【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耐受微波炉的操作于高频带中的RFID标签相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月27日提交的美国临时实用专利申请号62/690,723的优先权和权益,其全部内容通过引用合并于文本中。
技术介绍
本专利技术总体上涉及可以经受诸如但不限于微波炉的高发射场的高发射场的射频识别(“RFID”)标签,以及使用耐受高发射场的RFID标签控制加热过程(例如通过微波的加热过程)的各个方面的方法。具体地,在诸如微波炉之类的设备中进行烹饪或加热之前,不需要从产品或食品中去除RFID标签。本专利技术的微波安全RFID标签防止形成电弧,因此可以放置在微波炉内部而不会损坏其被附接到的产品或食品。因此,在高功率高场或微波发射期间,RFID读取器系统可以读取或询问RFID标签。尽管可以使用其他RFID技术,但是本公开内容集中于工作在13.56MHz的高频(“HF”)和工作在包括欧洲的865-868MHz和美国的902-928MHz在内的全球各个频带的超高频(“UHF”)技术。因此,本说明书对此进行了具体参考。然而,应当意识到,本专利技术主题的各方面也同样适 ...
【技术保护点】
1.一种耐受高场发射的射频识别(RFID)标签,包括:/nRFID芯片;/n天线导体;/n开口环导体;以及/n位于所述天线导体和所述开口环导体之间的电介质。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180627 US 62/690,7231.一种耐受高场发射的射频识别(RFID)标签,包括:
RFID芯片;
天线导体;
开口环导体;以及
位于所述天线导体和所述开口环导体之间的电介质。
2.根据权利要求1所述的RFID标签,其中,所述开口环导体电容性地耦合至所述天线导体。
3.根据权利要求1所述的RFID标签,其中,所述开口环导体形成在所述电介质的第一侧上,并且所述天线导体形成在所述电介质的相对侧上。
4.根据权利要求1所述的RFID标签,其中,所述天线导体包括间隙。
5.根据权利要求4所述的RFID标签,其中,所述RFID芯片位于所述间隙中。
6.根据权利要求1所述的RFID标签,其中,所述天线导体的中心和外边缘与形成电感器的导电迹线桥接在一起。
7.根据权利要求1所述的RFID标签,其中,所述开口环导体覆盖所述天线导体的大部分。
8.根据权利要求7所述的RFID标签,其中,所述开口环导体在不覆盖所述天线导体的地方包括间隙。
9.一种用于加热设备中的射频识别(RFID)标签,其包括:
RFID芯片;
线圈天线导体;
第一开口环导体;以及
第二开口环导体。
10.根据权利要求9所述的RFID标签,其中,所述线圈天线导体位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:I·福斯特,
申请(专利权)人:艾利丹尼森零售信息服务公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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