构体，其特征在于，具有：
沿着第1平面扩展、包含多个第1导体的导体部；
与所述导体部分开设置、沿着所述第1平面扩展的接地导体；和
从所述接地导体向所述导体部延伸的、3个以上的第1给定数的连接导体，
所述多个第1导体当中的至少2个，与不同的所述连接导体连接，
所述第1给定数的连接导体包含：
任意2个沿着所述第1平面中所包含的第1方向排列的第1连接对；和
任意2个沿着所述第1平面中所包含且与所述第1方向相交的第2方向排列的第2连接对，
所述谐振结构体构成为沿着第1电流路径在第1频率下进行谐振，并且构成为沿着第2电流路径在第2频率下进行谐振，
所述第1电流路径包含所述接地导体、所述导体部和所述第1连接对，
所述第2电流路径包含所述接地导体、所述导体部和所述第2连接对。


2.根据权利要求1所述的谐振结构体，其特征在于，
所述第1频率与所述第2频率相等。


3.根据权利要求1所述的谐振结构体，其特征在于，
所述第1频率与所述第2频率不同。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振结构体，其特征在于，
所述第1频率属于与所述第2频率相同的频率带。


5.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振结构体，其特征在于，
所述第1频率属于与所述第2频率不同的频率带。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的谐振结构体，其特征在于，
所述导体部包含超过所述第1给定数的第2给定数的第1导体，
所述第2给定数的第1导体当中所述第1给定数的每一个构成为与不同的所述连接导体连接。


7....

【专利技术属性】
技术研发人员：内村弘志，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP