谐振器、滤波器以及通信装置制造方法及图纸

谐振器具有屏蔽壳体(10)、第1谐振元件(11)、以及第2谐振元件(12)。屏蔽壳体(10)构成为包含位于‑Z方向侧的第1导体部(13)和位于+Z方向侧的第2导体部(14)，并在内部具有空腔(19)。第1谐振元件(11)具有柱状的形状，并配设在空腔(19)内，‑Z方向上的一端与第1导体部(13)接合，在+Z方向上的一端与屏蔽壳体(10)之间具有间隔。第2谐振元件(12)是筒状电介质，位于空腔(19)内，+Z方向上的一端与第2导体部(14)接合，在‑Z方向上的一端与屏蔽壳体(10)之间具有间隔，并与第1谐振元件(11)隔开间隔而包围第1谐振元件(11)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振器、滤波器以及通信装置
本专利技术涉及谐振器、使用该谐振器的滤波器以及通信装置。
技术介绍
已知有在屏蔽罩内收容有将一端接地的柱状导体的谐振器(例如，参照专利文献1。)。此外，已知有将柱状电介质收容在屏蔽罩内的谐振器(例如，参照专利文献2。)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-35792号公报专利文献2：日本实开昭63-159904号公报
技术实现思路
本公开的谐振器具有：屏蔽壳体，该屏蔽壳体包含位于第1方向侧的第1导体部和位于第2方向侧的第2导体部，并在内部具有空腔，所述第2方向是与所述第1方向相反的方向；柱状的第1谐振元件，该第1谐振元件具有柱状的形状，并位于所述空腔内，所述第1方向上的一端与所述第1导体部接合，在所述第2方向上的一端与所述屏蔽壳体之间具有间隔；筒状电介质的第2谐振元件，该第2谐振元件位于所述空腔内，所述第2方向上的一端与所述第2导体部接合，在所述第1方向上的一端与所述屏蔽壳体之间具有间隔，并且与所述第1谐振元件隔开间隔而包围该第1谐振元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振器，其特征在于，具有：/n屏蔽壳体，该屏蔽壳体包含位于第1方向侧的第1导体部和位于第2方向侧的第2导体部，并在内部具有空腔，所述第2方向是与所述第1方向相反的方向；/n柱状的第1谐振元件，该第1谐振元件具有柱状的形状，并位于所述空腔内，所述第1方向上的一端与所述第1导体部接合，在所述第2方向上的一端与所述屏蔽壳体之间具有间隔；/n筒状电介质的第2谐振元件，该第2谐振元件位于所述空腔内，所述第2方向上的一端与所述第2导体部接合，在所述第1方向上的一端与所述屏蔽壳体之间具有间隔，并且与所述第1谐振元件隔开间隔而包围该第1谐振元件；以及/n内壁覆盖层，该内壁覆盖层位于所述第2谐振元件的内...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180912 JP 2018-1709341.一种谐振器，其特征在于，具有：
屏蔽壳体，该屏蔽壳体包含位于第1方向侧的第1导体部和位于第2方向侧的第2导体部，并在内部具有空腔，所述第2方向是与所述第1方向相反的方向；
柱状的第1谐振元件，该第1谐振元件具有柱状的形状，并位于所述空腔内，所述第1方向上的一端与所述第1导体部接合，在所述第2方向上的一端与所述屏蔽壳体之间具有间隔；
筒状电介质的第2谐振元件，该第2谐振元件位于所述空腔内，所述第2方向上的一端与所述第2导体部接合，在所述第1方向上的一端与所述屏蔽壳体之间具有间隔，并且与所述第1谐振元件隔开间隔而包围该第1谐振元件；以及
内壁覆盖层，该内壁覆盖层位于所述第2谐振元件的内壁面，并包含导体。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
所述谐振器在所述第2谐振元件的所述第1方向上的一端具有包含导体的端壁覆盖层。


3.根据权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于，
所述谐振器在所述第2谐振元件的外壁面具有包含导体的外壁覆盖层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川博道，滨田浩儿，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP